電磁量子標(biāo)準(zhǔn)扁平化應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢

約瑟夫森效應(yīng)和量子化霍爾電阻效應(yīng)對應(yīng)的h/2e和h/e2，剛好可以導(dǎo)出基本電荷e，在微觀上形成量子三角形（見圖5）。另外，國際上也正在積極探索基于單電子...

2024-01-08 標(biāo)簽：電磁石墨烯砷化鎵 1896 0

伯努利吸盤的應(yīng)用場景、原理及優(yōu)勢

伯努利吸盤是一種基于伯努利原理而工作的非接觸式吸盤。伯努利原理是流體動力學(xué)中的一個基本概念，由18世紀(jì)的瑞士科學(xué)家丹尼爾·伯努利提出。伯努利原理指出，在...

2023-12-27 標(biāo)簽：晶圓砷化鎵半導(dǎo)體制造 4146 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備（三）

我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來形成的。

2023-12-25 標(biāo)簽：砷化鎵半導(dǎo)體晶圓 1387 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長和硅片準(zhǔn)備（二）

晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個晶胞的特定的點(diǎn)上。

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓砷化鎵 1080 0

太陽能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲技術(shù)

光捕獲技術(shù)是提高太陽能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長足的進(jìn)步。利用表面等離...

2023-12-05 標(biāo)簽：太陽能電池太陽能等離子體 2129 0

太陽能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲方案

延長光路的常見方法是在電池中集成背反射器，或使用光捕獲結(jié)構(gòu)多次散射光線，使其進(jìn)入活性吸收層。在電池表面添加防反射涂層或在電池表面進(jìn)行紋理處理，可以減少陽...

2023-12-02 標(biāo)簽：太陽能電池石墨烯砷化鎵 1517 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 605 0

半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系

為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命，彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來的負(fù)面效應(yīng)，業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。

2023-08-21 標(biāo)簽：晶體管MOS砷化鎵 1457 0

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

2023-08-11 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵碳化硅 1355 0

商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制

　　商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告

2023-07-04 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 445 0

硅基外延量子點(diǎn)激光器及其摻雜調(diào)控方面獲得重要進(jìn)展

硅基光電子集成芯片以工藝成熟、集成度高、低成本的CMOS工藝為基礎(chǔ)，將傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，提升芯片的信息傳輸和處理能力...

2023-06-27 標(biāo)簽：激光器砷化鎵光學(xué)系統(tǒng) 466 0

半導(dǎo)體之離子注入工藝簡介

半導(dǎo)體材料最重要的特性之一是導(dǎo)電率可以通過摻雜物控制。集成電路制造過程中，半導(dǎo)體材料（如硅、錯或1E-V族化合物砷化鎵）不是通過N型摻雜物就是利用P型摻...

2023-05-04 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體砷化鎵 4649 0