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標簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點分析
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
砷化鎵二極管是一種半導體器件,它由砷化鎵(GaAs)材料制成,具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應速度。砷化鎵二極管的原理是,當電壓施加到砷化...
砷化鎵是一種重要的半導體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,廣泛應用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能,具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導率...
太赫茲(Terahertz,THz)是指頻率在0.1THz到10THz之間的電磁波,這個區(qū)間覆蓋了紅外和微波光譜范圍之間的電磁波譜部分。
激光器都是在外延的基礎上做出芯片的結構設計,外延厚度2寸的在350um,4寸的在460um左右,到芯片后期,都需要對晶圓進行減薄,厚度有做到80um的,...
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項革命性技術,在實現(xiàn)未來的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...
關于硫酸-過氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學蝕刻研究報告
摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影...
砷化鎵 (GaAs) 功率肖特基二極管的電氣測量(靜態(tài)和動態(tài))技術
該文展示了新型砷化鎵 (GaAs) 功率肖特基二極管與雙極硅二極管相比的電氣特性。該文還介紹了其電氣測量(靜態(tài)和動態(tài))以及最先進的技術。 通常,硅雙極二...
通過砷化鎵制程的PN結測量建模可以得出VerilogA模型的正確性和通用性
本文中論述的是二極管的小信號模型,適用于半導體材料組成的PN結以及金屬半導體組成的肖特基PN結。另外,論述的二極管的模型參數(shù)適用于GaAs HBT制程的...
砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數(shù)5.65×10-10m,熔點1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于...
太陽能光伏發(fā)電在全球取得長足發(fā)展。常用光伏電池一般為多晶硅和單晶硅電池,然而由于原材料多晶硅的供應能力有限,加上國際炒家的炒作,導致國際市場上多晶硅價格...
2018-03-01 標簽:砷化鎵 2.7萬 0
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