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標(biāo)簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無(wú)機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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基于砷化鎵光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列的脈沖THz波全息探測(cè)器
太赫茲(Terahertz,THz)是指頻率在0.1THz到10THz之間的電磁波,這個(gè)區(qū)間覆蓋了紅外和微波光譜范圍之間的電磁波譜部分。
激光器都是在外延的基礎(chǔ)上做出芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),外延厚度2寸的在350um,4寸的在460um左右,到芯片后期,都需要對(duì)晶圓進(jìn)行減薄,厚度有做到80um的,...
氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù),在實(shí)現(xiàn)未來(lái)的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...
關(guān)于硫酸-過(guò)氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報(bào)告
摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影...
引言 原子平面的制備是半導(dǎo)體基板上原子尺度操作的必要前提。由于自組裝現(xiàn)象或使用原子探針技術(shù)操縱單個(gè)原子,只有原子平面的表面才能產(chǎn)生可重復(fù)制造納米級(jí)原子結(jié)...
當(dāng)討論諸如開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)或功率因數(shù)校正(PFC)之類(lèi)的高功率密度和高頻應(yīng)用時(shí),已知硅雙極二極管由于其反向恢復(fù)行為和由此產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗而限制了這...
2021-05-27 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器PFC肖特基二極管 2307 0
砷化鎵 (GaAs) 功率肖特基二極管的電氣測(cè)量(靜態(tài)和動(dòng)態(tài))技術(shù)
該文展示了新型砷化鎵 (GaAs) 功率肖特基二極管與雙極硅二極管相比的電氣特性。該文還介紹了其電氣測(cè)量(靜態(tài)和動(dòng)態(tài))以及最先進(jìn)的技術(shù)。 通常,硅雙極二...
2021-06-04 標(biāo)簽:肖特基二極管砷化鎵動(dòng)態(tài)測(cè)量 5189 0
通過(guò)砷化鎵制程的PN結(jié)測(cè)量建??梢缘贸鯲erilogA模型的正確性和通用性
本文中論述的是二極管的小信號(hào)模型,適用于半導(dǎo)體材料組成的PN結(jié)以及金屬半導(dǎo)體組成的肖特基PN結(jié)。另外,論述的二極管的模型參數(shù)適用于GaAs HBT制程的...
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,熔點(diǎn)1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于...
2018-03-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料砷化鎵 4.0萬(wàn) 0
太陽(yáng)能光伏發(fā)電在全球取得長(zhǎng)足發(fā)展。常用光伏電池一般為多晶硅和單晶硅電池,然而由于原材料多晶硅的供應(yīng)能力有限,加上國(guó)際炒家的炒作,導(dǎo)致國(guó)際市場(chǎng)上多晶硅價(jià)格...
2018-03-01 標(biāo)簽:砷化鎵 2.7萬(wàn) 0
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