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      標簽　>　砷化鎵

      砷化鎵

      +關(guān)注4人關(guān)注

      砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

      文章：93個 瀏覽：19716次 帖子：5個

      砷化鎵資訊

      砷化鎵基板對外延磊晶質(zhì)量的影響

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      在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過外延生長的手段長出不同的...

      2022-04-07 標簽：led芯片砷化鎵 6969 0

      砷化鎵的芯片可以做bumping嗎

      各位同僚，請大家看看以下FCBGA封裝分層問題是否遇到過？有無相關(guān)的解決辦法？材質(zhì)為fr4，謝謝！具體情況如下圖片內(nèi)容所示：

      2021-12-31 標簽：芯片砷化鎵PCT 2795 0

      砷化鎵晶圓代工大廠穩(wěn)懋董事會通過百億投資案

      穩(wěn)懋指出，2021年的擴充計劃將著重在晶圓廠基礎(chǔ)建設的開發(fā)，包括南科高雄新廠房的動土興建及龜山C廠的無塵室工程，都是為未來數(shù)年的新產(chǎn)能開出預做準備。路竹...

      2021-05-09 標簽：晶圓代工砷化鎵5G基站 2233 0

      什么是第三代半導體？一、二、三代半導體什么區(qū)別？

      在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半...

      2020-11-29 標簽：半導體砷化鎵5G通信 9.1萬 1

      穩(wěn)懋斥巨資于南科建廠，產(chǎn)能提升兩倍

      市場憂心華為遭美國制裁，穩(wěn)懋業(yè)績恐受沖擊，對此，陳舜平強調(diào)，該公司已于9月15日之后停止出貨給華為，無論是第3季財報，或者進行式中的第4季業(yè)績，整體來看...

      2020-11-10 標簽：功率放大器砷化鎵5G 2059 0

      燦光電將投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro

      9月4日，聚燦光電發(fā)布關(guān)于子公司簽署《投資合同書》的公告，將總投資35億元生產(chǎn)Mini/Micro LED氮化鎵、砷化鎵芯片等產(chǎn)品。 公告顯示，聚燦光電...

      2020-09-14 標簽：led氮化鎵砷化鎵 2604 0

      清華大學微電子所所長魏少軍教授到福聯(lián)公司調(diào)研

      在福聯(lián)公司產(chǎn)品展示區(qū)，魏少軍教授詳細聽取了福聯(lián)公司項目建設、產(chǎn)品工藝以及技術(shù)亮點等情況介紹，隨后深入生產(chǎn)車間實地考察該公司6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線。

      2020-06-12 標簽：砷化鎵射頻芯片5G 3112 0

      5G帶動砷化鎵用量翻倍 射頻元件廠2020起受惠

      近日消息，研調(diào)機構(gòu)集邦旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報告指出，由于現(xiàn)行射頻前端元件制造商依手機通信元件功能需求，逐漸以砷化鎵（GaAs）晶圓作為元件的制造材料，加上...

      2019-07-09 標簽：砷化鎵5G射頻元件 4022 0

      嘉興科技城簽約引進砷化鎵集成電路項目 總投資達60億元

      日前，在首屆“南湖之春”國際經(jīng)貿(mào)洽談會上，南湖區(qū)簽約45個項目，總投資超200億元，其中包括砷化鎵集成電路項目。

      2019-05-13 標簽：集成電路砷化鎵 4759 0

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      目前氮化鎵器件有三分之二應用于軍工電子，如軍事通訊、電子干擾、雷達等領(lǐng)域；在民用領(lǐng)域，氮化鎵主要被應用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域。氮化鎵基站PA的功放效...

      2019-05-07 標簽：半導體砷化鎵5G 6656 0

      常見的幾種射頻半導體工藝

      半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。

      2019-04-29 標簽：半導體氮化鎵砷化鎵 1.2萬 0

      VCSEL成為市場當紅炸子雞,LED產(chǎn)業(yè)擴產(chǎn)主力轉(zhuǎn)向至砷化鎵機臺設備

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      受到蘋果（Apple）導入3D人臉辨識功能帶動，VCSEL需求快速水漲船高，擴大導入至3D辨識、物聯(lián)網(wǎng)、智慧居家及環(huán)境監(jiān)測等新興領(lǐng)域。

      2019-04-26 標簽：VCSEL砷化鎵 4709 0

      立昂微IPO解讀：募資17億元，投8英寸硅片以及射頻芯片項目

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      其次，砷化鎵是繼硅單晶之后第二代新型化合物半導體材料中最重要、用途最廣泛的材料之一，且主要產(chǎn)能均由國外少數(shù)廠商壟斷。通過射頻芯片項目，實現(xiàn)6英寸GaAs...

      2018-12-25 標簽：集成電路分立器件砷化鎵 1.9萬 0

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      國外采用柔性砷化鎵薄膜電池設計出太陽能無人機 實現(xiàn)人類歷史上第一次永續(xù)飛行

      11月14日，據(jù)美國專業(yè)媒體Aviation Week ＆ Space Technology報道，波音公司旗下極光飛行科學公司（Aurora）設計了一架...

      2018-11-19 標簽：太陽能砷化鎵無人機 6063 0

      國際研究團隊利用砷化鎵納米顆粒制備出一種超快可調(diào)諧超材料

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      Qorvo? 擴充其面向中國市場的 CATV 功率放大器系列

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      2016-03-25 標簽：放大器氮化鎵砷化鎵 1042 0

      砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%

      　　盡管存在硅的競爭，但無線通信的需求將繼續(xù)推動砷化鎵市場發(fā)展。

      2016-01-07 標簽：集成電路無線通信砷化鎵 2245 0

      美實驗室開發(fā)砷化鎵新晶圓蝕刻法

      美國伊利諾大學(University of Illinois)實驗室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法

      2012-01-07 標簽：PCB設計砷化鎵美實驗室 1660 0

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      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
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