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標(biāo)簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無(wú)機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域?
中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制,短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮,遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶,推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲,國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。
2023-07-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 2529 0
砷化鎵晶圓代工大廠穩(wěn)懋董事會(huì)通過(guò)百億投資案
穩(wěn)懋指出,2021年的擴(kuò)充計(jì)劃將著重在晶圓廠基礎(chǔ)建設(shè)的開發(fā),包括南科高雄新廠房的動(dòng)土興建及龜山C廠的無(wú)塵室工程,都是為未來(lái)數(shù)年的新產(chǎn)能開出預(yù)做準(zhǔn)備。路竹...
菏澤市牡丹區(qū)砷化鎵半導(dǎo)體晶片項(xiàng)目奠基儀式隆重舉行
首期項(xiàng)目斥資15億人民幣,致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)在2025年7月開始試運(yùn)行,此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)...
衢州先導(dǎo)集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導(dǎo)體等項(xiàng)目開工
衢州智造新城消息顯示,衢州先導(dǎo)集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導(dǎo)體及器件模組項(xiàng)目總投資110億元,位于衢州智造新城高新片區(qū)及智造新城東港片區(qū),總用地面積約...
砷化鎵集成電路市場(chǎng)2015年增長(zhǎng)率超過(guò)25%
盡管存在硅的競(jìng)爭(zhēng),但無(wú)線通信的需求將繼續(xù)推動(dòng)砷化鎵市場(chǎng)發(fā)展。
市場(chǎng)憂心華為遭美國(guó)制裁,穩(wěn)懋業(yè)績(jī)恐受沖擊,對(duì)此,陳舜平強(qiáng)調(diào),該公司已于9月15日之后停止出貨給華為,無(wú)論是第3季財(cái)報(bào),或者進(jìn)行式中的第4季業(yè)績(jī),整體來(lái)看...
全球最大的砷化鎵晶圓代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(3105)即將在12月13日上柜,由于主力客戶Avago是蘋果iPhone4S最大的贏家,法人預(yù)估穩(wěn)懋第四季EPS...
商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告,對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口
該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵,以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...
2023-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 1828 0
河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項(xiàng)目
5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對(duì)該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。
鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn),已被列入國(guó)家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國(guó)在鎵和鍺的儲(chǔ)量和出口方面都處于全球領(lǐng)先地位。
2023-07-10 標(biāo)簽:衛(wèi)星通信半導(dǎo)體材料砷化鎵 1787 0
國(guó)內(nèi)砷化鎵2023年將迎來(lái)黃金機(jī)遇
占據(jù)強(qiáng)勢(shì)地位的IDM公司,比如Qorvo和Skyworks,持續(xù)丟失中國(guó)國(guó)內(nèi)和三星的射頻前端份額,必然會(huì)導(dǎo)致這類美系IDM公司縮小砷化鎵晶圓廠產(chǎn)出規(guī)模。
美國(guó)伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實(shí)驗(yàn)室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法
2012-01-07 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)砷化鎵美實(shí)驗(yàn)室 1725 0
國(guó)際研究團(tuán)隊(duì)利用砷化鎵納米顆粒制備出一種超快可調(diào)諧超材料
光學(xué)超材料是一種人造材料,因其特殊納米結(jié)構(gòu)而具備不尋常的光學(xué)性能。近20年來(lái),研究人員已設(shè)計(jì)了多種超材料基器件,但其特性無(wú)法改變?;诖耍芯咳藛T首先制...
砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產(chǎn)品說(shuō)明
GS302SA-3通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化,輸出等比例霍爾電勢(shì),從而感知電流及線性位移,廣泛用于電流傳感器、線性馬達(dá)等。由于GaAs的靈敏度比Si材料高1個(gè)數(shù)...
上海伯東美國(guó) Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運(yùn)輸以及儲(chǔ)存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施成砷化鎵集成電路市場(chǎng)
全球無(wú)線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體的市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng),從2011年的大約2.05億美元達(dá)到2015年約為3.2億美元。
2011-08-30 標(biāo)簽:集成電路砷化鎵無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施 1169 0
AMCOM的AM06013033MD-3H是款寬帶砷化鎵功率放大器模塊,設(shè)計(jì)用作通用型應(yīng)用領(lǐng)域。AM06013033MD-3H工作頻率從6GHz到13G...
Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選?
氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。
GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛,器件分類齊全,包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。
Qorvo? 擴(kuò)充其面向中國(guó)市場(chǎng)的 CATV 功率放大器系列
中國(guó)北京,2016年3月25日 –移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRV...
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