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      標簽　>　砷化鎵

      砷化鎵

      +關(guān)注4人關(guān)注

      砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

      文章：99個 瀏覽：19845次 帖子：5個

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      2020-11-29 標簽：半導體砷化鎵5G通信 9.2萬 1

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      2023-07-03 標簽：集成電路半導體材料氮化鎵 3.4萬 0

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      2022-04-25 標簽：芯片半導體砷化鎵 1.3萬 0

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      砷化鎵是發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計，典型代表是VCSEL（垂直腔...

      2022-11-30 標簽：射頻激光器砷化鎵 1.3萬 0

      常見的幾種射頻半導體工藝

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      2019-05-07 標簽：半導體砷化鎵5G 6734 0

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      近日消息，研調(diào)機構(gòu)集邦旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報告指出，由于現(xiàn)行射頻前端元件制造商依手機通信元件功能需求，逐漸以砷化鎵（GaAs）晶圓作為元件的制造材料，加上...

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      各位同僚，請大家看看以下FCBGA封裝分層問題是否遇到過？有無相關(guān)的解決辦法？材質(zhì)為fr4，謝謝！具體情況如下圖片內(nèi)容所示：

      2021-12-31 標簽：芯片砷化鎵PCT 2909 0

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