芯片內(nèi)部有多小呢？芯片內(nèi)部為什么能這么??？

芯片藏身于城市中隨處可見(jiàn)的電子設(shè)備，智能手機(jī)、電腦、家電等都離不開(kāi)它的控制。

2024-03-12 標(biāo)簽：晶圓晶體管芯片制造 794 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽：SiC電磁感應(yīng)硅晶片 7179 0

硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)...

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅晶片 1127 0

濕清洗過(guò)程中硅晶片表面顆粒去除

在整個(gè)晶圓加工過(guò)程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...

2023-03-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2556 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。

2022-08-26 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 3239 0

硅片透蝕MACE化學(xué)鍍金工藝優(yōu)化方案

硅(Si)的深度蝕刻對(duì)于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時(shí)間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過(guò)蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標(biāo)簽：晶圓蝕刻硅晶片 1453 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 4702 0

硅晶片的清洗技術(shù)

摘要 隨著越來(lái)越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實(shí)踐，對(duì)高質(zhì)量晶片的需求越來(lái)越大。對(duì)于表面上幾乎沒(méi)有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機(jī)物的高度潔凈的晶片來(lái)說(shuō)，尤其如此。為...

2022-07-11 標(biāo)簽：硅晶片清洗作業(yè) 1527 0

硅晶片清洗方式的詳細(xì)說(shuō)明

半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見(jiàn)的是，硅晶片僅僅因?yàn)楸┞对诳諝庵卸晃廴?，空氣中含有高度的有機(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些...

2022-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造業(yè)硅晶片 4533 0

硅濕法蝕刻中的表面活性劑

本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過(guò)濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增...

2022-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻硅晶片 1801 0

過(guò)氧化氫溶液的作用解讀 在半導(dǎo)體材料制備中硅晶片清洗

引言 過(guò)氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過(guò)氧化氫水溶液來(lái)清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...

2022-07-07 標(biāo)簽：芯片硅晶片光刻膠 4461 0

蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前的表面預(yù)處理的效果

金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無(wú)需使無(wú)電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究...

2022-04-29 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 838 0

硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對(duì)硅表面的影響，制...

2022-04-26 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 4305 0

利用蝕刻法消除硅晶片表面金屬雜質(zhì)?

為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特...

2022-04-24 標(biāo)簽：蝕刻金屬硅晶片 904 0

300毫米直徑硅片的快速熱處理實(shí)驗(yàn)研究

在半導(dǎo)體熱處理應(yīng)用中，批處理在工業(yè)的早期階段被采用，并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理...

2022-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體熱處理硅晶片 1395 0

硅晶片的化學(xué)刻蝕和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為...

2022-04-15 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 1155 0

濕式化學(xué)清洗過(guò)程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學(xué)清洗過(guò)程對(duì)硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度...

2022-04-14 標(biāo)簽：清洗硅晶片 828 0

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-...

2022-04-13 標(biāo)簽：蝕刻清洗硅晶片 1179 0

光伏硅片的超聲化學(xué)清洗技術(shù)

近年來(lái)，太陽(yáng)能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統(tǒng)中，90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池，具有成本低、面積大、效率較高的優(yōu)點(diǎn)。...

2022-04-12 標(biāo)簽：光伏清洗硅晶片 2695 0