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硅芯片

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硅芯片技術(shù)

CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并...

2025-04-16 標(biāo)簽:封裝導(dǎo)通電阻ESD保護(hù) 105 0

單片集成電路有哪些組成

單片集成電路(Monolithic Integrated Circuit,簡(jiǎn)稱(chēng)MIC)是一種將多個(gè)電子元件集成在單一硅芯片上的技術(shù)。這種技術(shù)極大地減小了...

2024-09-20 標(biāo)簽:電子元件單片集成電路硅芯片 1217 0

集成放大電路的連接常采用什么方式

1. 集成放大電路的基本概念 集成放大電路是一種使用集成電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)的放大器,它將傳統(tǒng)的分立元件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一個(gè)小型的硅芯片上。這種...

2024-08-01 標(biāo)簽:集成電路晶體管集成放大電路 838 0

專(zhuān)用集成電路設(shè)計(jì)流程包括 專(zhuān)用集成電路的特點(diǎn)包括

專(zhuān)用集成電路(ASIC)設(shè)計(jì)流程是指將特定應(yīng)用需求轉(zhuǎn)化為硅芯片的過(guò)程。下面將詳細(xì)介紹ASIC設(shè)計(jì)流程,并進(jìn)一步探討ASIC的特點(diǎn)。 一、ASIC設(shè)計(jì)流程...

2024-05-04 標(biāo)簽:邏輯電路ASIC設(shè)計(jì)硅芯片 849 0

氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片,它們?cè)谛阅堋?yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點(diǎn)和...

2024-01-10 標(biāo)簽:功率放大器氮化鎵硅芯片 2704 0

關(guān)于DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)的“虛假謊言

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在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配,可以說(shuō)晶體管的小型化已經(jīng)...

2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFETDRAM存儲(chǔ)器 703 0

低成本的溶膠-凝膠法制備高性能Ca-IZO薄膜的新方法

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目前,基于薄膜晶體管(TFT)的固態(tài)電路廣泛應(yīng)用于顯示器、大型傳感器和電子皮膚等領(lǐng)域,這些領(lǐng)域難以通過(guò)傳統(tǒng)的基于硅的芯片實(shí)現(xiàn)。

2023-11-06 標(biāo)簽:傳感器TFT薄膜晶體管 1012 0

一文解析微系統(tǒng)封裝原理與技術(shù)

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如何對(duì)系統(tǒng)和組件進(jìn)行可靠的封裝是微系統(tǒng)工業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn),因?yàn)槲⑾到y(tǒng)的封裝技術(shù)遠(yuǎn)沒(méi)有微電子封裝技術(shù)成熟。微系統(tǒng)封裝在廣義上講有三個(gè)主要的任務(wù):裝配、封裝...

2023-11-06 標(biāo)簽:mems壓力傳感器微電子封裝 1409 0

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?又是怎樣制造出來(lái)的呢?

多晶硅與單晶硅各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?又是怎樣制造出來(lái)的呢?

硅,我們都知道。但是芯片制程中的硅,有的用的是單晶硅,有的用的是多晶硅。多晶硅與單晶硅的性能差別很大,那么他們各有哪些優(yōu)良性質(zhì)?有哪些應(yīng)用?又是怎樣制造...

2023-10-26 標(biāo)簽:多晶硅MOSFET單晶硅 1684 0

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

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無(wú)論是在太空還是在地面,這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。

2023-09-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管GaN 2186 0

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硅芯片資訊

量子芯片可以代替硅芯片嗎

量子芯片與硅芯片在技術(shù)和應(yīng)用上存在顯著差異,因此量子芯片是否可以完全代替硅芯片是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題。以下是對(duì)這一問(wèn)題的詳細(xì)分析:

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在硅芯片上集成量子光探測(cè)器

英國(guó)布里斯托大學(xué)的研究人員在擴(kuò)展量子技術(shù)方面取得了重要突破。他們將世界上的量子光探測(cè)器集成到硅芯片上。相關(guān)研究發(fā)表在17日出版的《科學(xué)進(jìn)步》雜志上。 規(guī)...

2024-06-03 標(biāo)簽:硅芯片光探測(cè)器 545 0

集無(wú)線(xiàn)能量采集與傳輸?shù)裙δ苡谝惑w的“人體耦合”能量交互機(jī)制

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2024-04-14 標(biāo)簽:人機(jī)交互信號(hào)傳輸硅芯片 1227 0

Biolinq完成新一輪5800萬(wàn)美元融資,研發(fā)可穿戴連續(xù)血糖監(jiān)測(cè)技術(shù)

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據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,醫(yī)療器械創(chuàng)業(yè)公司Biolinq近期宣布完成5800萬(wàn)美元融資,以支持其專(zhuān)有的皮下葡萄糖傳感器的研發(fā)工作,從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單易用的可穿戴連續(xù)血糖監(jiān)測(cè)。

2024-04-10 標(biāo)簽:葡萄糖傳感器硅芯片可穿戴設(shè)備 1899 0

高精度壓力傳感器—CYX12A產(chǎn)品介紹

在當(dāng)今科技日新月異的時(shí)代,傳感器已經(jīng)成為現(xiàn)代社會(huì)中不可或缺的一部分。無(wú)論是工業(yè)生產(chǎn)、智能家居、醫(yī)療保健還是環(huán)境監(jiān)測(cè),傳感器都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

2024-03-04 標(biāo)簽:壓力傳感器溫度補(bǔ)償工業(yè)控制 812 0

淺析“大芯片”的挑戰(zhàn)、模式和架構(gòu)

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在深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (DNN) 和科學(xué)計(jì)算日益普及的推動(dòng)下,云和邊緣平臺(tái)的利用率正在快速增長(zhǎng)[1], [2]。

2024-01-24 標(biāo)簽:晶圓晶體管人工智能 1528 0

東芝與羅姆投資27億美元聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片

近日,據(jù)路透社消息,東芝和羅姆表示,他們將投資 3883 億日元(27 億美元)聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。

2023-12-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)碳化硅硅芯片 791 0

氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,如通信、雷達(dá)...

2023-11-21 標(biāo)簽:氮化鎵漏電流硅芯片 8309 1

防物理攻擊,芯片是如何做到的?

防物理攻擊,芯片是如何做到的? 芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件,負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)。為了確保芯片的安全性,需要采取一系列防護(hù)措施來(lái)防范物理攻擊,包括防止物...

2023-11-07 標(biāo)簽:芯片制造硅芯片 1157 0

有史以來(lái)最快的半導(dǎo)體“超原子”能將芯片速度提升千倍

“超原子”(superatomic)材料已成為已知最快的半導(dǎo)體,并且可能導(dǎo)致計(jì)算機(jī)芯片的速度比當(dāng)今任何可用的任何產(chǎn)品快數(shù)百或數(shù)千倍。

2023-11-02 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體晶體管 1109 0

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硅芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)

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