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標(biāo)簽 > 硅芯片
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Sandia Labs發(fā)明一種硅上集成微光學(xué)器件的方法
據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,位于美國新墨西哥州阿爾伯克基的桑迪亞國家實驗室(Sandia Labs)的科學(xué)家開發(fā)出一種新型硅上集成微型激光器,并可以與其它微...
離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用
在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重?fù)诫s。
設(shè)計低能耗嵌入式系統(tǒng)第一部分硅芯片選擇
低能耗待機狀態(tài)使MCU看上去具有超高能效,但事實是,只有考慮了控制工作模式功耗的所有因素后才能決定MCU的能效狀況。
2015-07-22 標(biāo)簽:硅芯片 1058 0
1. 集成放大電路的基本概念 集成放大電路是一種使用集成電路技術(shù)實現(xiàn)的放大器,它將傳統(tǒng)的分立元件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一個小型的硅芯片上。這種...
專用集成電路(ASIC)設(shè)計流程是指將特定應(yīng)用需求轉(zhuǎn)化為硅芯片的過程。下面將詳細(xì)介紹ASIC設(shè)計流程,并進一步探討ASIC的特點。 一、ASIC設(shè)計流程...
2024-05-04 標(biāo)簽:邏輯電路ASIC設(shè)計硅芯片 964 0
在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中,“小型化的極限”一直被人們談?wù)?。正如上次提到的,尖端邏輯MOS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點值相匹配,可以說晶體管的小型化已經(jīng)...
CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,并...
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