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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2471個(gè) 瀏覽：49904次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      2022年開工第一天，派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案

      2022年開工第一天，派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案

      派恩杰半導(dǎo)體在此65W USB PD快充方案中， 在不更改任何驅(qū)動(dòng)參數(shù)條件下與傳統(tǒng)硅功率器件650V/125mohm進(jìn)行性能比較， 在滿載條件下完整展現(xiàn)...

      2022-02-08 標(biāo)簽：碳化硅USB PD派恩杰 1811 0

      碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

      碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

      摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

      2022-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅電沉積 1177 0

      碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

      碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

      引言 人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

      2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2281 0

      GaN 和 SiC 器件相似和差異

      GaN 和 SiC 器件相似和差異

      GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

      2021-11-17 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體器件 4926 0

      碳化硅功率晶體的設(shè)計(jì)發(fā)展及驅(qū)動(dòng)電壓限制

      碳化硅功率晶體的設(shè)計(jì)發(fā)展及驅(qū)動(dòng)電壓限制

      在硅材料的高壓超級(jí)結(jié)功率晶體中，磊晶層的通態(tài)電阻占總通態(tài)電阻的90%以上。

      2021-10-25 標(biāo)簽：碳化硅功率晶體管 1381 0

      碳化硅功率模塊建模

      碳化硅功率模塊建模

      2021-09-13 標(biāo)簽：碳化硅 1680 0

      確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度，有效測(cè)量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

      確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度，有效測(cè)量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

      在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測(cè)量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因?yàn)樗梢院翢o問題地添加到電路的任意節(jié)點(diǎn)中。

      2021-07-13 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)SiC碳化硅 2386 0

      碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

      碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

      使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機(jī)會(huì)使用這項(xiàng)技術(shù)，但工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)正獲得最大的興趣和關(guān)注。

      2021-07-04 標(biāo)簽：SiC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器碳化硅 2469 0

      又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

      又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

      碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里？

      2021-06-02 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 3113 0

      用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

      用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

      電池供電的便攜式設(shè)備越來越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級(jí)電容器。這些...

      2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1448 0

      碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

      碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

      為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)PFC、半無橋PFC、雙向無橋PFC和圖騰柱無橋PFC。

      2021-04-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車二極管安森美半導(dǎo)體 1857 0

      碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)

      碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)

      一個(gè)關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS（on）。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好，但由于其較低的倍增系數(shù)（κ），在100℃時(shí)，一個(gè)84mΩ的Coo...

      2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源碳化硅 1698 0

      英飛凌實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

      英飛凌實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

      以對(duì)稱的布板設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

      2021-02-21 標(biāo)簽：MOSFETIGBT碳化硅 5092 0

      分布式光伏發(fā)電逆變器的碳化硅應(yīng)用案例

      分布式光伏發(fā)電逆變器的碳化硅應(yīng)用案例

      消費(fèi)者、各行業(yè)及政府都在采取各項(xiàng)措施以增加對(duì)可再生能源的利用，這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的，支持本地發(fā)電的拓?fù)洌⑼ㄟ^...

      2020-12-14 標(biāo)簽：光伏發(fā)電分布式碳化硅 1641 0

      在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

      碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓（VF）是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對(duì)電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，很有機(jī)會(huì)在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時(shí)效...

      2020-12-14 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1203 0

      碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用

      碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極...

      2020-11-17 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅 6578 0

      SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

      碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

      2021-03-18 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 8214 0

      基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

      基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

      工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG...

      2021-04-06 標(biāo)簽：電磁干擾SiC氮化鎵 3702 0

      基于無芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器

      基于無芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動(dòng)器

      功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...

      2021-04-12 標(biāo)簽：變壓器MOSFET碳化硅 2592 0

      SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案

      SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案

      本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路，以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出，出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。

      2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET監(jiān)控電路SiC 6123 0

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        PFM
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        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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