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SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案

電子設(shè)計(jì) ? 來源:powerelectronicsnews ? 作者:Maurizio Di Paolo Emi ? 2021-04-23 11:28 ? 次閱讀
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碳化硅設(shè)備或設(shè)備因在不久的將來有可能在電力電子設(shè)備(特別是大功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用)中替代硅的傳統(tǒng)設(shè)備而聞名。1由于寬帶隙的可用性,高功率密度,較低的電阻和快速的開關(guān)頻率,所有這些都是可能的。高可靠性電源系統(tǒng)需要復(fù)雜,苛刻和復(fù)雜的條件和環(huán)境才能工作。經(jīng)歷故障的大多數(shù)情況是功率半導(dǎo)體故障的結(jié)果,2由于半導(dǎo)體器件中的溫度水平和變化會(huì)引起電路故障,因此建議對(duì)溫度進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋O(jiān)視,這將最終對(duì)下一代健康管理系統(tǒng)有所幫助。1準(zhǔn)閾值電壓已用于提取結(jié)溫。

準(zhǔn)閾值電壓作為TSEP

與MOS結(jié)構(gòu)相關(guān)的閾值電壓(Vth)是負(fù)責(zé)在器件中創(chuàng)建導(dǎo)電通道的最小柵極電壓,并且允許電流在漏極和源極之間流動(dòng)。圖1顯示,由于柵極驅(qū)動(dòng)器電壓(Vgs)的數(shù)量比閾值電壓低,在從t0到t1的導(dǎo)通過渡開始點(diǎn),漏極電流(Id)完全為零。已經(jīng)觀察到,當(dāng)Vgs到達(dá)t1時(shí),它會(huì)移動(dòng)到Vth。隨之,Id的值也會(huì)增加。在此,將準(zhǔn)閾值電壓的概念解釋為在導(dǎo)通過程中與t1的時(shí)間相對(duì)應(yīng)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓的值。4在圖1中顯示負(fù)溫度系數(shù)的結(jié)溫度升高時(shí),注意到t1的量減少了。兩個(gè)重要變量(例如閾值電壓和結(jié)溫度)之間的現(xiàn)有關(guān)系為改變,因?yàn)橛^察到Lss'上的電壓發(fā)生了變化。由于SiC MOSFET的開爾文源極和電源Lss'之間存在寄生電感,因此存在以同步方式突然升高電壓的高端可能性,該寄生電感最終將由電壓的上升反映出來。圖2顯示了四引腳SiC MOSFET的等效電路。

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圖1:導(dǎo)通期間的開關(guān)波形

pIYBAGB_86eALSzBAAFAumuoZFc192.png

圖2:等效電路

準(zhǔn)Vth測(cè)量電路及其工作原理

圖3顯示了完整的過程,通過新穎的方法提取準(zhǔn)確的準(zhǔn)Vth,取決于在電源端子和輔助電源端子之間接通電源驅(qū)動(dòng)時(shí)寄生電感上的電壓下降的時(shí)間。圖3的框圖清楚地顯示了測(cè)量電流的方法。

pIYBAGB_87WAa7LDAAIOEM4UdoY225.png

圖3:測(cè)量電路框圖

該圖所示的電路包括三個(gè)部分:

  • 驅(qū)動(dòng)部分
  • 比較部分
  • 采樣保持部分
  • 驅(qū)動(dòng)部分驅(qū)動(dòng)部分

的功能是通過切換到較大的驅(qū)動(dòng)電阻來測(cè)量準(zhǔn)Vth。SiC MOSFET由TMS320F28335產(chǎn)生的PWM信號(hào)隔離來驅(qū)動(dòng)。

比較部分

該部分負(fù)責(zé)將Vss'中存在的模擬脈沖轉(zhuǎn)換為邏輯信號(hào)。

采樣保持部分

差分放大器AMP1用于在接通瞬態(tài)階段之間獲得Vgs。

已經(jīng)注意到,通常在SiC MOSFET的Vgs之后是電容器C,而準(zhǔn)Vth由閉合的JFET保持。

實(shí)驗(yàn)裝置

圖4顯示了已經(jīng)為實(shí)驗(yàn)完成的測(cè)試。該實(shí)驗(yàn)由帶有雙脈沖測(cè)試電路,續(xù)流二極管,驅(qū)動(dòng)器環(huán)路和負(fù)載電感的被測(cè)設(shè)備組成。

pIYBAGB_8-KAMSnSAAC58zhJ7o0684.png

圖4:用于實(shí)驗(yàn)的等效電路

圖5顯示了要執(zhí)行的實(shí)驗(yàn)的完整設(shè)置。對(duì)于測(cè)試設(shè)備,已使用SiC MOSFET和TO-247。使用雙脈沖測(cè)試板安裝設(shè)備,熱量由J946溫度控制器提供,該溫度控制器實(shí)際上是對(duì)分立設(shè)備中閉環(huán)溫度的控制。圖6顯示了如何使用紅外熱像儀捕獲條狀芯片。

o4YBAGB_8_CAb8DvAAZJi98V_cE950.png

圖5:完整的實(shí)驗(yàn)設(shè)置

o4YBAGB_8_2AMsN8AAZMl96Is4Y695.png

圖6:結(jié)溫校準(zhǔn)設(shè)置

結(jié)果

結(jié)果表明,閾值電壓與結(jié)溫成線性關(guān)系。當(dāng)結(jié)從36°C升高到118°C時(shí),準(zhǔn)Vth改變0.358V。負(fù)載電流也從10 A改變?yōu)?8 A,結(jié)果表明電流變化的影響是幾乎可以忽略不計(jì),但是Vds(直流母線電壓)的影響更大。由于電容器Cgd,直流母線電壓的增加導(dǎo)致準(zhǔn)Vth的測(cè)量值變小,并且其值隨電壓從200 V增加到600 V而減小。

結(jié)論

本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路,以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫??梢钥闯觯鲇谟嗁徍吞幚頂?shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。該實(shí)驗(yàn)的最終結(jié)果表明,與準(zhǔn)Vth的結(jié)溫之間存在良好的靈敏度線性關(guān)系。在SiC MOSFET的雙脈沖測(cè)試下,溫度系數(shù)為–4.3mV /°C。負(fù)載電流不負(fù)責(zé)這項(xiàng)技術(shù),它直接與直流鏈路電壓相連,并且不影響上面提到的線性和靈敏度因素。所有數(shù)據(jù)均已從真實(shí)來源仔細(xì)收集。

參考文獻(xiàn)

1于恒宇,江希,陳建軍,王軍,沉正。一種新型的SiC MOSFET實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)測(cè)電路。

2H. Wang,M。Liserre和F. Blaabjerg,“邁向可靠的電力電子:挑戰(zhàn),設(shè)計(jì)工具和機(jī)遇”,IEEE工業(yè)電子雜志,第1卷?!?,第7卷,第2期,第17-26頁,2013年6月。

3P. Ghimire,S。Beczkowski,S。Munk-Nielsen,B。Rannestad和PBTh?gersen,“實(shí)時(shí)物理測(cè)量技術(shù)及其預(yù)測(cè)igbt磨損狀態(tài)的嘗試的綜述”,2013年第15屆歐洲會(huì)議關(guān)于電力電子和應(yīng)用(EPE),2013年9月,第1-10頁。

4B. J. Baliga,《功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》。紐約州:施普林格,2008年。

編輯:hfy

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