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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1...
2025-06-27 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅博世 196 0
傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命
傾佳電子:碳化硅功率器件革新混合逆變儲能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命? 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)變革,正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。 全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下,混合...
IPAC碳化硅直播季丨如何應(yīng)用CoolSiC? MOSFET設(shè)計高能效系統(tǒng)?
碳化硅直播季首場直播收獲了過萬的觀看量,“打鐵需趁熱”,第一期話題直直戳中了可靠性這個核心戰(zhàn)場,第二期就必須得火力全開,好好嘮嘮怎么把碳化硅的優(yōu)勢發(fā)揮到...
英飛凌新一代750V SiC MOSFET產(chǎn)品亮點
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù),可在Totem Pole、ANPC、Vie...
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的...
2025 OktoberTech?精彩回顧一: CoolSiC?碳化硅新品發(fā)布, 性能指標(biāo)領(lǐng)跑全行業(yè)
近日,英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會在上海順利落下帷幕。本次活動中,英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品,...
Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開關(guān)性能
面對大功率和高電壓應(yīng)用不斷增長的需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、...
2025-06-14 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)碳化硅 750 0
25 kW 雙向 T-型逆變器展示了 Wolfspeed 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 在光伏逆變器、不間斷電源 (U...
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其...
2025-06-10 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 151 0
“設(shè)計+量產(chǎn)”雙突破:經(jīng)緯恒潤與長飛先進(jìn)達(dá)成戰(zhàn)略合作,共推碳化硅模塊新能源汽車應(yīng)用
近日,經(jīng)緯恒潤與安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“長飛先進(jìn)”)順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來,雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域...
2025-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車碳化硅經(jīng)緯恒潤 441 0
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級
熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(Si...
2025-06-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 183 0
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 ...
2025-06-07 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 262 0
中國碳化硅功率半導(dǎo)體參與全球競爭的持久動力:“創(chuàng)新-制造-市場”三位一體
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商的發(fā)展路徑對國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體全球競爭的啟示 第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)作為未來功率電子產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)材料,正在...
2025-06-03 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 240 0
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)洗牌:SiC碳化硅MOSFET設(shè)計公司的批量淘汰
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計公司的批量淘汰,與其視為行業(yè)危機(jī),不如理解為市場機(jī)制的自我凈化——當(dāng)參數(shù)虛標(biāo)、低質(zhì)低價等亂象被清除,真正具備創(chuàng)新能力的企...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 109 0
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可復(fù)制的戰(zhàn)略框架與方向指引
國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)成功驗證了國產(chǎn)碳化硅企業(yè)從“替代進(jìn)口”到“全球競合”的可行路徑。隨著8英寸量產(chǎn)窗口臨近,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 99 0
中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“結(jié)硬寨,打呆仗”的破局之路
中國SiC產(chǎn)業(yè)從政策扶持、技術(shù)攻堅到資本賦能的縮影。其發(fā)展揭示了中國半導(dǎo)體企業(yè)的共性路徑:以IDM模式突破封鎖,以成本優(yōu)勢搶占市場,以資本耐力換取技術(shù)時...
2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 86 0
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析
從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實現(xiàn)顯著進(jìn)步,具體體...
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