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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性
在碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中,米勒鉗位功能至關(guān)重要,主要體現(xiàn)在以下幾個方面: 在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓?fù)?、光伏?..
2025瑞能半導(dǎo)體大中國區(qū)經(jīng)銷商大會成功舉辦
日前,2025瑞能半導(dǎo)體(大中國區(qū))經(jīng)銷商大會在歷史與科技完美交融的西安隆重舉行。大會以“瑞光照芯力·能量啟未來”為主題,匯聚了瑞能半導(dǎo)體布局大中國區(qū)的...
2025-04-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅瑞能半導(dǎo)體 279 0
隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實現(xiàn)低碳經(jīng)濟的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐...
2025-04-27 標(biāo)簽:功率器件碳化硅能源轉(zhuǎn)換 179 0
方正微電子亮相2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會
此前,2025年4月23日至25日,第三屆九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體博覽會(以下簡稱“CSE”)在武漢光谷科技會展中心舉行,作為國內(nèi)碳化硅三代半IDM的代...
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,憑借其高功率密度、優(yōu)異的耐高溫性能和高效的功率轉(zhuǎn)換能力,在新能源汽車、5G通信、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)...
SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關(guān)與卓越熱管理
近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計,具備...
佳訊電子:碳化硅整流橋技術(shù)引領(lǐng)高壓高效能新時代
隨著電力電子設(shè)備向高壓、高頻、高溫環(huán)境快速演進(jìn),傳統(tǒng)硅基整流橋已難以滿足嚴(yán)苛的性能需求。作為國內(nèi)領(lǐng)先的功率器件供應(yīng)商,廣東佳訊電子有限責(zé)任公司憑借自主研...
全社會都在積極推動低碳化轉(zhuǎn)型,而低碳化的背后其實是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中,相比于從前,一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費的...
2025-04-23 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅能源轉(zhuǎn)換 286 0
納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù),經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計和驗證,適用...
2025-04-22 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅納微半導(dǎo)體 247 0
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器...
此前,2025年4月15日-17日,全球電子行業(yè)矚目的2025上海慕尼黑電子展(electronica China)在上海新國際博覽中心盛大啟幕。
傾佳電子提供SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案
SiC碳化硅MOSFET正負(fù)壓驅(qū)動供電與米勒鉗位解決方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商柵氧可靠性危機與破局分析
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在充電樁和車載OBC(車載充電機)等領(lǐng)域出現(xiàn)柵氧可靠性問題后,行業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。面對國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠家柵氧可靠...
終端用戶去美國化的趨勢下國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)自立自強的策略分析
在終端用戶半導(dǎo)體全面去美國化的趨勢下,國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)需以產(chǎn)品質(zhì)量為核心,突破技術(shù)壁壘、重構(gòu)產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)、強化標(biāo)準(zhǔn)與認(rèn)證體系,并摒棄短視投...
全SiC碳化硅家用單相光伏逆變器設(shè)計方案(基于B3M040065Z和B3D20065H)
家用全SiC碳化硅單相光伏逆變器設(shè)計方案(基于B3M040065Z和B3D20065H) 1. 系統(tǒng)架構(gòu) 輸入:光伏板直流輸入(假設(shè)電壓范圍:100-4...
2025年第一季度,南京芯干線科技以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動力,在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費電子快充、高端音響電源及商用儲能領(lǐng)域連破壁壘,成功打入多個全球...
2025-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體碳化硅 418 0
你是否曾好奇,每輛智能電動汽車的背后,究竟隱藏著怎樣的科技奧秘?在車展的萬千精彩背后,有一個決定未來出行體驗的“幕后主角”——半導(dǎo)體。它是汽車世界背后的...
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)披露了全球制造布局重塑計劃細(xì)節(jié),進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計劃。2024年10月,意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項覆蓋全公司的計劃,擬進(jìn)一...
2025-04-18 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體人工智能碳化硅 210 0
中國電源逆變器變流器廠家徹底拋棄美系SiC碳化硅功率器件的底氣何來
中國電源逆變器及變流器廠家能夠徹底拋棄美系SiC碳化硅功率器件,其底氣源于技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈自主化、成本優(yōu)勢、政策支持及市場需求等多重因素的協(xié)同作用。以下...
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷發(fā)展,尤其是在電力電子領(lǐng)域,寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)異的物理性能...
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