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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

盤點國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè) 碳化硅上市公司龍頭企業(yè)分析

碳化硅概念股有哪些?碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些?國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點分析:英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdS...

2018-12-06 標(biāo)簽:英飛凌半導(dǎo)體功率器件 13.9萬 0

富昌電子SiC設(shè)計分享(二):碳化硅器件驅(qū)動設(shè)計之寄生導(dǎo)通問題探討

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2022-06-16 標(biāo)簽:富昌電子SiC驅(qū)動設(shè)計 10.9萬 0

啥是碳化硅(SiC)?SiC和Si性能大比拼

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SiC在天然環(huán)境下非常罕見,最早是人們在太陽系剛誕生的46億年前的隕石中,發(fā)現(xiàn)了少量這種物質(zhì),所以它又被稱為“經(jīng)歷46億年時光之旅的半導(dǎo)體材料”。

2019-07-24 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 9.1萬 0

三種碳化硅的主要制備方法

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目前碳化硅單晶的制備方法主要有:物理氣相傳輸法(PVT);頂部籽晶溶液生長法(TSSG);高溫化學(xué)氣相沉積法(HT-CVD)。其中TSSG法生長晶體尺寸...

2020-11-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 3.6萬 0

碳化硅晶圓生長,難在哪里?

相較于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能優(yōu)勢十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優(yōu)勢卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模,主要的原因就出在...

2018-10-10 標(biāo)簽:晶圓碳化硅 2.9萬 0

一文了解碳化硅和氮化鎵

上世紀(jì)五十年代以來,以硅(Si)材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路(IC)為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而,由于硅材料的帶隙較...

2021-03-01 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體SiC 2.5萬 0

小米發(fā)布GaN充電器,2020年將是GaN的起飛之年

2月13日,小米舉辦的小米10線上發(fā)布會上,除了手機(jī),還發(fā)布了一款氮化鎵功率器件的65W充電器。近期更是傳言蘋果也將推出65W的GaN充電器。如果再有蘋...

2020-02-22 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅小米 2.4萬 0

碳化硅MOSFET器件的特性優(yōu)勢與發(fā)展瓶頸!

  碳化硅功率器件近年來越來越廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域,受到大家的喜愛,不斷地推陳出新,大量的更高電壓等級、更大電流等級的產(chǎn)品相繼推出,市場反應(yīng)碳化硅元器件的...

2017-12-13 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 2.3萬 0

盤點第三代半導(dǎo)體性能及應(yīng)用

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近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計劃重點支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)”項目驗收會。通過項目的實施,我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳...

2018-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.1萬 0

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

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經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外,經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提,很明顯 WBG 技術(shù)是...

2022-08-08 標(biāo)簽:氮化鎵GaN碳化硅 1.9萬 0

一文了解碳化硅(SiC)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及生長技術(shù)

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SiC 是一種二元化合物,其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?,這個間距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻機(jī)光刻精度3nm,就是30?的距離,光刻...

2024-01-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.9萬 0

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gat...

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投資4億元的寬禁帶工程研究中心,研發(fā)成果有哪些?

在材料方面,除了硅基,第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù),我國除了在硅基方面進(jìn)行追趕外,在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入,有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽:射頻氮化鎵碳化硅 1.9萬 1

第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究報告:市場空間、未來展望、產(chǎn)業(yè)鏈深度梳理

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近年來,隨著5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長,硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯,如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速...

2024-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體檢測SiC 1.8萬 0

關(guān)于國內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商介紹

司擁有國際先進(jìn)的德國愛思強(qiáng)MOCVD外延爐及外延表征設(shè)備、6英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線、晶圓在片檢測系統(tǒng)、可靠性測試系統(tǒng)和應(yīng)用開發(fā)系統(tǒng)。在電力電子領(lǐng)域,...

2019-08-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.8萬 0

為何一個小改變就可以讓電源的整體系統(tǒng)效率提升至98%?

任何電子產(chǎn)品都離不開電源,隨著各個國家和地區(qū)能源標(biāo)準(zhǔn)的提升和用戶環(huán)保意識的增強(qiáng),對電源效率的要求越來越高。產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的公司和工程師們?yōu)榱颂嵘娫葱?,減少...

2020-05-02 標(biāo)簽:英飛凌數(shù)據(jù)中心SiC 1.7萬 0

碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢?

碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢?

文章來源:電子技術(shù)設(shè)計 作者:廖均 電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場主流,但SiC與GaN器...

2020-10-16 標(biāo)簽:電動汽車電源SiC 1.7萬 0

三安集成:6英寸車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計在2021年實現(xiàn)量產(chǎn)

葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案;本次慕尼黑上海電子展上重點展示的產(chǎn)品和服務(wù);SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況,以及三安集成在...

2020-07-13 標(biāo)簽:氮化鎵射頻芯片碳化硅 1.5萬 0

國產(chǎn)碳化硅最新進(jìn)展,功率IDM龍頭低調(diào)入場!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)碳化硅SiC是寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表,具有高禁帶寬度、高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性,成為制作高溫、高頻和大功率電力電...

2020-06-18 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體華潤微電子碳化硅 1.5萬 0

基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT(混合碳化硅分立器件)

基本半導(dǎo)體推出了一種混合式IGBT(混合碳化硅分立器件)

傳統(tǒng)電力電子應(yīng)用中,IGBT的續(xù)流二極管一般以硅基FRD(快恢復(fù)二極管)為主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的開通和關(guān)斷行為的潛力,對開關(guān)損耗是很大的拖累。

2024-05-30 標(biāo)簽:IGBT肖特基二極管碳化硅 1.5萬 0

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