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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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2025年功率半導(dǎo)體行業(yè):五大關(guān)鍵趨勢(shì)洞察
趨勢(shì)一:碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)宛如兩顆冉冉升起的新星,正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格...
2025-01-08 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)數(shù)據(jù)中心功率半導(dǎo)體 3308 0
安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)
此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書(shū)第二部分,將重點(diǎn)介紹碳...
MG400Q2YMS3 碳化硅 N 溝道 MOSFET 模塊解析:特點(diǎn)與應(yīng)用
隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展,功率電子器件在能源轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N...
基于SiC碳化硅的雙向儲(chǔ)能變流器PCS設(shè)計(jì)
隨著雙向儲(chǔ)能變流器(PCS)朝著高電壓、高效率的趨勢(shì)發(fā)展,SiC器件在雙向PCS中開(kāi)始應(yīng)用。SiC的PCS主電路拓?fù)洳捎每梢杂行Ы档筒⒕W(wǎng)電流諧波的T型三...
天域半導(dǎo)體IPO:國(guó)內(nèi)碳化硅外延片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)2024年12月,天域半導(dǎo)體的港交所主板IPO申請(qǐng)獲受理。2023年6月,天域半導(dǎo)體向深交所提交上市申請(qǐng),但在2024年8...
破產(chǎn)、并購(gòu)、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤(pán)點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)剛剛過(guò)去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來(lái)了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車(chē)市場(chǎng)進(jìn)一步滲透的同時(shí),數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人...
2025-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0
晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容——晶型控制與襯底缺陷
晶體生長(zhǎng)在分析晶體生長(zhǎng)時(shí),我們需要考慮多個(gè)關(guān)鍵因素,這些因素共同影響著晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和進(jìn)程。本文介紹了晶體生長(zhǎng)相關(guān)內(nèi)容,包括:雜對(duì)晶格硬度變化影響、碳化...
全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)和自主可控!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)和自主可控! 為什么在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)...
隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國(guó)都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線(xiàn)。如中國(guó),多地都有相關(guān)大...
2024-12-27 標(biāo)簽:基座碳化硅第三代半導(dǎo)體 571 0
萬(wàn)年芯:半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代浪潮,機(jī)遇與挑戰(zhàn)的“加速跑”
半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石,從智能手機(jī)、電腦、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品,到汽車(chē)、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域,其重要性不言而喻。近年來(lái),中國(guó)半...
英飛凌:30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù),成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴
2024年,全球極端天氣頻發(fā),成為有氣象記錄以來(lái)最熱的一年,颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下,推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型,提升發(fā)展的“綠色含量”已...
基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用
近日,由國(guó)家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進(jìn)高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會(huì)在深圳隆重召開(kāi)。其中,基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)...
納米銀燒結(jié)技術(shù):SiC半橋模塊的性能飛躍
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。尤其在雷達(dá)...
2024-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 1500 0
安森美收購(gòu)碳化硅JFET技術(shù),強(qiáng)化AI數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品組合
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司安森美(onsemi)宣布了一項(xiàng)重大收購(gòu)計(jì)劃,已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,將以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Si...
突發(fā)!涉及碳化硅襯底材料,美國(guó)拜登政府對(duì)中國(guó)生產(chǎn)的成熟制程半導(dǎo)體進(jìn)行301貿(mào)易審查
原創(chuàng) 微安 碳化硅芯觀察 當(dāng)?shù)貢r(shí)間2024年12月23日,美國(guó)白宮網(wǎng)站發(fā)布簡(jiǎn)報(bào)稱(chēng),美國(guó)拜登-哈里斯政府對(duì)中國(guó)生產(chǎn)的成熟制程半導(dǎo)體,基于《貿(mào)易法》301條...
SiC市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望
2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅(SiC)卻迎來(lái)一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)...
中車(chē)時(shí)代電氣助力廣州地鐵綠智城軌列車(chē)發(fā)布
近日,搭載公司牽引、輔助、網(wǎng)絡(luò)三大系統(tǒng)的廣州地鐵12號(hào)線(xiàn)綠智城軌列車(chē)在廣州中車(chē)正式下線(xiàn)發(fā)布。
本文主要介紹??????自蔓延法合成碳化硅的關(guān)鍵控制點(diǎn)。?? ???? 合成溫度:調(diào)控晶型、純度與粒徑的關(guān)鍵因素 在改進(jìn)的自蔓延合成法中,溫度起著決定性...
瑞能半導(dǎo)體榮獲“中國(guó)SiC Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱(chēng)號(hào)
近日,由半導(dǎo)體行業(yè)知名媒體與研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的「2024行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)典禮在深圳盛大舉行。經(jīng)過(guò)專(zhuān)家組委會(huì)和眾多行業(yè)人士的投票評(píng)選,瑞能半導(dǎo)...
2024-12-20 標(biāo)簽:SiC碳化硅瑞能半導(dǎo)體 835 0
突破極限:化合物半導(dǎo)體與EDA的協(xié)同進(jìn)化之路
在全球科技快速發(fā)展的今天,電子器件正朝著更高速、更高功率和更小尺寸的方向不斷邁進(jìn)。傳統(tǒng)的硅基技術(shù)雖然在過(guò)去幾十年中取得了巨大成功,但在面對(duì)新興應(yīng)用如5G...
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