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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體材料的發(fā)展日新月異。碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下的卓越性能，正逐漸成為電子器件領(lǐng)域的重要材...

2024-11-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電子器件半導(dǎo)體材料 838 0

碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用碳化硅在汽車(chē)工業(yè)中的應(yīng)用

碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 1. 太陽(yáng)能光伏碳化硅材料在太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域主要應(yīng)用于制造高性能的太陽(yáng)能電池。由于其高熱導(dǎo)率和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，碳化硅可以作為...

2024-11-29 標(biāo)簽：新能源轉(zhuǎn)換器機(jī)械 1125 0

碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì)，其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分...

2024-11-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光伏碳化硅 924 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域碳化硅（SiC），作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：...

2024-11-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體材料碳化硅 5318 0

碳化硅外延技術(shù)：解鎖第三代半導(dǎo)體潛力

碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的...

2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體封裝碳化硅 1509 0

安森美三大碳化硅解決方案賦能電動(dòng)汽車(chē)充電效率提升

習(xí)慣能在5分鐘內(nèi)完成能量補(bǔ)給的燃油車(chē)車(chē)主們，難免會(huì)對(duì)新能源汽車(chē)產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車(chē)的充電時(shí)間和續(xù)航能力。然而，隨著充電技術(shù)的不斷提升，特...

2024-11-26 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)安森美安富利 756 0

PI亮相2024德國(guó)慕尼黑電子展

在剛剛結(jié)束的德國(guó)慕尼黑電子展（electronica Munich）上，PI 展出了其最新的1700V InnoMux-2產(chǎn)品。這款產(chǎn)品是業(yè)界首款170...

2024-11-26 標(biāo)簽：PI 氮化鎵碳化硅 697 0

碳化硅SiC在光電器件中的使用

碳化硅的基本特性碳化硅是一種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體，具有以下特性：寬帶隙：SiC的帶隙寬度約為3.26eV，遠(yuǎn)大于硅（Si）的1.12eV，這...

2024-11-25 標(biāo)簽：探測(cè)器光電器件 SiC 1738 0

碳化硅SiC在電動(dòng)車(chē)中的應(yīng)用

碳化硅（SiC）在電動(dòng)車(chē)中的應(yīng)用主要集中在電力電子系統(tǒng)方面，以下是對(duì)其在電動(dòng)車(chē)中具體應(yīng)用的分析：一、電動(dòng)車(chē)充電設(shè)備在電動(dòng)車(chē)充電設(shè)備中，碳化硅主要用于...

2024-11-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電動(dòng)車(chē)電子系統(tǒng) 1518 0

碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

碳化硅（SiC）在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色，這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對(duì)碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析：一、高溫穩(wěn)定性碳化硅具有極高的熔點(diǎn)...

2024-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 碳化硅 2356 0

碳化硅SiC制造工藝詳解碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

碳化硅SiC制造工藝詳解碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟，以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹：原材料選擇與預(yù)處理...

2024-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 4380 0

碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

隨著科技的不斷進(jìn)步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅（SiC）作為...

2024-11-25 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料 SiC 1877 0

碳化硅SiC材料應(yīng)用碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...

2024-11-25 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體器件碳化硅 2005 0

5步法克服碳化硅制造挑戰(zhàn)

幾十年來(lái)，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無(wú)處不在。然而，隨著汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限...

2024-11-21 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 588 0

半導(dǎo)體行業(yè)加速?lài)?guó)產(chǎn)替代，萬(wàn)年芯多種產(chǎn)品受關(guān)注

近期，有半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)高級(jí)專(zhuān)家預(yù)計(jì)，到2030年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望增長(zhǎng)到萬(wàn)億美元級(jí)別，業(yè)內(nèi)國(guó)產(chǎn)化空間巨大。這歸因于國(guó)際芯片行業(yè)劇變、國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求旺盛...

2024-11-20 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體碳化硅 740 0

碳化硅襯底，進(jìn)化到12英寸！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅...

2024-11-21 標(biāo)簽：碳化硅 4099 0

Qorvo SiC JFET推動(dòng)固態(tài)斷路器革新

Qorvo推出了一款750V、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）產(chǎn)品；其采用緊湊型無(wú)引腳表面貼裝（TOLL）封裝，可帶來(lái)卓越的斷...

2024-11-15 標(biāo)簽：JFET 斷路器 SiC 735 0

2024年意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)精彩回顧

???????? 展示工業(yè)技術(shù)產(chǎn)品和解決方案的頂級(jí)行業(yè)盛會(huì)——2024年意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)已經(jīng)圓滿(mǎn)閉幕。意法半導(dǎo)體和技術(shù)合作伙伴帶來(lái)了令人耳目一新的...

2024-11-13 標(biāo)簽：ST 意法半導(dǎo)體碳化硅 1123 0

基本半導(dǎo)體榮獲禾望電氣“最佳合作獎(jiǎng)”

近日，基本半導(dǎo)體憑借卓越的產(chǎn)品性能和出色的服務(wù)能力，成功榮獲深圳市禾望電氣股份有限公司（股票代碼：603063）頒發(fā)的2023年度“最佳合作獎(jiǎng)”。這一榮...

2024-11-13 標(biāo)簽：光伏碳化硅基本半導(dǎo)體 1035 0

產(chǎn)業(yè)革命？液相法制備碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)交付！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）去年7月，電子發(fā)燒友曾報(bào)道了天岳先進(jìn)展示了一種采用新的SiC晶體制備技術(shù)——液相法制備的低缺陷8英寸晶體。在今年4月底的2...

2024-11-13 標(biāo)簽：碳化硅 4290 0

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