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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著全球汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型，碳化硅（SiC）功率器件以其優(yōu)越的性能，正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動(dòng)汽車（EV...

2025-05-29 標(biāo)簽：汽車電子功率器件碳化硅 397 0

Wolfspeed助力捷豹TCS車隊(duì)征戰(zhàn)2025 FE電動(dòng)方程式上海站

2025 年 ABB 國(guó)際汽聯(lián)電動(dòng)方程式世界錦標(biāo)賽上海站將于 2025 年 5月 31 日 - 6 月 1 日舉行第 10 輪和第 11 輪比賽。11 ...

2025-05-29 標(biāo)簽：捷豹碳化硅 Wolfspeed 391 0

青銅劍技術(shù)亮相第九屆電氣化交通前沿技術(shù)論壇

此前，5月22-24日，第九屆電氣化交通前沿技術(shù)論壇在秦皇島成功舉辦。青銅劍技術(shù)攜功率器件驅(qū)動(dòng)整體解決方案精彩亮相，全面展示了公司在驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與...

2025-05-28 標(biāo)簽：功率器件碳化硅青銅劍科技 500 0

2025年FE電動(dòng)方程式世界錦標(biāo)賽重返上海

在去年FE上海站收獲巨大成功后，F(xiàn)E電動(dòng)方程式將在下周重返上?！?月31日至6月1日，上海國(guó)際賽車場(chǎng)將再次迎來兩回合的激烈的較量。

2025-05-27 標(biāo)簽：碳化硅快充電動(dòng)方程式 466 0

Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變

近日，行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)下的洗牌趨勢(shì)，也凸顯中國(guó)供應(yīng)鏈的快速崛起對(duì)傳統(tǒng)巨頭的...

2025-05-26 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 412 0

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊，賦能盤式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢(shì)，成為理想選擇?；景雽?dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008...

2025-06-19 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 177 0

SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案：基本BTP1521P電源芯片

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET...

2025-06-19 標(biāo)簽：MOSFET 電源管理碳化硅 191 0

基本碳化硅B3M040120Z在40KW充電樁電源模塊中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET...

2025-06-19 標(biāo)簽：電源模塊充電樁碳化硅 157 0

BASiC基本公司SiC MOSFET碳化硅功率模塊在商空熱泵中的技術(shù)應(yīng)用

隨著全球?qū)δ茉葱逝c低碳技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)，商空熱泵(Commercial HVAC)作為大型建筑供暖、通風(fēng)與空調(diào)系統(tǒng)的核心設(shè)備，亟需更高性能的功率器件...

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國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。

2025-06-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 220 0

碳化硅MOSFET全橋模塊在出口型高端逆變焊機(jī)中的應(yīng)用技術(shù)優(yōu)勢(shì)

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET...

2025-06-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅逆變焊機(jī) 179 0

新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板

新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源...

2025-05-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板碳化硅 485 0

東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“T...

2025-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 東芝 SiC 380 0

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)碳化硅崛起：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落：技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯作為...

2025-05-21 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 387 0

英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

本文是作者2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿第二部分，第一部分請(qǐng)見《英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述（一）》。英飛...

2025-05-19 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體碳化硅 210 0

芯長(zhǎng)征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)

此前，2025年5月14日至15日，第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)（AEIF 2025）在上海盛大舉行，這場(chǎng)盛會(huì)聚焦汽車電子產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì)，匯聚了眾...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 412 0

碳化硅芯片正在占領(lǐng)電動(dòng)汽車市場(chǎng)

在純電動(dòng)汽車的眾多電子系統(tǒng)中，功率電子設(shè)備是核心所在，而半導(dǎo)體在其能源管理中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，確保能源的高效使用。由碳化硅制成的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...

2025-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管碳化硅 389 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率...

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怎么制備半導(dǎo)體晶圓片切割刃料？

半導(dǎo)體晶圓片切割刃料的制備是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程，以下是一種典型的制備方法：一、原料準(zhǔn)備首先，需要準(zhǔn)備高純度的原料，如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具...

2025-05-18 標(biāo)簽：晶圓碳化硅 123 0

SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級(jí)的技術(shù)革新

在“雙碳”目標(biāo)推動(dòng)下，商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開關(guān)頻率，難以滿足高效、高頻、高溫場(chǎng)景的嚴(yán)苛要求。碳化硅...

2025-05-17 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 193 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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