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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業(yè)設備的高效率和小型化
中國上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOS...
下一代平臺將為數(shù)據(jù)中心、太陽能、電動汽車、家電及工業(yè)市場設定新標桿
半導體有良好的導電性嗎? 半導體是指一類具有介于導體和絕緣體之間的電學特性的物質(zhì),其導電性介于金屬導體和非金屬絕緣體之間。半導體材料通常是由含有補償雜質(zhì)...
igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gat...
碳化硅外延片全球首個SEMI國際標準發(fā)布,瀚天天成主導
國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(semi)正式公布了世界最早的“碳化硅半導體外延晶片全球首個semi國際標準——《4H-SiC同質(zhì)外延片標準》 (specifica...
天岳先進、天科合達正加快8英寸SiC產(chǎn)能建設,滿足客戶需求
8月,天科合達開工建設位于徐州的碳化硅二期擴大生產(chǎn)工程,總投資8.3億元。該項目投入生產(chǎn)后,每年有16萬個碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力。該公司已經(jīng)6英寸和8英寸...
光學頻段碳化硅極化激元超透鏡為光學成像發(fā)展提供新思路
我國科學家參與的一項研究借助多頻率組合復頻波激發(fā)方法,成功將原有的成像分辨率由照明波長十分之一提升至百分之一,因而可將中紅外超透鏡的空間分辨率提升至百納...
在未來五年內(nèi),英飛凌將再投入多達50億歐元進行居林第三廠區(qū)(Module Three)的二期建設。到2030年末,這項投資再加上計劃在菲拉赫與居林工廠的...
車規(guī)級!碳化硅(SiC)MOSFET,正式開啟量產(chǎn)交付
據(jù)介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅動電壓(Vgs)為15-18V,可提升應用兼容性,簡化應用系統(tǒng)設計。在產(chǎn)品結構上,第二代SiC M...
MUSiC通過國家研究所允許聯(lián)邦政府、企業(yè)和大學開發(fā)目前無法使用的硅電石半導體模型。碳化硅是比基本硅芯片性能更好的半導體,可以在極端環(huán)境下工作。在新工廠...
據(jù)披露,此次合作,緯湃科技將持續(xù)投入固定資產(chǎn)12億元,在天津開啟新一輪新能源汽車核心產(chǎn)品的投資,包括碳化硅功率模塊、800伏定轉子、三合一電動軸驅系統(tǒng)、...
超20個半導體項目在列,江蘇省科技成果轉化專項資金擬立項目公示
上榜項目包括長光華芯的“半導體激光芯片開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”、天科合達的“第三代碳化硅板開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”、通富微電的“高性能計算芯片高密度封裝技術開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等...
瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品
瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC ...
晶升股份上半年凈利潤同比增長447%,獲國內(nèi)大客戶重復和批量訂單
具體來看,晶升股份自主研發(fā)的核心技術,形成了廠商及碳化硅硅芯片chende覆蓋國內(nèi)龍頭企業(yè)或與主流客戶滬硅產(chǎn)業(yè)(上海新昇)、立昂微(金瑞泓)、神工股份、...
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