未來(lái)市場(chǎng)格局充滿變數(shù) 小規(guī)模碳化硅供應(yīng)鏈難題未解

中國(guó)規(guī)模較小的碳化硅（SiC）供應(yīng)鏈參與者將發(fā)現(xiàn)2023年是其相對(duì)艱難的一年。

2023-02-13 標(biāo)簽：SiC碳化硅 1781 0

碳化硅芯片正成為車企爭(zhēng)相綁定的“寵兒

縱觀整個(gè)SiC芯片市場(chǎng)，主要的碳化硅芯片制造商包括英飛凌、安森美、羅姆、意法半導(dǎo)體（STM）和Wolfspeed，無(wú)疑，這些SiC芯片供應(yīng)商正成為車企爭(zhēng)...

2023-02-13 標(biāo)簽：碳化硅SiC功率元件 1775 0

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料，由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，除了寬禁帶的特點(diǎn)外，碳化硅半導(dǎo)...

2023-02-12 標(biāo)簽：電源充電逆變器 1550 0

碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵的區(qū)別在哪里？

硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米。 硅基氮化鎵器件...

2023-02-12 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 2608 0

碳化硅基氮化鎵GaN-on-SiC為5G鋪平道路

許多人可能認(rèn)為，既然 5G 已經(jīng)開(kāi)始鋪開(kāi)，那么4G 技術(shù)也即將退出歷史舞臺(tái)。但這絕不是事實(shí)，因?yàn)槿杂杏?jì)劃為許多使用較老的 3G／4G 技術(shù)的地區(qū)提供 4...

2023-02-10 標(biāo)簽：功率放大器碳化硅5G 845 0

碳化硅主要的四大應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅主要有四大應(yīng)用:功能陶瓷、高級(jí)耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應(yīng)，不能算高新技術(shù)產(chǎn)品，而技術(shù)含量極高的納米級(jí)碳化硅粉體的應(yīng)用短時(shí)間不...

2023-02-09 標(biāo)簽：納米碳化硅jfet器件 5094 0

又一SiC功率器件公司獲超億元融資！

2022年3月，昕感科技完成超億元A輪融資，由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投，博裕資本、水木清華校友基金、海南贏璽投資有限公司、北京锎瀾投資管理有限公司參與融資。融資主要...

2023-02-09 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 979 0

2023年SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)需求將劇增？

這家美國(guó)制造商稱，這兩款設(shè)備的功率分別為200kW和400kW，得益于SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率是硅IGBT的20倍，SiC組件為 400 kW 逆...

2023-02-07 標(biāo)簽：SiC碳化硅太陽(yáng)能逆變器 932 0

碳化硅功率半導(dǎo)體廠商瞻芯電子入選投中2022年度銳公司榜單

2月2日，知名投資界媒體投中網(wǎng)發(fā)布了2022年度“投中·銳公司100”榜單，瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供，從企業(yè)外部關(guān)注度、產(chǎn)業(yè)協(xié)同性以及...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 900 0

意法半導(dǎo)體CEO：計(jì)劃2023年投資40億美元增加碳化硅產(chǎn)能

技術(shù)方面，意法半導(dǎo)體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術(shù)合作達(dá)成協(xié)議。意法半導(dǎo)體希望通過(guò)此次合作，使其未來(lái)200mm晶圓生產(chǎn)可以采用Soitec的Smar...

2023-02-06 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體碳化硅 1121 0

碳化硅半導(dǎo)體與行業(yè)的未來(lái)！

雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初，但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開(kāi)始真正獲得關(guān)注。正是在這一點(diǎn)上，它首次用于肖特基二極管...

2023-02-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 1363 0

碳化硅與氮化鎵器件的特點(diǎn)差異

　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 2074 0

碳化硅半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

20世紀(jì)50年代以來(lái)，以硅（Si）材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管，導(dǎo)致以集成電路（IC）為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而，由于硅材料的窄...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器碳化硅 757 0

碳化硅與氮化鎵器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

　　幾十年來(lái)，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復(fù)合半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)，具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的財(cái)產(chǎn)。例如，利用化合物半導(dǎo)體，開(kāi)發(fā)了...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 707 0

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC碳化硅 5481 0

碳化硅供需失衡將成為長(zhǎng)期現(xiàn)象

可以看出在SiC襯底方面，ON Semiconductor有GTAT，ST有Norstel，Rohm有SiCrystal，Wolfspeed自己生產(chǎn)Si...

2023-02-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌碳化硅 538 0