Littelfuse將在2016年P(guān)CIM Europe展會(huì)上展示“保護(hù)，控制，傳感”市場(chǎng)應(yīng)用解決方案

　　中國(guó)，北京，2016年5月12日訊 - Littelfuse公司作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，將出席2016年5月10-12日在德國(guó)紐倫堡舉行的2...

2016-05-10 標(biāo)簽：二極管碳化硅硅IGBT技術(shù) 635 0

CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅（ SiC ）智能功率模塊

　　比利時(shí)，蒙-圣吉貝爾—— 2016 年 4 月 15 日。高溫及長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布，向 Thales Avion...

2016-04-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器CISSOID功率模塊 2124 0

SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)

日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?...

2015-09-06 標(biāo)簽：功率模塊碳化硅CAS300M12BM2 1663 0

新一代功率半導(dǎo)體：多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)...

2014-02-04 標(biāo)簽：晶體管功率半導(dǎo)體碳化硅 1648 0

我國(guó)第三代半導(dǎo)體首次實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn)，在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出，這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。

2014-01-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 1065 0

電力電子上下游產(chǎn)業(yè)齊聚PEC西安站活動(dòng)

由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦、上海鷹峰電子科技有限公司、英國(guó)Amantys、羅杰斯贊助的PEC-電力電子峰會(huì)西安站將于2013年1...

2013-11-25 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 1300 0

電力電子行業(yè)專家領(lǐng)導(dǎo)齊聚蘇州，共話行業(yè)發(fā)展新方向

由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站將于10月25-26號(hào)蘇州會(huì)議中心拉開序幕。此次PEC-電力電子峰會(huì)蘇州站...

2013-10-23 標(biāo)簽：新能源汽車氮化鎵碳化硅 846 0

我國(guó)第3代半導(dǎo)體被壟斷 國(guó)防所需受限

由于我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)研究領(lǐng)域起步較晚，目前在材料的自主制備上仍面臨難關(guān)。同時(shí)，我國(guó)對(duì)基礎(chǔ)的材料問題關(guān)注度不夠；一旦投入與支持的力度不夠，相關(guān)人...

2013-08-16 標(biāo)簽：LED照明碳化硅MOCVD設(shè)備 2033 2

功率電子元件市場(chǎng)走俏，日廠商聯(lián)手搶攻

隨著市場(chǎng)對(duì)混合動(dòng)力/電動(dòng)車的需求不斷增加，晶片產(chǎn)業(yè)對(duì)功率電子元件市場(chǎng)的期望也越來越高；市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IHS 指出，來自電源供應(yīng)器、太陽光電逆變器（PV）...

2013-08-05 標(biāo)簽：元器件氮化鎵碳化硅 1245 0

Mouser推出Cree公司的業(yè)界首款1200V高頻碳化硅半電橋模塊

Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個(gè)半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特...

2013-06-05 標(biāo)簽：MouserCree碳化硅 1499 0

羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組

日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等變流器/轉(zhuǎn)換器的碳化硅MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。

2013-01-30 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅羅姆 1512 0

Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅標(biāo)準(zhǔn)功率模塊

Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬...

2013-01-25 標(biāo)簽：Microsemi功率模塊碳化硅 1293 0

何時(shí)應(yīng)對(duì)寬能帶隙材料時(shí)代？

對(duì)于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡(jiǎn)單地說，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能，這種性能提...

2012-11-26 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1458 0

美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200V肖特基二極管

美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列

2012-11-22 標(biāo)簽：肖特基二極管美高森美碳化硅 1383 0

飛兆半導(dǎo)體發(fā)布適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)方案

全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC...

2012-11-22 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換碳化硅 1249 0

未來的材料寵兒“碳化硅”和“氮化鎵”

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力...

2012-11-21 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 9872 0

快捷半導(dǎo)體的碳化硅解決方案提高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠度

致力于實(shí)現(xiàn)更高功率密度，符合嚴(yán)格的效能法規(guī)及系統(tǒng)正常工作時(shí)間需求，工業(yè)應(yīng)用及電力電子設(shè)計(jì)者在其設(shè)計(jì)中面臨不斷降低功率損耗及提高效率方面的挑戰(zhàn)。 然而，在...

2012-11-21 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換碳化硅快捷半導(dǎo)體 1346 0

國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片廈門造 能減少75%的能耗

　　你可能不知道，采用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體材料制作的電力芯片能減少75%的能耗，碳化硅半導(dǎo)體已成為國(guó)際上公認(rèn)的將引領(lǐng)電力電子，特別是大功率電力電子下...

2012-04-12 標(biāo)簽：碳化硅碳化硅半導(dǎo)體 2352 0

科銳推出封裝型1700V碳化硅肖特基二極管C3Dxx170H

碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極...

2012-02-07 標(biāo)簽：肖特基二極管科銳碳化硅 1639 0

科銳推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件

科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...

2011-12-19 標(biāo)簽：MOSFET功率器件科銳 1979 0