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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結MOSFET技術注意事項
在橋式電路中,國產碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術細節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...
近日,中國在太空成功驗證了首款國產碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級換代,為中國航天事業(yè)以及相關...
長飛先進武漢基地總投資逾200億,預計5月實現(xiàn)量產通線
? 春節(jié)過后,位于武漢新城的長飛先進武漢基地正加緊建設。這座總投資超200億元的超大項目在極短時間內拔地而起,目前已進入設備安裝調試階段,預計今年5月實...
高頻感應電源國產SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比
傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例,分析BASiC基本股份國產SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳...
在日常生活中,我們對手機、電腦、電視等電子設備習以為常,享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過,這些設備正常運行的背后,是什么在默默發(fā)揮關鍵作用?答案...
隨著人工智能(AI)技術的迅猛發(fā)展,為AI處理器提供高效、可靠的電源供應,成為了一個不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應對這一挑戰(zhàn),打造新一代功率器件是關鍵的一環(huán)。
光伏MPPT設計中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比
在光伏系統(tǒng)的最大功率點跟蹤(MPPT)設計中,IGBT、碳化硅(SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍圖
超高壓與高頻化:國產SiC碳化硅功率器件供應商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風電、軌道交通需求;突破MHz...
為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案
BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H(即車輛到家庭)使用智能電動汽車充電和雙向(雙向)...
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結MOS提供驅動芯片及驅動供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結MOS提供驅動芯片及驅動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應用場景研發(fā)推出門極驅動芯...
據(jù)廈門日報的最新報道,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目于1月21日取得了重要進展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上,鋼結構首吊成功吊裝,標志...
碳化硅作為一種新型半導體材料,因其高熱導率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性,被廣泛應用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、...
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