等離子體蝕刻工藝對(duì)集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計(jì)上的改善對(duì)于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對(duì)高能量電子和空穴注入柵氧化...

2025-03-01 標(biāo)簽：集成電路等離子體晶圓 514 0

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...

2025-01-22 標(biāo)簽：等離子體蝕刻ICP 698 0

什么是等離子體

等離子體，英文名稱plasma，是物質(zhì)的第四態(tài)，其他三態(tài)有固態(tài)，液態(tài)，氣態(tài)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域一般是氣體被電離后的狀態(tài)，又被稱為‘電漿’，具有帶電性和流動(dòng)性的特點(diǎn)。

2024-11-05 標(biāo)簽：芯片等離子體工藝 1037 0

半導(dǎo)體光刻工藝流程分析

等離子體蝕刻機(jī)需要與濕法蝕刻相同的元素：化學(xué)蝕刻劑和能量源。從物理上講，等離子體蝕刻機(jī)由室、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點(diǎn)檢測(cè)器和電源組成（如下圖所示）。晶圓...

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體蝕刻機(jī) 528 0

激光誘導(dǎo)擊穿光譜技術(shù)介紹

激光誘導(dǎo)擊穿光譜(英語(yǔ):Laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS) 技術(shù)，通過超短脈沖激光聚焦樣品表面形成等離...

2024-10-18 標(biāo)簽：激光探測(cè)器等離子體 672 0

射頻功率放大器在等離子體壓力傳感器中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱：等離子體壓力傳感器及其在動(dòng)態(tài)壓力測(cè)量中的應(yīng)用研究方向：壓力傳感器測(cè)試目的：如何準(zhǔn)確測(cè)量高超沖壓發(fā)動(dòng)機(jī)隔離段和航空發(fā)動(dòng)機(jī)壓氣機(jī)部件的內(nèi)部流場(chǎng)是提...

2024-07-31 標(biāo)簽：傳感器功率放大器等離子體 946 0

ICP-RIE機(jī)臺(tái)的原理是什么樣的？

ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機(jī)，是半導(dǎo)體芯片微納加工過程中必不可少的設(shè)備，可加工微米級(jí)納米級(jí)的微型圖案。

2024-04-30 標(biāo)簽：射頻等離子體刻蝕機(jī) 2002 0

淺談刻蝕的終點(diǎn)控制

當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí)，電子密度處于最低水平。一般來(lái)說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時(shí)間平均離子能量分...

2024-04-09 標(biāo)簽：集成電路等離子體芯片制造 1158 0

利用氨等離子體預(yù)處理進(jìn)行無(wú)縫間隙fll工藝的生長(zhǎng)抑制

引言 半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)規(guī)則收縮是集成過程中每一步的一個(gè)挑戰(zhàn)。在隔離的間隙-fll過程中，使用沉積工藝不能抑制接縫和空隙的形成，甚至具有良好的臺(tái)階覆蓋。為...

2024-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體 575 0

干法刻蝕常用設(shè)備的原理及結(jié)構(gòu)

干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來(lái)去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向...

2024-01-20 標(biāo)簽：等離子體晶圓刻蝕機(jī) 1.0萬(wàn) 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

在過去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導(dǎo)致更高的驅(qū)動(dòng)電流泄漏。然而，隨著柵極長(zhǎng)度減小到小于...

2024-01-15 標(biāo)簽：等離子體光纖SiGe 517 0

如何在刻蝕鋁之后保護(hù)鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡(jiǎn)便仍被廣泛使用。這些存儲(chǔ)器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對(duì)電阻和...

2023-12-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器等離子體半導(dǎo)體封裝 1298 0

半導(dǎo)體材料特性分析

書接上節(jié)，常見的物質(zhì)的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個(gè)例子。當(dāng)然，它和我們最常見到的固體、液體或氣體的定義的定義...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體工藝流程 911 0

太陽(yáng)能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲技術(shù)

光捕獲技術(shù)是提高太陽(yáng)能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來(lái)，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。利用表面等離...

2023-12-05 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能等離子體 1813 0

動(dòng)態(tài)反向脈沖(DRP)實(shí)驗(yàn)

在之前的《實(shí)踐出真知，實(shí)驗(yàn)領(lǐng)創(chuàng)新》推文中，我們探討了與傳統(tǒng)的雙極脈沖(BP)雙磁控濺射相比，動(dòng)態(tài)反向脈沖(DRP)模式可將基底熱負(fù)荷降低約12%，從而為...

2023-11-21 標(biāo)簽：等離子體脈沖電荷 1770 0

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪?、不?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 標(biāo)簽：等離子體等離子蝕刻工藝 726 0