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標(biāo)簽 > 米勒平臺(tái)
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破解MOS管高頻振蕩困局:從米勒平臺(tái)抑制到低柵漏電容器件選型
MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的本質(zhì)在柵極(G)電壓對(duì)漏極(D)與源極(S)間導(dǎo)電溝道的精準(zhǔn)控制,作為開關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)柵源電壓(Vgs)超過閾...
2025-06-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管開關(guān)器件 223 0
MOSFET的米勒平臺(tái)電壓很重要,1400字教你兩種方式計(jì)算出米勒平臺(tái)電壓值
Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開關(guān)過程中,由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在,漏極電壓的變化會(huì)通過該電容耦合到柵極,導(dǎo)...
在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中,有這種現(xiàn)象。如下圖,一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候,會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓充電。我用的這個(gè)管子的閾值電壓最小值是1.4V,這就...
米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開始下降,但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 1.0萬 0
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)
MOSFET中米勒平臺(tái)形成的基本原理及詳細(xì)過程
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過程,可以簡單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOSFE...
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