中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的特點(diǎn)及發(fā)展現(xiàn)狀

中波、長(zhǎng)波紅外探測(cè)大氣穿透力強(qiáng)、識(shí)別偽裝目標(biāo)的能力優(yōu)越，是制約未來天基對(duì)地觀測(cè)、天文探測(cè)能力的關(guān)鍵技術(shù)，其對(duì)低溫、遙遠(yuǎn)、弱目標(biāo)和低對(duì)比度目標(biāo)的探測(cè)性能決...

2024-01-19 標(biāo)簽：傳感器紅外探測(cè)器探測(cè)系統(tǒng) 4808 0

激光測(cè)溫法概述

為了確定溫度，用一個(gè)光束（通常是激光）照射待測(cè)物，測(cè)量一個(gè)或多個(gè)參數(shù)：固定波長(zhǎng)的反射和或透射系數(shù)、反射和或透射光譜、反射光的偏振態(tài)等等。

2024-01-14 標(biāo)簽：激光紅外探測(cè)器激光測(cè)溫 3792 0

一種大電荷處理能力紅外探測(cè)器讀出電路像素設(shè)計(jì)

讀出電路將紅外探測(cè)器二極管激發(fā)產(chǎn)生的光電子收集、積分成為電壓信號(hào)并按序讀出，使其變成后端系統(tǒng)可讀的電信號(hào)，是紅外焦平面探測(cè)器的重要組成部分。

2024-01-09 標(biāo)簽：二極管MOS紅外探測(cè)器 1503 0

什么是紅外輻射？紅外探測(cè)器的分類

紅外輻射是波長(zhǎng)介于可見光與微波之間的電磁波，人眼察覺不到，紅外探測(cè)器是可以將入射的紅外輻射信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出的器件，幫助人們看見未知的世界。本文將從分...

2024-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體紅外探測(cè)器電磁波 2831 0

非均勻GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器材料表征和器件性能研究

量子阱紅外探測(cè)器基于子帶躍遷的工作原理，探測(cè)器吸收紅外輻射后激發(fā)量子阱中的電子，使其從基態(tài)躍遷到連續(xù)態(tài)中，從而實(shí)現(xiàn)紅外探測(cè)。

2023-12-18 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器GaAs 1141 0

基于超構(gòu)材料的紅外和雷達(dá)兼容隱身材料應(yīng)用

紅外隱身材料和雷達(dá)隱身材料在材料吸收率上存在隱身機(jī)理方面的矛盾，這導(dǎo)致通過單一型傳統(tǒng)材料實(shí)現(xiàn)兩者的兼容難度較大。但是通過單一型傳統(tǒng)材料實(shí)現(xiàn)紅外和雷達(dá)兼容...

2023-12-02 標(biāo)簽：雷達(dá)紅外探測(cè)器電磁波 997 0

國(guó)產(chǎn)非制冷紅外探測(cè)器非均勻性分析

現(xiàn)有國(guó)產(chǎn)非制冷紅外探測(cè)器多采用擋板校正進(jìn)行非均勻性校正，影響了紅外探測(cè)器的觀測(cè)效果與目標(biāo)搜跟。

2023-12-01 標(biāo)簽：探測(cè)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)紅外探測(cè)器 1991 0

如何實(shí)現(xiàn)紅外探測(cè)器高精度低溫釬焊引線環(huán)設(shè)計(jì)？

引線環(huán)是制冷型紅外探測(cè)器（以下簡(jiǎn)稱探測(cè)器）的電學(xué)接口，用于實(shí)現(xiàn)探測(cè)器與系統(tǒng)的電學(xué)輸入和輸出。傳統(tǒng)引線環(huán)主要由上金屬環(huán)、下金屬環(huán)和陶瓷圓環(huán)三部分構(gòu)成（如圖...

2023-11-30 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器 1203 0

基于CVD生長(zhǎng)的HfS?/MoS?異質(zhì)結(jié)高性能光電探測(cè)器

這項(xiàng)研究首次提出了一種由層間激子驅(qū)動(dòng)的高性能紅外光電探測(cè)器，該紅外探測(cè)器由化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)的范德華異質(zhì)結(jié)所制備。這項(xiàng)研究標(biāo)志著光電器件領(lǐng)域進(jìn)步...

2023-11-13 標(biāo)簽：探測(cè)器光電器件紅外探測(cè)器 888 0

淺談空間光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)部的雜散輻射分析

對(duì)于光學(xué)系統(tǒng)的雜光抑制能力，我們可采用點(diǎn)源透過率(PST)指標(biāo)來評(píng)價(jià)。PST值越小，則光學(xué)系統(tǒng)的雜光抑制能力就越強(qiáng)，系統(tǒng)性能也越好。PST定義為：光學(xué)系...

2023-11-07 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器光學(xué)系統(tǒng) 1545 0

拼接型短波紅外探測(cè)器的光譜響應(yīng)特性分析

紅外探測(cè)器的光譜響應(yīng)一致性影響高光譜成像儀器的動(dòng)態(tài)范圍，研究高光譜成像用拼接型短波紅外探測(cè)器在同一光譜維的響應(yīng)均勻性對(duì)提高高光譜成像性能有重要意義。

2023-10-22 標(biāo)簽：輸出電壓紅外探測(cè)器濾光片 1404 0

nBn結(jié)構(gòu)InAs/GaSb超晶格中/長(zhǎng)雙波段探測(cè)器優(yōu)化設(shè)計(jì)描述

雙波段紅外探測(cè)可對(duì)復(fù)雜的紅外背景進(jìn)行抑制，在軍用目標(biāo)識(shí)別、醫(yī)療診斷和污染監(jiān)測(cè)等方面有重要應(yīng)用價(jià)值。

2023-10-20 標(biāo)簽：仿真器紅外探測(cè)器暗電流 1421 0

基于銻化銦紅外焦平面探測(cè)器的微透鏡陣列方案

該微透鏡陣列的制作工藝簡(jiǎn)單，與探測(cè)器制作工藝相兼容。得到的微透鏡陣列的均勻性較好。直接在探測(cè)器背面用銻化銦材料制成，耦合精度高，不存在由于其他材料微透鏡...

2023-10-17 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外探測(cè)器光電技術(shù) 748 0

高載流子遷移率膠體量子點(diǎn)紅外探測(cè)器使用

短波紅外和中波紅外波段是兩個(gè)重要的大氣窗口。在該波段范圍內(nèi)，碲化汞膠體量子點(diǎn)表現(xiàn)出良好的光響應(yīng)。

2023-10-16 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器光譜儀 1407 0

基于長(zhǎng)線列紅外焦平面探測(cè)器冷箱組件開展焦面熱應(yīng)力變形研究

隨著紅外焦平面探測(cè)器陣列規(guī)模的不斷擴(kuò)大，由多層結(jié)構(gòu)低溫?zé)崾湫巫儗?dǎo)致的杜瓦可靠性問題愈發(fā)突出，對(duì)焦面低溫形變的定量化表征需求越來越迫切。

2023-10-13 標(biāo)簽：CCD仿真器SiC 2068 0

基于Ⅱ類超晶格的中波紅外帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

基于InAs/GaSb Ⅱ類超晶格（T2SL），科研人員成功實(shí)現(xiàn)了短波、中波、長(zhǎng)波和甚長(zhǎng)波的紅外探測(cè)。

2023-10-10 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器光電探測(cè)器暗電流 1763 0

紅外隱身材料的應(yīng)用及其研究進(jìn)展綜述

隨著紅外探測(cè)技術(shù)的飛速發(fā)展，紅外隱身材料的開發(fā)已成為一個(gè)迫切的需求。紅外隱身效果受溫度和紅外發(fā)射率的共同影響，但以往的研究大多集中在單一因素上，從而限制...

2023-10-07 標(biāo)簽：PCM紅外探測(cè)器電磁波 2717 0

帶間級(jí)聯(lián)紅外探測(cè)器的光電流輸運(yùn)與量子效率研究

基于II類超晶格的帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器首次由俄亥俄州立大學(xué)的楊瑞青教授提出，并已成功應(yīng)用于紅外光電探測(cè)中，其工作原理如圖1所示。當(dāng)光照射在器件上，吸收區(qū)中的電...

2023-09-25 標(biāo)簽：探測(cè)器量子紅外探測(cè)器 1372 0

世界首款基于事件的短波紅外探測(cè)器

據(jù)SCD稱，Swift-El是世界首款集成基于事件成像功能的短波紅外探測(cè)器，使其成為國(guó)防和工業(yè)領(lǐng)域的“革命性”補(bǔ)充。

2023-09-25 標(biāo)簽：機(jī)器視覺熱像儀紅外探測(cè)器 887 0

探討碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響

本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對(duì)溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測(cè)器工...

2023-09-29 標(biāo)簽：芯片探測(cè)器紅外探測(cè)器 3423 0