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      標(biāo)簽　>　肖特基勢(shì)壘二極管

      肖特基勢(shì)壘二極管

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      　　肖特基勢(shì)壘二極管，又稱(chēng)熱載流子二極管。利用金屬-半導(dǎo)體（M-S）接觸特性制成，有點(diǎn)接觸型和面結(jié)合型兩種管芯結(jié)構(gòu)。

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      肖特基勢(shì)壘二極管簡(jiǎn)介

      　　肖特基勢(shì)壘二極管利用金屬-半導(dǎo)體（M-S）接觸特性制成，由于金屬-半導(dǎo)體接觸的電流運(yùn)輸主要是依靠多數(shù)載流子（電子），其電子遷移率高，且M-S結(jié)可以在亞微米尺度上精確制造加工，使得肖特基勢(shì)壘二極管能運(yùn)用到亞毫米波、太赫茲波頻段。肖特基勢(shì)壘二極管有兩種管芯結(jié)構(gòu)：點(diǎn)接觸型和面結(jié)合型。點(diǎn)接觸型管芯用一根金屬絲壓接在N型半導(dǎo)體外延層表面上形成金半接觸。面結(jié)合型管芯先要在N型半導(dǎo)體外延層表面上生成二氧化硅保護(hù)層，再用光刻的辦法腐蝕出一個(gè)小孔，暴露出N型半導(dǎo)體外延層表面，淀積一層金屬膜（一般采用金屬淚或鈦，稱(chēng)為勢(shì)壘金屬）形成金半接觸，再蒸餾或電鍍一層金屬（金、銀等）構(gòu)成電極。

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      肖特基勢(shì)壘二極管知識(shí)

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      肖特基勢(shì)壘二極管技術(shù)

      支持電子設(shè)備進(jìn)一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢(shì)壘二極管

      支持電子設(shè)備進(jìn)一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢(shì)壘二極管

      ROHM第5代平面肖特基勢(shì)壘二極管的效率比上一代產(chǎn)品又提高了25%，有助于進(jìn)一步提高開(kāi)關(guān)電源的效率。

      2024-08-09 標(biāo)簽：電子設(shè)備Rohm肖特基勢(shì)壘二極管 1.4萬(wàn) 0

      碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析

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      碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶...

      2021-06-15 標(biāo)簽：碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 1.1萬(wàn) 0

      什么是肖特基勢(shì)壘二極管？可以在任何地方使用嗎

      什么是肖特基勢(shì)壘二極管？可以在任何地方使用嗎

      肖特基勢(shì)壘二極管是一種利用稱(chēng)為肖特基勢(shì)壘的現(xiàn)象的二極管，其中當(dāng)半導(dǎo)體和金屬接合時(shí)，電流僅沿一個(gè)方向流動(dòng)。由于其結(jié)構(gòu)不同于一般二極管的P型/N型半導(dǎo)體制成...

      2022-03-30 標(biāo)簽：肖特基二極管肖特基勢(shì)壘肖特基勢(shì)壘二極管 8281 0

      ON Semiconductor RB521S30T1G參數(shù)特性與EDA模型 數(shù)據(jù)手冊(cè)介紹

      ON Semiconductor RB521S30T1G參數(shù)特性與EDA模型 數(shù)據(jù)手冊(cè)介紹

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      2025-05-28 標(biāo)簽：肖特基勢(shì)壘二極管ON 3154 0

      6種二極管的特性分析

      6種二極管的特性分析

      整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對(duì)商用頻率的交流電進(jìn)行整流的二極管。整流的主要目的是將交流轉(zhuǎn)換為直流，其具有高電壓、高電流...

      2023-11-28 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體整流二極管 2465 0

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

      2024-02-19 標(biāo)簽：SBDSiCGaN 2015 0

      一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

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      近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘...

      2023-06-13 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1919 0

      SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)

      SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)

      關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。

      2023-02-08 標(biāo)簽：SBDSiC肖特基勢(shì)壘二極管 1860 0

      SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管的比較

      SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管的比較

      繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管：下面從SiC肖...

      2023-02-08 標(biāo)簽：二極管SBDSiC 1198 0

      肖特基勢(shì)壘二極管的特征介紹

      肖特基勢(shì)壘二極管的特征介紹

      再次談及Si二極管，將說(shuō)明肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱(chēng)之...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管SBD肖特基勢(shì)壘二極管 1176 0

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      肖特基勢(shì)壘二極管帖子

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      肖特基勢(shì)壘二極管資訊

      美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件

      致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)...

      2018-05-28 標(biāo)簽：美高森美碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 5599 0

      英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管，進(jìn)一步提高效率

      由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。

      2021-02-23 標(biāo)簽：英飛凌IGBT肖特基勢(shì)壘二極管 1919 0

      Microchip推出最新一代汽車(chē)用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）

      Microchip新推出的器件通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證，對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車(chē)電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠...

      2020-11-02 標(biāo)簽：microchip碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 1849 0

      ROHM面向車(chē)載系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管“RBxx8BM/NS200”

      全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向包括xEV在內(nèi)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車(chē)載系統(tǒng)，開(kāi)發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢(shì)壘二極管※2（以下...

      2019-08-27 標(biāo)簽：車(chē)載系統(tǒng)Rohm肖特基勢(shì)壘二極管 1415 0

      東芝發(fā)布適用于各種應(yīng)用的肖特基勢(shì)壘二極管陣列！

      一提到低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，你會(huì)率先想到哪種器件？不少工程師表示，當(dāng)然是肖特基勢(shì)壘二極管了！肖特基勢(shì)壘二極管是用其發(fā)明人肖特基博士（Sch...

      2023-02-02 標(biāo)簽：二極管東芝整流二極管 1394 0

      英飛凌推出第五代thinQ!TM SiC肖特基勢(shì)壘二極管

      　2012年10月10日，德國(guó)紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產(chǎn)品陣容。

      2012-10-10 標(biāo)簽：英飛凌SIC肖特基勢(shì)壘二極管 1357 0

      在車(chē)載市場(chǎng)中擁有豐碩業(yè)績(jī)的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進(jìn)一步壯大

      在車(chē)載市場(chǎng)中擁有豐碩業(yè)績(jī)的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進(jìn)一步壯大

      通過(guò)采用新工藝，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，與ROHM以往產(chǎn)品相比，效率提高了25%。

      2021-08-06 標(biāo)簽：SBD肖特基勢(shì)壘二極管 1298 0

      東芝研討會(huì)解讀肖特基勢(shì)壘二極管的特性、選型、使用要點(diǎn)和電路設(shè)計(jì)的技巧

      東芝研討會(huì)解讀肖特基勢(shì)壘二極管的特性、選型、使用要點(diǎn)和電路設(shè)計(jì)的技巧

      在開(kāi)關(guān)電源特別是高頻開(kāi)關(guān)電源中，肖特基勢(shì)壘二極管可謂是不可缺少的整流高手。肖特基勢(shì)壘二極管由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成，作為一種低功耗、超高...

      2023-06-16 標(biāo)簽：二極管整流二極管肖特基二極管 1286 0

      肖特基勢(shì)壘二極管新品:散熱特性提高28％、尺寸縮小39％

      肖特基勢(shì)壘二極管新品:散熱特性提高28％、尺寸縮小39％

      松下元器件公司發(fā)布了散熱特性較該公司原產(chǎn)品提高28％的肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）“DB2P系列”?？捎糜谥悄苁謾C(jī)、平板終端和筆記本電腦機(jī)身電源電路部分。

      2012-09-11 標(biāo)簽：松下SBD肖特基勢(shì)壘二極管 1227 0

      Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管 (SBD)

      產(chǎn)品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一項(xiàng) 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產(chǎn)品，以及 DIODES DS...

      2023-02-16 標(biāo)簽：Diodes碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 973 0

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      肖特基勢(shì)壘二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
      • 柵極驅(qū)動(dòng)器
        柵極驅(qū)動(dòng)器
        +關(guān)注
        　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
      • 研華
        研華
        +關(guān)注
      • 32位單片機(jī)
        32位單片機(jī)
        +關(guān)注
        ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
      • 驍龍
        驍龍
        +關(guān)注
        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
      • Cortex-A
        Cortex-A
        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
        CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC） 解決方案。
      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
      • G3-PLC
        G3-PLC
        +關(guān)注
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