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標(biāo)簽 > 芯片設(shè)計
《芯片設(shè)計》是2009年11月上??茖W(xué)技術(shù)出版社出版的圖書,作者是(德)B.科爾特,(德)J.菲根。
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碳化硅(SiC)芯片設(shè)計的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
LEF和DEF是APR工程師工作中經(jīng)常會碰到的兩類文件,也會對APR的基礎(chǔ)配置和APR的flow產(chǎn)生直接的影響。基本相當(dāng)于APR物理設(shè)計的基礎(chǔ)建設(shè)。
有兩個因素影響CMOS集成電路的速度,即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關(guān)的時間;互連延遲由芯片設(shè)計、工藝技術(shù),以及互連的導(dǎo)體和電介質(zhì)材料決定。
在將CAN數(shù)據(jù)導(dǎo)入應(yīng)用程序時發(fā)生丟失CAN幀的情況,通常是由于應(yīng)用程序花費太多時間處理某一報文,應(yīng)用程序暫停等待用戶交互,或者應(yīng)用程序正在等待共享系統(tǒng)資...
IC設(shè)計知識點:常見的自恢復(fù)設(shè)計
在芯片設(shè)計過程中,通常會針對特殊情況導(dǎo)致芯片無法使用額外添加一些功能,使得芯片具有更好的抗干擾能力。自恢復(fù)設(shè)計應(yīng)用場景很廣泛,比如、針對芯片溫度過高的處...
Siemens的Calibre是業(yè)內(nèi)權(quán)威的版圖驗證軟件,被各大Foundry廠廣泛認(rèn)可。用戶可以直接在Virtuoso界面集成Calibre接口,調(diào)用版...
芯片設(shè)計包含哪些內(nèi)容 芯片設(shè)計流程詳解
芯片設(shè)計分為前端設(shè)計和后端設(shè)計,前端設(shè)計(也稱邏輯設(shè)計)和后端設(shè)計(也稱物理設(shè)計)并沒有統(tǒng)一嚴(yán)格的界限,涉及到與工藝有關(guān)的設(shè)計就是后端設(shè)計。
根據(jù)調(diào)查結(jié)果如下圖所示,分別列出了近幾年DE和DV的整體數(shù)量比,以及在不同規(guī)模領(lǐng)域內(nèi)的人數(shù)比。整體看大部分項目中DE和DV的配比約為1:1。
ic和集成電路需要什么 ic設(shè)計和芯片設(shè)計區(qū)別
IC是指集成電路(Integrated Circuit),它是由多個電子器件(如晶體管、電阻、電容等)和電路組件集成在一個芯片中的微小電子元件。
隨著移動設(shè)備的興起和芯片工藝的提升,功耗成為近年來芯片設(shè)計越來越關(guān)注的話題。對功耗關(guān)注度的提升大致可以從兩方面進行分析,用戶角度和芯片設(shè)計者角度。
芯片Signoff是通過什么機制去控制偏差帶來的不確定性風(fēng)險的?
在芯片設(shè)計、制造、應(yīng)用等各個環(huán)節(jié)都不可避免地會引入偏差,其直接造成的影響是晶體管、電阻電容以及繞線等電特性的不確定性。
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