PCB生產(chǎn)過(guò)程中的蝕刻工藝技術(shù)解析

蝕刻過(guò)程是PCB生產(chǎn)過(guò)程中基本步驟之一，簡(jiǎn)單的講就是基底銅被抗蝕層覆蓋，沒(méi)有被抗蝕層保護(hù)的銅與蝕刻劑發(fā)生反應(yīng)，從而被咬蝕掉，最終形成設(shè)計(jì)線路圖形和焊盤(pán)的...

2019-07-23 標(biāo)簽：PCB板PCB設(shè)計(jì)蝕刻工藝 5497 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝課堂素材分享（4）（下）

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2022-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻工藝 5311 0

耐蝕點(diǎn)蝕鍍銅工藝

隨著5G技術(shù)的推出，導(dǎo)致電子電路和IC基板在設(shè)計(jì)中要求更高的密度。由于5G應(yīng)用的性質(zhì)，這些設(shè)計(jì)中的高可靠性和出色的電氣性能也越來(lái)越重要。

2023-09-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體鍍銅工藝蝕刻工藝 3787 0

PCB線路板外層電路制作的蝕刻工藝解析

在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫...

2019-07-10 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)PCB線路板蝕刻工藝 3686 0

采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 華林科納

這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢(shì)壘凹陷應(yīng)用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化...

2021-12-13 標(biāo)簽：蝕刻GaN蝕刻工藝 2980 0

半導(dǎo)體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關(guān)鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導(dǎo)體 引言 半導(dǎo)體器件的制造是從半導(dǎo)體器件開(kāi)始廣泛銷(xiāo)往市場(chǎng)的半個(gè)世紀(jì) 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個(gè)世紀(jì)初，人們已經(jīng)了 ...

2021-12-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體蝕刻 2962 0

化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實(shí)驗(yàn)分析

引言 化學(xué)蝕刻是通過(guò)與強(qiáng)化學(xué)溶液接觸來(lái)控制工件材料的溶解。該過(guò)程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的...

2021-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻蝕刻工藝 2935 0

關(guān)于硫酸-過(guò)氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學(xué)蝕刻研究報(bào)告

摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影...

2022-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體化學(xué)蝕刻 2897 0

半導(dǎo)體有機(jī)酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機(jī)理分析

引言 用電化學(xué)和原子力顯微鏡方法對(duì)有機(jī)酸與銅的相互作用進(jìn)行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機(jī)酸、二有機(jī)酸和三有機(jī)酸中銅的蝕刻速率...

2022-01-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電化學(xué)蝕刻 2836 0

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告

摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體化學(xué) 2452 0

淺談蝕刻工藝開(kāi)發(fā)的三個(gè)階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標(biāo)簽：晶體管蝕刻工藝3d nand 2312 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學(xué)腐蝕

用鈧?cè)〈恍╀X可以增加壓電性能，但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標(biāo)簽：蝕刻工藝壓電材料刻蝕 1791 0

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1731 0

超聲波頻率對(duì)化學(xué)蝕刻過(guò)程的影響實(shí)驗(yàn)報(bào)告

超聲增強(qiáng)化學(xué)腐蝕被用來(lái)制作多孔硅層，通過(guò)使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可...

2022-05-06 標(biāo)簽：超聲波蝕刻蝕刻工藝 1544 0

多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性

摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí)，需要對(duì)化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...

2022-01-07 標(biāo)簽：化學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1435 0

使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（上）

?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級(jí)的橫向尺度和幾微米量級(jí)...

2022-05-11 標(biāo)簽：光學(xué)蝕刻蝕刻工藝 1397 0

如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)...

2023-05-19 標(biāo)簽：pcb控制系統(tǒng)設(shè)備 1389 0

不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1243 0