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標(biāo)簽 > 負(fù)載電容
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。
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在無源晶振應(yīng)用方案中,兩個(gè)外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,當(dāng)發(fā)生程序啟動(dòng)慢或不運(yùn)行時(shí),建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。
啟動(dòng)時(shí)間是指振蕩器啟動(dòng)并達(dá)到穩(wěn)定所需的時(shí)間。石英晶體振蕩器的啟動(dòng)時(shí)間要比陶瓷晶體振蕩器的時(shí)間要長(zhǎng)。 啟動(dòng)時(shí)間受外部CL1和CL2電容影響,同時(shí)它隨...
2023-11-01 標(biāo)簽:放大器電路設(shè)計(jì)晶振 2591 0
模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì):虛零點(diǎn)法
虛零點(diǎn)法是指引入的對(duì)應(yīng)零點(diǎn)只出現(xiàn)在環(huán)路增益A(s)F(s)中,而不出現(xiàn)在閉環(huán)傳遞函數(shù)H(S)中,能夠?qū)崿F(xiàn)此目的的零點(diǎn)
在無源晶振應(yīng)用方案中,兩個(gè)外接電容能夠微調(diào)晶振產(chǎn)生的時(shí)鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此,當(dāng)發(fā)生程序啟動(dòng)慢或不運(yùn)行時(shí),建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。
2023-10-15 標(biāo)簽:無源晶振晶振并聯(lián)電阻 809 0
下面簡(jiǎn)單推導(dǎo)一下反饋滿足振蕩的幅度條件|AF|=1時(shí)的相位裕量與時(shí)域的階躍響應(yīng)定性關(guān)系,這個(gè)有較強(qiáng)的工程應(yīng)用意義。
在數(shù)字的世界里,無處不需要時(shí)鐘,各種振蕩電路的設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)片內(nèi)的集成,但是要實(shí)現(xiàn)高精度的時(shí)鐘頻率,晶體振蕩器是很好的選擇,時(shí)鐘頻率精度可以達(dá)到ppm級(jí)別。
2023-10-12 標(biāo)簽:晶體振蕩器溫度補(bǔ)償電路負(fù)載電容 7655 0
解讀LM321集成運(yùn)放的數(shù)據(jù)規(guī)格書(2)
關(guān)于非理想特性的各個(gè)參數(shù)是體現(xiàn)運(yùn)放性能的關(guān)鍵,在這份數(shù)據(jù)規(guī)格書中,給出了這個(gè)運(yùn)放器件兩種不同電壓的供電條件下的測(cè)試數(shù)據(jù)表格
說到“晶振”,或者晶體諧振器(Crystal resonator),你一定不陌生,很多電子產(chǎn)品中都有它的身影,網(wǎng)上隨便一搜就可看到很多
2023-09-07 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻LCRSTM32單片機(jī) 4600 0
不同頻率的晶振是可以變通代換的,高頻的代替低頻的需要串聯(lián)一個(gè)電容,低頻的代換高頻的需要并上一個(gè)電容。
石英晶體在設(shè)備中用作時(shí)間或者頻率的基準(zhǔn)源。石英晶體諧振器可以當(dāng)做一個(gè)機(jī)械振動(dòng)系統(tǒng)。機(jī)械振動(dòng)系統(tǒng)和電路是“等效”的。
交流電路中功率的計(jì)算遠(yuǎn)比直流電路復(fù)雜。就其負(fù)載而言,就有純電阻、純電感、純電容和感性、容性等多種,生活中較常見的有接近于純電阻的負(fù)載(例如白熾燈、電爐、...
怎么去設(shè)計(jì)一種運(yùn)算放大器仿真電路?
共模抑制比(CMRR):運(yùn)放的共模抑制比等于其差模電壓增益減去共模電壓增益。
2023-07-12 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器電源電壓共模抑制比 2529 0
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