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標(biāo)簽 > 載流子
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近年來，具有ABX?晶體結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其可調(diào)帶隙、高吸收系數(shù)、長載流子傳輸距離等光電學(xué)特性而在光電探測領(lǐng)域表現(xiàn)出良好應(yīng)用前景
合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402
PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管，因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...
材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。
紅外焦平面探測器復(fù)合條件工作點(diǎn)閃元標(biāo)定方法研究
近年來隨著無人機(jī)等遠(yuǎn)距目標(biāo)檢測需求的興起，基于紅外波段的弱小目標(biāo)檢測技術(shù)因其全天時(shí)、探測距離遠(yuǎn)、不主動(dòng)發(fā)射電磁波等特點(diǎn)成為了研究熱點(diǎn)。
當(dāng)我們?nèi)龢O管的基極沒有加電壓的時(shí)候，發(fā)射區(qū)的電子，因?yàn)榛鶚O正電場比較弱，而不能流向基極
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個(gè) P+基板（IGBT 的集電極），形成P...
雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領(lǐng)著人類科技發(fā)展的重要引擎。
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動(dòng)。
2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管EOS 1.1萬 0
氣敏電阻是一種根據(jù)氣體濃度變化而改變電阻值的敏感元件。它廣泛應(yīng)用于各種氣體檢測和控制電路中，如煙霧報(bào)警器、煤氣泄漏報(bào)警器等。
熱敏電阻是一種根據(jù)溫度變化而改變電阻值的敏感元件。它廣泛應(yīng)用于各種溫度測量和控制電路中，如恒溫器、溫度計(jì)、電子爐等。
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體在導(dǎo)電機(jī)制上有何不同？
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。
n型p型半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體相比有什么特點(diǎn)？
本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下，自由電子和空穴的數(shù)量很少，因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外，本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān)，...
2023-12-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體載流子本征半導(dǎo)體 3744 0
基于原位摻雜和淺臺面型架構(gòu)的短波紅外InGaAs光電二極管開發(fā)
隨著安防、汽車、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域需求的不斷增長，短波紅外（SWIR）傳感器的發(fā)展也隨之興起。
什么是離子注入？離子注入相對于擴(kuò)散的優(yōu)點(diǎn)？
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電，必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來具體介紹離子注入的概念。
MOS結(jié)電容（下）MOS的結(jié)電容應(yīng)用特性分解
我們需要先將結(jié)電容與關(guān)斷波形聯(lián)系起來。三個(gè)結(jié)電容的容值是Vds電壓的函數(shù)，同時(shí)，電壓Vds的變化（dv/dt）又與結(jié)電容相關(guān)。
如何利用FIB和SEM中的有源和無源電位襯度進(jìn)行失效定位呢？
無源電位襯度（Passive Voltage Contrast，PVC）定位基于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的FIB或SEM圖像或多或少的亮度差異，可用于半導(dǎo)體電路的失效定位。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）
下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
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