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標(biāo)簽 > 載流子
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深入探討對(duì)PNPN四層結(jié)構(gòu)的晶閘管正向阻斷過(guò)程的機(jī)理
“基于碰撞電離率模型的平行平面結(jié)和晶閘管的研究”和“基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合”對(duì)平行平面結(jié)的雪崩擊穿電壓、碰撞電離率積分等進(jìn)行了討...
功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點(diǎn)結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開(kāi)啟都與體內(nèi)載流子的運(yùn)動(dòng)有關(guān)。
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過(guò)熱和過(guò)流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類(lèi)似于MOSFET，其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個(gè) P+基板（IGBT 的集電極），形成P...
介紹一下傳輸線工作過(guò)程中的導(dǎo)體損耗和介質(zhì)損耗
有損傳輸線的眼圖，由于上升邊的退化，少了高頻分量，那么高頻分量到哪里去了？傳輸線中的容性和感性突變只是反射，并不吸收能量。羊毛出在羊身上，高頻分量最終被...
2022-08-15 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電阻器傳輸線 1.5萬(wàn) 0
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，其主要功能是控制電流的流動(dòng)。
2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管EOS 1.1萬(wàn) 0
PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將變窄？
PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將變窄是因?yàn)椋?*PN結(jié)外加正向電壓，此時(shí)外電場(chǎng)將多數(shù)載流子推向空間電荷區(qū)，使其變窄，削弱了內(nèi)電場(chǎng)
什么是霍爾效應(yīng)？霍爾電勢(shì)的大小與方向和哪些因素有關(guān)？
霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種，當(dāng)電流通過(guò)一個(gè)位于磁場(chǎng)中的導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)的電荷載流子（如電子或空穴）會(huì)受到磁場(chǎng)的洛倫茲力作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn)，導(dǎo)致導(dǎo)體橫向（垂直于電...
2024-05-16 標(biāo)簽：霍爾效應(yīng)磁傳感器載流子 9897 0
金屬應(yīng)變片和半導(dǎo)體應(yīng)變片的異同
金屬應(yīng)變片和半導(dǎo)體應(yīng)變片都是用于測(cè)量機(jī)械應(yīng)變的傳感器，它們通過(guò)將機(jī)械形變轉(zhuǎn)換為電阻變化來(lái)工作。
材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。
可充電電池領(lǐng)域在高效和可持續(xù)能源技術(shù)需求的增加的推動(dòng)下，已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)步。
MOS結(jié)電容（下）MOS的結(jié)電容應(yīng)用特性分解
我們需要先將結(jié)電容與關(guān)斷波形聯(lián)系起來(lái)。三個(gè)結(jié)電容的容值是Vds電壓的函數(shù)，同時(shí)，電壓Vds的變化（dv/dt）又與結(jié)電容相關(guān)。
PIN二極管 ，即P-I-N二極管，是一種半導(dǎo)體器件，由P型半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體（I型，即未摻雜的半導(dǎo)體）和N型半導(dǎo)體三個(gè)部分組成。
近年來(lái)，具有ABX?晶體結(jié)構(gòu)的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料因其可調(diào)帶隙、高吸收系數(shù)、長(zhǎng)載流子傳輸距離等光電學(xué)特性而在光電探測(cè)領(lǐng)域表現(xiàn)出良好應(yīng)用前景
什么是離子注入？離子注入相對(duì)于擴(kuò)散的優(yōu)點(diǎn)？
想要使半導(dǎo)體導(dǎo)電，必須向純凈半導(dǎo)體中引入雜質(zhì)，而離子注入是一種常用的方法，下面來(lái)具體介紹離子注入的概念。
水系電池由于組裝簡(jiǎn)單、安全性好、成本效益高，水系電池正成為大規(guī)模電網(wǎng)儲(chǔ)能的有力競(jìng)爭(zhēng)者。
如何利用FIB和SEM中的有源和無(wú)源電位襯度進(jìn)行失效定位呢？
無(wú)源電位襯度（Passive Voltage Contrast，PVC）定位基于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的FIB或SEM圖像或多或少的亮度差異，可用于半導(dǎo)體電路的失效定位。
單晶硅的少子壽命是指什么？表面形態(tài)對(duì)單晶硅少子壽命有何影響？
單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子（電子或空穴）在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失（即通過(guò)復(fù)合過(guò)程失去）的平均時(shí)間。
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體在導(dǎo)電機(jī)制上有何不同？
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類(lèi)型和濃度。
熱敏電阻是一種根據(jù)溫度變化而改變電阻值的敏感元件。它廣泛應(yīng)用于各種溫度測(cè)量和控制電路中，如恒溫器、溫度計(jì)、電子爐等。
半導(dǎo)體應(yīng)變片受力時(shí)阻值的變化主要是由什么引起的
半導(dǎo)體應(yīng)變片是一種利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)來(lái)測(cè)量力學(xué)應(yīng)變的傳感器。
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