IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（2）

IGBT中存在如圖所示的兩個(gè)寄生BJT，BJT_1為NPN型，BJT_2為PNP型，我們來(lái)看看這兩個(gè)寄生BJT的電流增益有多大。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBTBJT漏電流 1198 0

異質(zhì)外延對(duì)襯底的要求是什么？

異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長(zhǎng)技術(shù)，它指的是在一個(gè)特定的襯底材料上生長(zhǎng)出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化學(xué)組成的薄膜或外延層的過程，即：在一種材料的基片上生...

2024-04-17 標(biāo)簽：載流子 1175 0

一個(gè)電路感受一下MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別？

MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別？這兩種元件本身就可以看作一個(gè)基本單元，一個(gè)獨(dú)立的器件，就算拆開外殼，用肉眼也找不出什么差別，從工作原理上理解又謷牙詰...

2023-11-13 標(biāo)簽：三極管led燈MOS管 1164 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（2）

上一節(jié)我們建立了基區(qū)寬度與外加電壓隨時(shí)間的變化關(guān)系

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPIN管載流子 1144 0

關(guān)于二極管，你了解多少？

二極管是很常見的電子元器件，有兩個(gè)極，即陰極和陽(yáng)極，二極管具有單向?qū)щ娦?，電流只能從?yáng)極流向陰極，電壓反向時(shí)二極管截止。

2023-09-11 標(biāo)簽：二極管電源輸出漏電流 1137 0

一種具有435 mV光電壓的n+p-型硅納米線光電陰極生產(chǎn)NADH

光陰極催化煙酰胺腺嘌呤二核苷酸（NAD+）轉(zhuǎn)化為1, 4-二氫煙酰胺腺嘌呤二核苷酸（NADH）輔助因子是激活氧化還原生物催化劑和利用可再生太陽(yáng)能進(jìn)行酶促...

2023-09-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器偏置電壓載流子 1137 0

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性（六）

鍺和硅是兩種基本的半導(dǎo)體。世界上第一個(gè)晶體管是由鍺材料制成的，作為固態(tài)電路時(shí)代的最初的一個(gè)標(biāo)志。

2023-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管晶體管 1136 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（2）

上一章我們講到了載流子濃度與電流的關(guān)系，并且知道了載流子在I區(qū)的濃度分布是非對(duì)稱的。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBTPIN載流子 1099 0

IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正

如前所述，修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來(lái)建立圖片與圖片的關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)BJT 1077 0

基于原位摻雜和淺臺(tái)面型架構(gòu)的短波紅外InGaAs光電二極管開發(fā)

隨著安防、汽車、工業(yè)、農(nóng)業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域需求的不斷增長(zhǎng)，短波紅外（SWIR）傳感器的發(fā)展也隨之興起。

2023-12-12 標(biāo)簽：集成電路CMOS光電二極管 1073 0

有機(jī)陽(yáng)離子和金屬摻雜效應(yīng)對(duì)二維無(wú)鉛基鈣鈦礦光伏性能影響

二維 Ruddlesden-Popper（2D-RP）鈣鈦礦由于其更強(qiáng)的熱穩(wěn)定性和光穩(wěn)定性、高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率和長(zhǎng)的載流子壽命，在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（P...

2023-10-22 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換載流子 1057 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（1）

IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件，持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下，關(guān)斷過程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT電流電壓載流子 1040 0

通向大貝里曲率的新途徑簡(jiǎn)析

包括 Ising 在內(nèi)的黎民百姓，崇尚眼見為實(shí)，在周圍實(shí)空間中看到什么就描述什么。這是認(rèn)識(shí)客觀世界的基礎(chǔ)，所以物理人注重描繪物體的大小、形狀及其運(yùn)動(dòng)。

2023-09-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電阻器SoC系統(tǒng) 1007 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們?cè)敿?xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系，即一維空間的物理關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 952 0

如何使用雙條結(jié)構(gòu)改進(jìn)窄脊高功率激光二極管遠(yuǎn)場(chǎng)角呢？

在激光器芯片的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，遠(yuǎn)場(chǎng)角度是一個(gè)重要的參數(shù)。它描述了激光器發(fā)出的光束在遠(yuǎn)離芯片后，其發(fā)散程度。

2024-05-01 標(biāo)簽：CCD濾波器激光器 950 0

紅外焦平面探測(cè)器復(fù)合條件工作點(diǎn)閃元標(biāo)定方法研究

近年來(lái)隨著無(wú)人機(jī)等遠(yuǎn)距目標(biāo)檢測(cè)需求的興起，基于紅外波段的弱小目標(biāo)檢測(cè)技術(shù)因其全天時(shí)、探測(cè)距離遠(yuǎn)、不主動(dòng)發(fā)射電磁波等特點(diǎn)成為了研究熱點(diǎn)。

2024-02-25 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器電磁波信號(hào)傳輸 940 0

二極管及其應(yīng)用

本征半導(dǎo)體中具有兩種載流子，一個(gè)是空穴（原子由于失去一個(gè)電子形成的空穴，此時(shí)原子帶正電荷），另一個(gè)是自由電子，自由電子和空軍均參與導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體導(dǎo)電的...

2023-03-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體導(dǎo)電載流子 932 0

半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性（四）

本征態(tài)的半導(dǎo)體材料在制作固態(tài)器件時(shí)是無(wú)用的，因?yàn)樗鼪]有自由移動(dòng)的電子或者空穴，所以不能導(dǎo)電。

2023-11-13 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體載流子 874 0

質(zhì)子調(diào)控醌烯醇轉(zhuǎn)化助力高性能水系鋅電池

羰基氧化還原化學(xué)中C=O與C-O-之間的非均相烯醇化反應(yīng)是廣泛存在于自然界的重要生理過程。該研究揭示了基于有機(jī)羰基的水系有機(jī)電極材料的廣泛應(yīng)用，其中通過...

2024-05-23 標(biāo)簽：鋅電池電解液載流子 743 0

In2Te5單層光解水產(chǎn)氫的能力及其光電流特性

光催化分解水由于產(chǎn)物清潔、對(duì)環(huán)境零污染被認(rèn)為是解決環(huán)境污染和能源短缺的最有效方法之一。

2023-11-10 標(biāo)簽：載流子光電流 728 0