什么是雙極性晶體管？雙極型晶體管的放大模式解析

雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領著人類科技發(fā)展的重要引擎。

2023-12-28 標簽：二極管半導體晶體管 4002 0

紫外發(fā)光二極管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二極管的結構

紫外發(fā)光二極管是指可發(fā)出波長約400nm的近紫外光的發(fā)光二極管（led）。

2024-02-26 標簽：半導體發(fā)光二極管PN結 3789 0

什么是EML和DML激光器？EML和DML兩種激光器到底有什么不一樣？

EML（External Cavity Laser）和DML（Distributed Feedback Laser）兩種激光器在光模塊中都扮演著重要的角...

2023-11-21 標簽：半導體激光器光纖通信 3650 0

PN結的導電性與擊穿

在外電場的推動下，P區(qū)的多子“空穴”開始向N區(qū)移動，與“負離子”中和；N區(qū)的多子“自由電子”向P區(qū)移動，與“正離子”中和，導致這內電場里的電荷都被中和掉...

2023-09-12 標簽：半導體PN結載流子 3540 0

合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...

2024-03-01 標簽：led照明穩(wěn)壓器PMOS 3171 0

單晶硅電阻率的控制原理介紹

本文介紹了硅摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關系、共摻雜技術等知識，解釋了單晶硅電阻率控制原理。

2024-04-07 標簽：半導體單晶硅載流子 3003 0

可靠性測試中,如何減少HCI和電遷移的測試時間？

許多可靠性“磨損”測試監(jiān)測的是一個性能參數(shù)，該參數(shù)隨著對數(shù)變化的時間長度而穩(wěn)步下降。

2024-03-13 標簽：DRAMNMOS晶體管 2987 0

石墨烯的性能及應用介紹

石墨烯（Graphene）是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結構的新材料。

2023-11-29 標簽：激光器碳納米管場效應晶體管 2936 0

電力電子器件基礎知識概述—電力二極管、晶閘管

在電力電子技術應用上，要有系統(tǒng)觀念。一個電力電子系統(tǒng)，由主電路、驅動電路、控制電路等組成。

2023-11-22 標簽：二極管晶閘管整流電路 2870 0

半導體有關概念 PN結的單向導電性 半導體的導電特性

半導體是導電能力介于導體與絕緣體之間的一種物體。它內部運載電荷的粒子有電子載流子(帶負電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。

2023-08-22 標簽：半導體硅單晶絕緣電阻 2662 0

IGBT中的PIN結構分析（1）

IGBT的結構中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠遠低于P型區(qū)，當IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后

2023-11-28 標簽：半導體MOS管IGBT 2501 0

一文解讀電荷的復合

根據(jù)前面的分析，電子或者空穴產(chǎn)生于導帶和價帶中是一個統(tǒng)計概率，這個概率符合費米分布規(guī)律。

2023-11-27 標簽：半導體IGBT電荷 2444 0

可見光驅動光催化產(chǎn)氫方面取得重要進展！

利用太陽能將水轉化為高價值的化學品和燃料是一種很有前景和潛力的策略。石墨相氮化碳和二氧化鈦是性能優(yōu)良、成本低、穩(wěn)定性好的光催化劑。

2023-07-25 標簽：光譜儀FTIRXRD 2255 0

元素摻雜對LaAlO3紅外輻射材料的帶隙調控

紅外輻射陶瓷作為一種新型節(jié)能材料，受到高溫工業(yè)的廣泛關注。

2023-11-01 標簽：DoSDFT光譜儀 2237 0

科普IGBT這玩意兒—從名稱入手

IGBT的英文全稱和基礎概念對于微電子技術猿來說，想必已經(jīng)耳熟能詳。

2023-11-24 標簽：晶閘管變頻器IGBT 2156 0

什么是本征半導體與PN結？

特點：導電能力介于導體和絕緣體。

2023-09-12 標簽：半導體載流子 2156 0