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標(biāo)簽 > 載流子
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Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加...
PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿是一種特殊的物理現(xiàn)象,它在特定的條件下發(fā)生,允許電流在低于雪崩擊穿電壓的情況下流過(guò)PN結(jié)。
二極管器件中最常見(jiàn)和最基本的結(jié)構(gòu)
最簡(jiǎn)單的電子設(shè)備是二極管。它通常被稱為半導(dǎo)體二極管,但從技術(shù)上講,二極管具有自己特定的電氣特性。所有電子設(shè)備都是如此。它們由獨(dú)特的電氣特性定義,即使可能...
人體呼氣中揮發(fā)性有機(jī)物濃度的變化與某些疾病密切相關(guān),通過(guò)分析人體呼氣中的揮發(fā)性有機(jī)物來(lái)診斷疾病是一種無(wú)創(chuàng)非侵入性、操作方便的手段,近年來(lái)在疾病診斷和早期...
基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析
我們應(yīng)用簡(jiǎn)單的Fulop模型對(duì)平行平面結(jié)進(jìn)行了分析,對(duì)復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡(jiǎn),由化簡(jiǎn)的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。
二極管是一種半導(dǎo)體器件,其核心功能是允許電流只能單向流動(dòng)。這一特性使得二極管在電子電路中扮演了多種角色,包括限幅功能。
與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)?
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系(1)
我們?cè)谖闹蟹磸?fù)提及,電壓是電場(chǎng)的積分,而電場(chǎng)是電荷的積分,所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài),就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對(duì)電場(chǎng)積分,我們看看隨著增長(zhǎng),即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng),柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
氧化硅薄膜整個(gè)半導(dǎo)體制造過(guò)程是十分常見(jiàn)且不可或缺的,那么它具體有什么用途呢?
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見(jiàn)上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
大多數(shù)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSC)均采用分層結(jié)構(gòu),其中包括空穴傳輸層(HTL)和貴金屬電極??捎∷⒔橛^鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(p-MPSC)不需要傳統(tǒng)p-n結(jié)所...
2024-03-20 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光電器件電流電壓 1232 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(1)
現(xiàn)在我們把時(shí)間變量圖片加入,進(jìn)行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓,IGBT內(nèi)部存儲(chǔ)的電荷開(kāi)始衰減,衰減過(guò)程是因?yàn)檩d流子壽命有限而自然復(fù)合
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛?yáng)極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
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