IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（1）

我們?cè)谖闹蟹磸?fù)提及，電壓是電場(chǎng)的積分，而電場(chǎng)是電荷的積分，所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài)，就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)電流電壓 1332 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(1)

現(xiàn)在我們把時(shí)間變量圖片加入，進(jìn)行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內(nèi)部存儲(chǔ)的電荷開始衰減，衰減過程是因?yàn)檩d流子壽命有限而自然復(fù)合

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT電流突變載流子 1204 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們?cè)敿?xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系，即一維空間的物理關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 952 0

IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正

如前所述，修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來(lái)建立圖片與圖片的關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)BJT 1077 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1251 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（1）

IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件，持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下，關(guān)斷過程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT電流電壓載流子 1038 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu)，因?yàn)殛?yáng)極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1196 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（2）

上一節(jié)的分析中，僅考慮了PIN1，而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接，而PIN2則與基區(qū)相連接。

2023-11-30 標(biāo)簽：IGBTMOS載流子 1406 0

與MOS不同，IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)？

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大，導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小，呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

2023-11-29 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1536 0

石墨烯的性能及應(yīng)用介紹

石墨烯（Graphene）是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的新材料。

2023-11-29 標(biāo)簽：激光器碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2936 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)（2）

IGBT中存在如圖所示的兩個(gè)寄生BJT，BJT_1為NPN型，BJT_2為PNP型，我們來(lái)看看這兩個(gè)寄生BJT的電流增益有多大。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBTBJT漏電流 1196 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（2）

上一章我們講到了載流子濃度與電流的關(guān)系，并且知道了載流子在I區(qū)的濃度分布是非對(duì)稱的。

2023-11-28 標(biāo)簽：IGBTPIN載流子 1099 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（1）

IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管IGBT 2499 0

一文解讀電荷的復(fù)合

根據(jù)前面的分析，電子或者空穴產(chǎn)生于導(dǎo)帶和價(jià)帶中是一個(gè)統(tǒng)計(jì)概率，這個(gè)概率符合費(fèi)米分布規(guī)律。

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT電荷 2443 0

深入探討對(duì)PNPN四層結(jié)構(gòu)的晶閘管正向阻斷過程的機(jī)理

“基于碰撞電離率模型的平行平面結(jié)和晶閘管的研究”和“基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合”對(duì)平行平面結(jié)的雪崩擊穿電壓、碰撞電離率積分等進(jìn)行了討...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管晶閘管等效電路 4.8萬(wàn) 0

基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析

我們應(yīng)用簡(jiǎn)單的Fulop模型對(duì)平行平面結(jié)進(jìn)行了分析，對(duì)復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡(jiǎn)，由化簡(jiǎn)的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管PN結(jié)擊穿電壓 1742 0

基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點(diǎn)結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運(yùn)動(dòng)有關(guān)。

2023-11-27 標(biāo)簽：晶閘管擊穿電壓MATLAB仿真 4.8萬(wàn) 0

科普IGBT這玩意兒—從名稱入手

IGBT的英文全稱和基礎(chǔ)概念對(duì)于微電子技術(shù)猿來(lái)說(shuō)，想必已經(jīng)耳熟能詳。

2023-11-24 標(biāo)簽：晶閘管變頻器IGBT 2153 0

電力電子器件基礎(chǔ)知識(shí)概述—電力二極管、晶閘管

在電力電子技術(shù)應(yīng)用上，要有系統(tǒng)觀念。一個(gè)電力電子系統(tǒng)，由主電路、驅(qū)動(dòng)電路、控制電路等組成。

2023-11-22 標(biāo)簽：二極管晶閘管整流電路 2866 0

什么是EML和DML激光器？EML和DML兩種激光器到底有什么不一樣？

EML（External Cavity Laser）和DML（Distributed Feedback Laser）兩種激光器在光模塊中都扮演著重要的角...

2023-11-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器光纖通信 3647 0