金剛石基氮化鎵（GaN）技術(shù)的未來展望

Felix Ejeckam于2003年發(fā)明了金剛石上的GaN，以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統(tǒng)更節(jié)能...

2018-07-26 標(biāo)簽：功率器件GaN金剛石 1.6萬 0

金剛石半導(dǎo)體應(yīng)用與優(yōu)缺點(diǎn)

金剛石半導(dǎo)體是指將人造金剛石用作半導(dǎo)體材料的技術(shù)和產(chǎn)物。由于金剛石具有極高的熱導(dǎo)率、電絕緣性、硬度和化學(xué)穩(wěn)定性，因此金剛石半導(dǎo)體可以用于制造高功率、高頻...

2023-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率放大器金剛石 6418 0

金剛石碳化硅晶體硅的熔沸點(diǎn)怎么比較

金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料，它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石 金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶體硅金剛石電導(dǎo)率 4623 0

金剛石的應(yīng)用領(lǐng)域及性能

金剛石是碳元素（C）的單質(zhì)同素異構(gòu)體之一，為面心立方結(jié)構(gòu)，每個碳原子都以sp雜化軌道與另外4個碳原子形成σ型共價(jià)鍵，C—C鍵長為0.154nm，鍵能為7...

2023-02-09 標(biāo)簽：傳感器電力電子器件金剛石 4507 0

金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用梳理

金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類型，大致可分為單形和聚形，每種類型都具有不同的特性和應(yīng)用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應(yīng)用。

2024-01-02 標(biāo)簽：金剛石CVD 3654 0

金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅的原因

金剛石和晶體硅都是原子晶體，它們的熔沸點(diǎn)主要取決于原子間的鍵合強(qiáng)度。以下是一些關(guān)鍵因素，這些因素決定了金剛石的熔沸點(diǎn)高于晶體硅： 原子間鍵的類型 ：金剛...

2024-08-08 標(biāo)簽：三維晶體硅金剛石 2398 0

金剛石表面改性技術(shù)研究概況

金剛石具有極高的硬度、良好的耐磨性和光電熱等特性，廣泛應(yīng)用于磨料磨具、光學(xué)器件、新能源汽車和電子封裝等領(lǐng)域，但金剛石表面惰性強(qiáng)，納米金剛石分散穩(wěn)定性差，...

2023-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子封裝金剛石 2173 0

氮化鎵的重要性以及制備方法

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 1829 0

金剛石晶格約束下二維固態(tài)氦盤的晶體結(jié)構(gòu)介紹

金剛石憑借其具有超寬帶隙（~5.5eV）、低介電常數(shù)、高載流子遷移率以及極高的擊穿強(qiáng)度以及耐腐蝕性等優(yōu)異的性能，有望成為下一代微電子和光電器件的理想材料...

2022-10-20 標(biāo)簽：光電器件石墨金剛石 1609 0

【大尺寸功能晶體】高能量密度單晶金剛石快速生長

近日，哈爾濱工業(yè)大學(xué)代兵教授、朱嘉琦教授團(tuán)隊(duì)在最新成果中，提出了一種利用等離子體聚集裝置實(shí)現(xiàn)高能量密度快速生長的方法，并對等離子體相關(guān)性狀和生長材料進(jìn)行...

2023-02-09 標(biāo)簽：晶體金剛石能量密度 1475 0