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      標(biāo)簽　>　鐵電存儲(chǔ)器

      鐵電存儲(chǔ)器

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      　　鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來。

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      鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

      　　鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器和閃存）結(jié)合起來。由于鐵電存儲(chǔ)器不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）一樣密集（即在同樣的空間中不能存儲(chǔ)像它們一樣多的數(shù)據(jù)），它很可能不能取代這些技術(shù)。然而，由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲(chǔ)，它有望在消費(fèi)者的小型設(shè)備中得到廣泛地應(yīng)用，比如個(gè)人數(shù)字助理（PDA）、手機(jī)、功率表、智能卡以及安全系統(tǒng)。鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）比閃存更快。在一些應(yīng)用上，它也有可能替代電可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM），并成為未來的無線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件 。

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      鐵電存儲(chǔ)器知識(shí)

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      鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)

      新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成，這將改變下一代存儲(chǔ)格局

      新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成，這將改變下一代存儲(chǔ)格局

      不過，就研發(fā)階段而論，F(xiàn)eFET本身并不是一個(gè)新器件。對(duì)于FeFET，其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...

      2018-01-10 標(biāo)簽：內(nèi)存場(chǎng)效應(yīng)晶體管鐵電存儲(chǔ)器 2.3萬 0

      一文解析鐵電存儲(chǔ)器使用及工作原理

      一文解析鐵電存儲(chǔ)器使用及工作原理

      FRAM存儲(chǔ)器操作經(jīng)過設(shè)計(jì)，以使在開關(guān)電容器中感應(yīng)出的電荷至少是未開關(guān)電容器可用電荷的兩倍。

      2021-01-21 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器fram 2.2萬 0

      鐵電存儲(chǔ)器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

      鐵電存儲(chǔ)器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)

      1、鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用 美國(guó)Ramtron公司鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體...

      2021-01-13 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu存儲(chǔ)器 1.7萬 0

      鐵電存儲(chǔ)器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

      鐵電存儲(chǔ)器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

      鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。

      2024-01-23 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)器fram 8018 0

      利用FRAM作為數(shù)據(jù)緩沖器的通信方式

      鐵電存儲(chǔ)器是美國(guó)Ramtran公司推出的一種非易失性存儲(chǔ)器件，簡(jiǎn)稱FRAM。

      2019-08-12 標(biāo)簽：緩沖器鐵電存儲(chǔ)器 3939 0

      什么是FRAM？關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹

      什么是FRAM？關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹

      FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

      2023-12-15 標(biāo)簽：閃存EEPROMfram 3766 0

      鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析

      兩種最常見的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的，對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來說足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快...

      2023-01-30 標(biāo)簽：MOSFETDRAM存儲(chǔ)器 3713 0

      鐵電存儲(chǔ)器和Flash的區(qū)別

      鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，它們?cè)诠ぷ髟?、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面...

      2024-09-29 標(biāo)簽：閃存FlaSh鐵電存儲(chǔ)器 3110 0

      FM25V02A-GTR型號(hào)存儲(chǔ)器的產(chǎn)品介紹

      FM25V02A-GTR型號(hào)存儲(chǔ)器的產(chǎn)品介紹

      　　FM25V02A-GTR型號(hào)元器件是一款鐵電存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)的鐵電工藝，可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能，可以保持151年，同時(shí)消除了復(fù)雜性，串行通信引起的...

      2022-11-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器EEPROMF-RAM 2544 0

      鐵電存儲(chǔ)器有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

      鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)市場(chǎng)中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技...

      2024-09-29 標(biāo)簽：FlaShfram鐵電存儲(chǔ)器 2310 0

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      鐵電存儲(chǔ)器資料下載

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      鐵電存儲(chǔ)器資訊

      fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

      鐵電存儲(chǔ)器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存...

      2020-12-03 標(biāo)簽：fram鐵電存儲(chǔ)器 7680 0

      利用鐵電存儲(chǔ)器作為數(shù)據(jù)緩沖器的通信方式

      鐵電存儲(chǔ)器是美國(guó)Ramtran公司推出的一種非易失性存儲(chǔ)器件，簡(jiǎn)稱FRAM。與普通EEPROM、Flash-ROM相比，它具有不需寫入時(shí)間、讀寫次數(shù)無限...

      2019-08-06 標(biāo)簽：緩沖器通信鐵電存儲(chǔ)器 4043 0

      鐵電存儲(chǔ)器FM24C16的頁面寫和任意字節(jié)讀匯編程序

      下面給出FM24C16的頁面寫和任意字節(jié)讀匯編子程序。程序經(jīng)過應(yīng)用驗(yàn)證，效果良好(為保證穩(wěn)定性，可以在相應(yīng)地方加入空語句以延時(shí))。

      2010-07-22 標(biāo)簽：鐵電存儲(chǔ)器FM2 3468 0

      鐵電存儲(chǔ)器FRAM的優(yōu)劣勢(shì)

      FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，F(xiàn)RAM的讀寫更快、壽命更長(zhǎng)，F(xiàn)RAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡...

      2021-05-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器fram鐵電存儲(chǔ)器 2562 0

      富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

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      鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用鐵電文件作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器的存儲(chǔ)器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周...

      2022-02-17 標(biāo)簽：SPIfram鐵電存儲(chǔ)器 2085 0

      國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于汽車儀表盤，兼容富士通

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      國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代

      2023-10-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器汽車儀表盤 1819 0

      Ramtron推出最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM) FM24C64C

      Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器...

      2011-07-22 標(biāo)簽：F-RAMRamtron鐵電存儲(chǔ)器 1809 0

      新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C適用便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)

      拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)

      2022-08-27 標(biāo)簽：賽普拉斯存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器 1710 0

      Ramtron全新高速串口F-RAM存儲(chǔ)器系列出樣

      Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲(chǔ)器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國(guó)晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲(chǔ)器...

      2011-10-27 標(biāo)簽：F-RAMRamtron鐵電存儲(chǔ)器 1705 0

      4KBit I2C鐵電存儲(chǔ)器MB85RC04V的特點(diǎn)

      富士通型號(hào)MB85RC04V是一款FRAM芯片，位寬為512字×8位，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。與SRAM不同，MB85R...

      2022-01-18 標(biāo)簽：fram鐵電存儲(chǔ)器 1673 0

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      鐵電存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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        非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
      • Ceph
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      jf_24782559 書中自有顏如鈺

      編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題