新款旗艦手機中的存儲器技術(shù)解析

從絲印上可以看出分別為：H58GG6MK6GX037 和 HN8T25DEHKX077（由于屏蔽罩遮擋，按照海力士命名規(guī)則第一個字母應(yīng)該是H）。 在海力...

2023-09-08 標(biāo)簽：閃存存儲器海力士 3266 0

選擇閃存陣列時需要注意的事項

高性能的閃存的開發(fā)和采購迅速增長成為了投資閃存的關(guān)鍵驅(qū)動因素。這其中包括任務(wù)關(guān)鍵型事務(wù)數(shù)據(jù)庫、分析和高性能計算工作負(fù)載、虛擬桌面基礎(chǔ)設(shè)施(VDI)，以及...

2018-08-01 標(biāo)簽：閃存服務(wù)器 3202 0

華為P10內(nèi)存門仍在發(fā)酵，讓我們詳細(xì)解析一下幾種存儲技術(shù)的特點

隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動裝置上的普及，以及手機處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求，新一代的通用閃存儲存（UFS）...

2017-04-21 標(biāo)簽：閃存存儲技術(shù)ufs2.1 3186 0

智能手機中的高速內(nèi)存：MIPI UniPro v1.8 for JEDEC UFS v3.0

閃存是智能手機最重要的組件之一，每個新版本都會帶來更高的內(nèi)存容量和性能。近年來采用最快的閃存技術(shù)是通用閃存（UFS），UFS v2.1提供~11Gbps...

2023-05-26 標(biāo)簽：智能手機閃存定時器 3164 0

長江存儲232層閃存揭秘

長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片閃存TLC 3161 0

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。

2023-11-30 標(biāo)簽：閃存NANDFlaSh 3061 0

使用ONFI 1到4加速前進：50到800MBps

閃存最初是隨著外部存儲設(shè)備（例如USB存儲設(shè)備）進入家庭的，容量非常適中，只有幾MB，現(xiàn)在已經(jīng)達到數(shù)百GB?，F(xiàn)在，它已經(jīng)無處不在，從智能手機到物聯(lián)網(wǎng)、可...

2023-05-26 標(biāo)簽：閃存usb物聯(lián)網(wǎng) 2966 0

一文搞懂安全存儲相關(guān)的閃存芯片

一、W25N01G的常規(guī)描述W25N01GV有65536個page(頁)，每頁有2048個字節(jié)(2KB)可以按照64頁(64頁為1個block)進行擦除...

2024-04-14 標(biāo)簽：閃存閃存芯片安全存儲器 2933 0

計算機SSD行業(yè)分類及產(chǎn)業(yè)鏈分析

固態(tài)驅(qū)動器（SSD）是一種由固態(tài)電子存儲芯片陣列構(gòu)成的存儲設(shè)備，由控制單元和存儲單元組合而成。其接口規(guī)范、功能和使用方法與傳統(tǒng)硬盤完全一致，外形和尺寸也...

2023-10-12 標(biāo)簽：閃存SSD數(shù)據(jù)中心 2924 0

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：閃存NAND晶體管 2865 0