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標(biāo)簽 > 閃存
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位(注意:NOR Flash 為字節(jié)存儲。),區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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NOR閃存器件的發(fā)展特點及實現(xiàn)低成本存儲器解決方案
SPI串行結(jié)構(gòu)的EEPROM最早出現(xiàn)于20世紀80年代中期,由摩托羅拉在其MC68HC系列中首先引入,MicroWire是由國半制定的總線標(biāo)準,它和SP...
PY25Q64HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備,設(shè)計用于各種大容量的基于消費者的應(yīng)用程序,其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦...
UFS(Universal Flash Storage, 通用閃存存儲)協(xié)議是JEDEC為移動存儲設(shè)備制定的通訊接口協(xié)議,業(yè)界通常將基于UFS協(xié)議的移動...
2022-09-22 標(biāo)簽:閃存數(shù)據(jù)帶寬 1636 0
美光科技DRAM和通用閃存3.1嵌入式解決方案通過高通平臺認證
美光的低功耗內(nèi)存解決方案為驍龍XR2 Gen 2平臺上的元宇宙應(yīng)用提供高速和高能效。 美光科技宣布,其低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X(LPDDR5X)DRAM和...
閃存驅(qū)動器的另一個主要問題是電源故障保護。臨時緩沖區(qū)包含驅(qū)動器下一步應(yīng)該寫入的數(shù)據(jù)以及必須擦除的舊位置等信息,這些存儲在易失性存儲器中,這種情況下,突然...
PY25Q128HA串行接口閃存設(shè)備產(chǎn)品概述
PY25Q128HA是一種串行接口閃存設(shè)備,設(shè)計用于各種大容量的基于消費者的應(yīng)用程序,其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的...
使用Vivado通過AXI Quad SPI實現(xiàn)XIP功能
本博客提供了基于2023.2 Vivado的參考工程,展示如何使用Microblaze 地執(zhí)行(XIP)程序,并提供一個簡單的bootloader。
ZNS SSD設(shè)計架構(gòu)及性能優(yōu)化
ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責(zé)任從FTL轉(zhuǎn)移到主機軟件,ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁的映射、...
當(dāng)前業(yè)內(nèi)一般的做法是記錄塊的讀取次數(shù),當(dāng)達到閾值時就把對應(yīng)塊上面的數(shù)據(jù)進行搬移,即讀回收(Read Reclaim)的操作。然而,在讀密集的應(yīng)用上,讀干...
增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久的將來達到其極限。2025 年至 2030 年間,新...
NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit...
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