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標(biāo)簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它是...
探索閃存內(nèi)存如何應(yīng)對(duì)“內(nèi)存墻”的可行性
首先，內(nèi)存請(qǐng)求與閃存內(nèi)存之間存在顆粒度不匹配。這導(dǎo)致了在閃存上需要存在明顯的流量放大，除了已有的閃存間接性需求[23,33]之外：例如，將64B的緩存行...
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NA...
2024-03-22 標(biāo)簽：閃存NAND非易失性存儲(chǔ)器 1360 0
先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存產(chǎn)品中的應(yīng)用探討
歡迎了解 邵滋人，李太龍，湯茂友 宏茂微電子（上海）有限公司 摘要： 在存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展過程中，三維閃存存儲(chǔ)器以其單位面積內(nèi)存儲(chǔ)容量大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，正...
MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器
MAX16070/MAX16071閃存可配置系統(tǒng)監(jiān)測(cè)器能夠?qū)Χ鄠€(gè)系統(tǒng)電壓進(jìn)行管理。MAX16070/MAX16071還可通過專用的高邊電流檢測(cè)放大器精確...
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)...
通過Boot swap實(shí)現(xiàn)瑞薩RL78/F24 MCU固件升級(jí)
本文主要說明如何使用已有的程序更新flash中的固件。使用這種方法代碼閃存分為兩個(gè)區(qū)域：執(zhí)行區(qū)域和臨時(shí)區(qū)域。瑞薩flash驅(qū)動(dòng)程序RL78 RFD Ty...
正如艾賓浩斯記憶曲線所示：輸入的信息經(jīng)過人腦的注意過程后被學(xué)習(xí)，學(xué)習(xí)的信息進(jìn)入人腦短時(shí)記憶。遺忘在學(xué)習(xí)后立即開始，若不及時(shí)加以復(fù)習(xí)，短時(shí)記憶中的信息就會(huì)...
先進(jìn)封裝技術(shù)在三維閃存中的應(yīng)用
近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和 5G 等技術(shù)的蓬勃發(fā)展和應(yīng)用，市場(chǎng)對(duì)數(shù)據(jù)處理以及存儲(chǔ)的需求逐漸增大。根據(jù) IDC 預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)圈每年被創(chuàng)建、采集或復(fù)制...
NAND閃存市場(chǎng)分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析
2021年至2027年，以百萬計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）為3%（見圖3），其中，汽車應(yīng)用增長(zhǎng)最快，CAGR為20%；其次則是數(shù)據(jù)中...
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您...
如何為您的應(yīng)用選擇合適的SSD驅(qū)動(dòng)器？
隨著信息的爆發(fā)式增長(zhǎng)，相關(guān)部門在部署信息存儲(chǔ)應(yīng)用時(shí)，越來越多地考慮固態(tài)硬盤(SSD)技術(shù)，這是因?yàn)檫@種技術(shù)具有特別快速的性能。然而，他們可能沒有認(rèn)識(shí)到市...
2013-01-05 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器閃存NAND 1032 0
你知道關(guān)于嵌入式閃存還有哪些錯(cuò)誤觀念嗎？
多年來，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動(dòng)著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入已經(jīng)超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率...
MAXQ7665尋頁(yè)程序和數(shù)據(jù)閃存的應(yīng)用內(nèi)編程
本應(yīng)用筆記介紹如何管理帶有頁(yè)面擦除（PE）閃存的MAXQ7665閃存微控制器（μC）中的內(nèi)部數(shù)據(jù)和程序閃存。此討論包括有關(guān)執(zhí)行程序閃存的應(yīng)用程序內(nèi)編程 ...
低密度NOR閃存可延長(zhǎng)嵌入式應(yīng)用的產(chǎn)品壽命
Microchip 為在產(chǎn)品壽命為 20 年的嵌入式系統(tǒng)中設(shè)計(jì)低密度 NOR 閃存提供了理由，這些系統(tǒng)經(jīng)常面臨 EOL 組件的挑戰(zhàn)。
閃存隨機(jī)讀寫與連續(xù)讀寫各有其重要性，具體取決于應(yīng)用場(chǎng)景和需求。 隨機(jī)讀寫的重要性 延遲小，響應(yīng)快 ： 閃存（尤其是SSD）的隨機(jī)讀寫性能通常較強(qiáng)，因?yàn)槠?..
2024-10-12 標(biāo)簽：閃存SSD數(shù)據(jù)庫(kù) 1005 0
NXP 利用雙閃存組來減輕與等待狀態(tài)相關(guān)的性能損失。LPC1800 系列包括具有高達(dá) 1 MB 閃存的 MCU，其中許多采用雙存儲(chǔ)體策略。
MAXQ7665扇區(qū)可擦除程序和數(shù)據(jù)閃存的應(yīng)用內(nèi)編程
本應(yīng)用筆記介紹如何管理帶有扇形可擦除（SE）閃存的MAXQ7665閃存微控制器（μC）中的內(nèi)部數(shù)據(jù)和程序閃存。此討論包括有關(guān)執(zhí)行程序閃存的應(yīng)用程序內(nèi)編程...
EEPROM為什么會(huì)成為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)理想選擇
EEPROM適合的應(yīng)用眾多，但對(duì)于汽車、醫(yī)療或航天系統(tǒng)等可靠性要求較高的應(yīng)用，開發(fā)人員則希望使用FRAM等更可靠的存儲(chǔ)器解決方案。
2023-12-15 標(biāo)簽：微控制器閃存嵌入式系統(tǒng) 940 0
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