9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1209 NAND Flash存儲器在移動設備應用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡廠商大舉推出云端儲存服務影響，第三季智能手機與平板設備內(nèi)建NAND Flash存儲器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171185 
受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:128508 
近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:231531 通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212124 
存儲器是計算機結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能?；镜?b class="flag-6" style="color: red">存儲器種類見圖基本存儲器種類。
2022-10-18 16:31:486955 
NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321693 
存儲器，NOR 與NAND 存儲邏輯的差異導致二者的應用場景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢在于隨機讀取與擦寫壽命，因此適合用來存儲代碼；NAND 的優(yōu)勢在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231940 
近期，加快芯片國產(chǎn)化進程已經(jīng)成為中國科技企業(yè)最重要的議題之一，中國存儲器芯片設計與制造公司——長江存儲正在加速生產(chǎn)。長江存儲將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量，以爭取更多的市場份額。
2020-09-23 10:05:432660 主要的產(chǎn)品，具備非易失、高密度、低成本的優(yōu)勢，NAND FLASH的這些特點由其特殊架構(gòu)決定。在SLC NANDFLASH中，數(shù)據(jù)是以位（bit）的方式保存在Memory Cell中，一個Cell存儲一
2020-11-19 09:09:58
Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲器內(nèi)部以塊為單元進行分割，而各塊又以頁為單位進行
2018-04-11 10:11:54
NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦寫次數(shù)是NOR 的十倍；NAND 的擦除和寫入速度比NOR 快，讀取速度比NOR 稍慢；1、NAND 和NOR
2021-12-23 06:52:55
Nand Flash的物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
。其結(jié)構(gòu)簡單，因而常用于存儲各種固化程序和數(shù)據(jù)。可以用于存放boot-----FlashFLASH EEPROM 又稱閃存，快閃。flash可擦寫，在單片機中用于存儲程序。因為歷史原因，很多人還是將 Flash 叫做 ROM.....種類有nandflash ，norflash等等...
2021-12-10 06:34:11
存儲級內(nèi)存（SCM）取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
前言
嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點,而SD NAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項目中存儲擴展方案的一個
2023-09-26 17:40:35
一個存儲芯片來緩存拍攝完的圖片。2、寫入速度要求快，這個時候普通的NOR Flash和 NAND Flash它們滿足不了這種快速寫入需求。而SD NAND可以。3、協(xié)議棧，以前的打獵相機存儲在本地
2019-04-26 18:40:02
SD卡、嵌入式SD卡等。它的主要優(yōu)勢在于解決了主控器（例如STM32系列的MCU單片機）使用NAND FLASH、SPI NAND FLASH、eMMC等存儲器時需要自行管理NAND FLASH
2024-01-24 18:30:00
前言:
很感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主提供的兩片SD NAND的存儲芯片，在這里博主記錄一下自己的使用過程以及部分設計。
深入了解該產(chǎn)品：
拿到這個產(chǎn)品之后，我大致了解了下兩款芯片的性能
2023-11-15 18:07:57
FlashMemory有哪些種類？eMMC、UFS、NAND Flash是如何定義的？
2021-06-23 14:50:51
＋RAM的設計，這種取長補短的設計能夠發(fā)揮NOR和NAND各自的優(yōu)勢。除了速度、存儲密度的因素，設計師在選擇閃存芯片時，還需要考慮接口設計、即插即用設計和驅(qū)動程序等諸多問題，因為兩種類型的閃存在上述幾個方面也有很多
2014-04-23 18:24:52
，設計人員也可以把兩種閃存芯片結(jié)合起來使用，用NOR芯片存儲程序，用NAND芯片存儲數(shù)據(jù)，使兩種閃存的優(yōu)勢互補。事實上，這種聰明的設計早已普遍應用于手機、PocketPC、PDA及電子詞典等設備中了。在
2013-04-02 23:02:03
Flash memory是非易失性存儲的，可用于FPGA或者車載芯片上的存儲數(shù)據(jù)的加載。Flash Memory根據(jù)硬件上存儲原理的不同，F(xiàn)lash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND
2022-07-01 10:28:37
?！ ∥覀円部偨Y(jié)了一下，這位客戶需要的是一款大容量、非SPI接口、而且又支持系統(tǒng)啟動接口的存儲芯片，非常巧，客戶的CPU是支持SDIO接口啟動的?！ D NAND就成了客戶的不二選擇?！ S品牌SD
2019-09-24 15:07:41
NAND Flash分為SLC(Single-Level Cell)、MLC(Multi-Level Cell)、TLC(Triple-Level Cell)等三種。早期NAND Flash應用是
2018-06-14 14:26:38
：
大家好，請問有沒有SD卡芯片，可以直接焊接到PCB板上的。
項目需要保存900M以上字節(jié)，nand flash 比較貴?；蛘哂惺裁幢阋说?b class="flag-6" style="color: red">存儲芯片提供。謝謝！
傳統(tǒng)做法無非如下幾種：
用eMMC芯片
2023-11-23 17:25:18
前言嵌入式項目中,比較常見的存儲擴展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAW NAND,各種方案都有其優(yōu)缺點,而SD NAND相對于上述方案具備很多優(yōu)勢,是目前嵌入式項目中存儲擴展方案的一個非常
2023-04-18 23:03:42
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
前言
大家好，我們一般在STM32項目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中，經(jīng)常會用到存儲芯片存儲數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲芯片，我這里采用（雷龍） CS創(chuàng)世 SD NAND 。
SD
2024-01-05 17:54:39
什么是SLC NAND？它有什么特點嗎？和SPI NOR FLASH相比，SLC NAND有什么優(yōu)勢？
2021-06-18 07:26:48
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
，ADSC引腳做什么。所有同步SRAM存儲器將具有這些引腳。從數(shù)據(jù)表中，我知道，例如，直接訪問與處理器或DMA控制器的使用。除了QDR、DDR存儲器之外，哪種類型的同步SRAM用于外部存儲器。感謝和問候蘇巴什
2019-08-15 07:02:35
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數(shù)據(jù)會丟失讀寫速度較快內(nèi)存非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
增長也是非?？捎^的。近些年穿戴式手表產(chǎn)品應用的逐漸增多，也讓CS SD NAND有了用武之地，最近就有做穿戴式手表的客戶找到我們，想要用到大容量存儲的東西，他們很疑惑該怎么辦。很多客戶也是找到我們，經(jīng)過
2019-04-25 16:08:09
有大佬用過SD NAND嗎？這種存儲拿來做產(chǎn)品方便嗎，穩(wěn)定性及可開發(fā)性怎么樣？在stm32平臺上使用SDIO接口驅(qū)動SD NAND怎么樣？
2022-08-01 10:55:46
未來DDR4、NAND Flash存儲器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲
2019-07-23 06:15:10
之前我們一直有在講SD NAND和T卡的對比介紹文檔，我們最近也遇到了客戶案例，在這里分享給大家。最近有一位客戶找到我們，他們的產(chǎn)品是應用在管道工程上面的，需要用到大容量存儲。最開始他們選用的是T卡
2019-04-15 18:11:03
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-5 14:08 編輯
AM3354X 的BOOT+存儲的NAND用MT29F8G08ABACA還是MT29F8G16ABACA根據(jù)這個帖子http
2018-06-04 00:36:06
Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)
Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已
2010-04-12 13:42:171180 
高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021096 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23771 
基于NAND Flash的存儲系統(tǒng)的設計首先要解決壞塊問題。由于NAND Flash自身存在固有壞塊并在擦除和編程中又隨機產(chǎn)生壞塊，因此為了提高設備的可靠性應該將這兩種操作分散在閃存不同的塊
2011-04-25 11:10:101331 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲設備相關(guān)的Linux MTD 子系統(tǒng)NAND 驅(qū)動并就與NAND 閃存相關(guān)的文件系統(tǒng)內(nèi)核以及NAND 閃存存儲設計所關(guān)注的問題如壞塊處理從NAND 啟動當前2.4 和2.6 內(nèi)核中NA
2011-09-27 10:11:10
76 提出一種適用于未來高密度應用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲器概念。在0.13 m工藝下, 以一個使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:4116 東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13853 如何存儲MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:450 NAND編程器:用于NAND存儲器的讀寫
2016-06-08 15:13:4916 的廠商競爭，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:266 ，能夠很好的完成復雜的數(shù)據(jù)信息處理?，F(xiàn)在需要的更多的是如何有效的存儲和管理越來越多的數(shù)據(jù)，隨著對大容量存儲需求的日益迫切，NAND Flash因為其自身的特點成為了嵌入式設備，特別是消費類手持嵌入式設備的最主要存儲解決方案。目前針對NAND
2017-10-19 15:22:580 NAND閃存芯片是智能手機、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003755 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項存儲技術(shù)。由于具備以下四點優(yōu)勢，3D Xpoint被看做是存儲產(chǎn)業(yè)的一個顛覆者： （1）比NAND Flash快1000
2018-04-19 14:09:0050552 
目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00736 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109983 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露，這之前存儲一直都是三星的強項。
2018-08-13 16:08:273366 Altera公司開發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲參考設計，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。參考設計在經(jīng)過優(yōu)化的高性價比單片解決方案中包括
2018-08-24 16:47:00610 NAND寫回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢明顯。頁是NAND中的基本存貯單元，一頁一般為512 B（也有2 kB每頁的large page NAND FLASH），多個頁面組成
2020-05-20 08:57:002769 
Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266587 目前在技術(shù)上，聲音的存儲大都使用大容量的NAND Flash，但一般按照文件系統(tǒng)的方式存儲，這對學生有一定的難度。本聲音播放器的聲音文件采用非文件方式存儲在NAND Flash中，這樣在不需要太多
2018-12-31 11:29:002880 
的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241687 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345464 
本視頻主要詳細介紹了私有云存儲的優(yōu)勢，分別是速度優(yōu)勢、安全優(yōu)勢、統(tǒng)一管理、易于實現(xiàn)集中備份及容災以及易于擴展、升級方便。
2019-01-04 15:15:324462 近日，HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進行了一次大膽預測，在他看來，存儲級內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365829 紫光集團旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522084 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281281 在考慮遷移到云端或多云存儲環(huán)境時，數(shù)據(jù)存儲管理員應該考慮云存儲的優(yōu)勢。例如，傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)對容量有限制，而云存儲服務提供前所未有的可擴展性。此外，云存儲使管理員可以利用多租戶的優(yōu)勢，以及避免與數(shù)據(jù)遷移相關(guān)的麻煩。
2019-07-21 09:51:232660 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161668 存儲級存儲器SCM能夠如同NAND閃存一樣保留其內(nèi)容的能力，也能有像DRAM一樣的的速度，這使得它最終將取代閃存作為首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-11-24 10:31:221485 長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點打造的存儲器大項目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052853 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152379 據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512837 通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46720 
據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492028 DRAM是目前常見的存儲之一，但DRAM并非唯一存儲器件，NAND也是存儲設備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547130 
Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083861 
中國存儲器的努力已縮小到兩個最有前途的參與者，即 NAND 的 YMTC 和 DRAM 的長鑫存儲技術(shù) （CXMT），它們得到了蓬勃發(fā)展的半導體生態(tài)系統(tǒng)的支持。
2022-05-10 15:04:113470 
存儲背后的大腦：NAND 閃存控制器實際上是做什么的？ ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 ， 當人們討論存儲時 ， 只會談論 NAND 閃存 ， 而忽略了控制器這一獨立
2022-09-05 14:42:551464 隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業(yè)應用中的使用持續(xù)增長。雖然更復雜的GUI和應用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠
2022-10-14 11:08:38525 
隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業(yè)應用中的使用持續(xù)增長。雖然更復雜的GUI和應用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應對
2022-10-24 15:24:53341 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32869 
* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36579 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31333 在20nm 工藝節(jié)點之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現(xiàn)更高的存儲容量，NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:578307 盡管NAND市況持續(xù)低迷，但供應鏈傳出，長江存儲繼第2季率先調(diào)漲報價后，近期再度提升報價約5%，坐擁中國龐大內(nèi)需消費市場，享盡主場優(yōu)勢。
2023-07-18 17:59:21799 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23578 
摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06501 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標及應用領(lǐng)域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171472 存儲信息的方式有多種種類，它們在不同的場景和需求下提供了各自的優(yōu)勢和特點。 一、傳統(tǒng)存儲方式 紙張存儲：最古老的存儲方式之一，通過紙張記錄文字和圖像信息。優(yōu)點是易于制作、便于閱讀和保存，但紙張容易
2023-12-01 13:36:091595 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:004035 兒童玩具的發(fā)展一直在不斷創(chuàng)新，而SD NAND作為一種多功能存儲器，為兒童玩具帶來了全新的應用體驗。無論是音樂和故事播放器，還是教育游戲和應用，甚至是圖像和視頻存儲，SD NAND都能發(fā)揮重要作用。
2024-01-31 16:47:16231 
Flash ROM NAND Flash ROM 應該是目前最熱門的存儲芯片了。因為我們生活中經(jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會涉及到它。比如你買手機，肯定會考慮64GB，還是256GB？
2024-03-01 17:08:45165 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:39305 
在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144021
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