移動裝置浪潮，為NAND Flash開辟新市場

在移動裝置的帶動之下，閃存市場成長快速，根據(jù)IHS iSuppli研究指出，由于手機、游戲控制面板和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品市場擴大，NAND Flash在...

2013-07-12 標(biāo)簽：閃存SanDiskNAND Flash 966 0

MRAM技術(shù)再突破 工研院啟動全新內(nèi)存戰(zhàn)局（上）

在工研院即將進入歡慶40周年院慶之際，工研院電光所的研究團隊所開發(fā)出來的“垂直式自旋磁性內(nèi)存技術(shù)”榮獲杰出研究金牌獎，此技術(shù)乍看之下并不顯眼，但該內(nèi)存技...

2013-07-03 標(biāo)簽：閃存DRAMSRAM 1222 0

整合富士通資源　飛索加速嵌入式閃存（eFlash）MCU研發(fā)

Spansion預(yù)計2013年7～9月，完成Fujitsu Semiconductor微控制器、模擬及混合信號部門的購并，未來將全力加速嵌入式閃存（eF...

2013-07-03 標(biāo)簽：MCU閃存嵌入式 2518 0

大數(shù)據(jù)時代，英特爾摩爾定律促進存儲進行演變

對于存儲行業(yè)來說，每10-15年就會發(fā)生比較重大的變化。存儲領(lǐng)域的每一次變革都帶來了存儲行業(yè)新的繁榮。然而自從上世紀(jì)90年代引進存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（SAN）以...

2013-06-25 標(biāo)簽：英特爾閃存摩爾定律 4295 0

科學(xué)研發(fā)新型存儲設(shè)備：比閃存快1萬倍 讀寫僅用10納秒

在現(xiàn)在計算機內(nèi)存技術(shù)中，似乎速度與存儲持久性不可兼得。RAM速度很快，但存儲時間不長，硬盤與閃存則相反。而今，一種原型存儲設(shè)備打破了這種限制，實現(xiàn)了速度...

2013-06-14 標(biāo)簽：閃存 746 0

STEC首次推出全閃存存儲系統(tǒng)

美國時間6月3日，在微軟的TechEd會議上，STEC揭開了一個新的，統(tǒng)一全閃存存儲系統(tǒng)的Windows Storage Server 2012。

2013-06-04 標(biāo)簽：閃存SSD存儲系統(tǒng) 1396 0

PMC斥巨資收購IDT的PCIe閃存控制器部門

引領(lǐng)大數(shù)據(jù)連接、傳送以及存儲，提供創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案的PMC公司日前宣布已經(jīng)針對收購IDT公司企業(yè)級閃存控制器事業(yè)部和特定基于PCI Express（P...

2013-06-03 標(biāo)簽：閃存SSDPCIe 1369 0

英特爾再繪新版圖，3D NAND指日可待

IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司，日前，該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。

2013-05-29 標(biāo)簽：英特爾閃存2D 1649 0

英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40nm嵌入式閃存工藝進行合作

英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。

2013-05-02 標(biāo)簽：英飛凌閃存嵌入式 1734 0

走向萬物互聯(lián)，Spansion將收購富士通MCU和模擬業(yè)務(wù)

飛索半導(dǎo)體公司將收購富士通半導(dǎo)體有限公司的微控制器和模擬業(yè)務(wù)。前者的閃存技術(shù)，加上收購的微控制器和模擬產(chǎn)品，可以促進高效能片上系統(tǒng)解決方案的問世，這些解...

2013-05-02 標(biāo)簽：MCU閃存嵌入式 2903 0

美高森美推出滿足油氣行業(yè)鉆井探測環(huán)境的高溫快閃存儲器產(chǎn)品

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC）...

2013-04-15 標(biāo)簽：閃存美高森美 711 0

NOR閃存前景不妙，SPI NOR閃存困境獲勝

今年NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機與平板電腦等移動產(chǎn)品所青睞的存儲解決方案。甚至在NOR...

2013-04-10 標(biāo)簽：閃存NANDNOR 2805 0

智能互聯(lián)與嵌入式系統(tǒng) 引燃閃存新戰(zhàn)局

預(yù)計五大趨勢將持續(xù)推動閃存的銷售：1. 互聯(lián)設(shè)備的普及；2. 更為先進的嵌入式應(yīng)用；3. 更優(yōu)秀的用戶界面互動；4. 對非易失性存儲器基礎(chǔ)技術(shù)的日益關(guān)注

2013-01-30 標(biāo)簽：閃存NANDNOR 1384 0

大數(shù)據(jù)分析，半導(dǎo)體技術(shù)必不可少?

進行大數(shù)據(jù)分析時，半導(dǎo)體技術(shù)是必不可少的。雖然存儲器本身的技術(shù)開發(fā)也很重要，但對于大數(shù)據(jù)分析，使存儲器物盡其用的控制器和中間件的技術(shù)似乎更加重要。

2013-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存DRAM 1778 0

誰在引領(lǐng)存儲器需求？NOR和DRAM困擾何在？

這兩年，移動存儲器市場增長的主要動力來自手機、平板等移動終端，NAND與NOR閃存市場格局變化迅速，越來越先進的手機扮演主導(dǎo)角色，左右著該產(chǎn)業(yè)的趨勢，并...

2012-12-25 標(biāo)簽：閃存NANDNOR 1179 0

美光深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草？

DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個季度的虧損，3年來收入達到最低點。這個情況還將持續(xù)多長時間?

2012-12-23 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1305 0

熱能的應(yīng)用 大幅度延長閃存壽命周期

現(xiàn)在已經(jīng)有了一種新方法使得 NAND 閃存的壽命時間比現(xiàn)在更長。延長 NAND 閃存壽命的關(guān)鍵是熱能的應(yīng)用。

2012-12-03 標(biāo)簽：閃存NAND熱能 938 0

游戲者福音：Spansion推出首款45nm 8Gb NOR閃存

2012年11月14日，中國上海 行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司（紐約證交所代碼： CODE）今天宣布推出業(yè)界首款45納米（nm）單芯片...

2012-11-15 標(biāo)簽：閃存Spansion45nm 833 0

基于FPGA的19nm閃存PCIe SSD的設(shè)計與實現(xiàn)

19nm閃存PCIe SSD 以 NAND閃存為基礎(chǔ)的固態(tài)磁盤（SSD）技術(shù)與傳統(tǒng)的機械驅(qū)動器存儲系統(tǒng)相比，吞吐量更高，功耗更低。為此，SSD使用量在過...

2012-11-13 標(biāo)簽：FPGA閃存Xilinx 7155 1