嵌入式閃存中，然而，嵌入式閃存的小型化已近乎突破極限，無法跟上CMOS邏輯的小型化。 據(jù)稱嵌入式閃存的小型化極限是在CMOS邏輯技術(shù)節(jié)點40nm至28nm上產(chǎn)生。嵌入式非易失性存儲器有望在28nm及更高版本的CMOS邏輯上扮演嵌入式閃存的角色。 嵌入式閃
2019-03-13 15:25:55
10487 聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門（300-million gate count）系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工藝。SRAM容量高達100MB，可為高級通訊產(chǎn)品提供優(yōu)異的網(wǎng)路頻寬，滿足高速而穩(wěn)定的傳輸需求，以因應(yīng)新一代通訊產(chǎn)品需求。
2013-01-25 10:13:091286 Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09925 三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實基礎(chǔ)。
2013-05-23 09:05:161636 鎖定汽車應(yīng)用市場的晶片業(yè)者都清楚知道，下一代微控制器（MCU）的戰(zhàn)場是內(nèi)建 40奈米高速存取快閃記憶體的高性能產(chǎn)品；而到目前為止，有兩家主要關(guān)鍵廠商正面臨戰(zhàn)火──瑞薩電子（Renesas）的40奈米快閃記憶體技術(shù)，以及同樣為40奈米的Spansion嵌入式電荷擷?。–harge Trap，eCT）技術(shù)。
2013-12-17 09:21:341579 
針對混合動力汽車（HEVs）和電動汽車（EVs）系統(tǒng)控制應(yīng)用，Renesas（瑞薩電子）推出了32位汽車級微控制器，型號為RH850/C1x。RH850/C1x采用Renesas先進的40nm
2015-10-13 18:18:121355 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過10nm節(jié)點，他們下一個高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權(quán)，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171073 在經(jīng)過2016的一系列擴張之后，近日，Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣，再次為芯片國產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示，中芯國際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個百分點至6%。
2017-01-18 10:46:161220 90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，技術(shù)實力和競爭力再度加強。 華虹半導(dǎo)體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上
2017-12-27 17:59:319666 瑞薩電子株式會社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋層上覆硅）工藝的新型嵌入式閃存低功耗技術(shù)，可提供1.5MB容量，是業(yè)界首款基于65nm SOTB技術(shù)的嵌入式2T-MONOS（雙晶體管-金屬氧化氮氧化硅）閃存.
2019-06-15 10:01:071853 日前，LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
對出現(xiàn)故障的器件進行分析。另一方面，采用并列技術(shù)需要對定制壓焊墊進行定位，以有效地在兩個芯片之間進行綁定。絕大部分應(yīng)用所采用的首選方案均需要一個具有嵌入式閃存的標準微控制器，這種內(nèi)部綁定的應(yīng)用具有重大
2019-04-30 07:00:16
無法突破 90nm 以下節(jié)點，理由是存儲單元擴展面臨諸多困難和挑戰(zhàn)?？扇缃?b class="flag-6" style="color: red">嵌入式閃存已發(fā)展到 28nm 級，因此證明上述看法是錯誤的?，F(xiàn)在面臨的挑戰(zhàn)是將嵌入式閃存邁入 FinFet 工藝時代。不過
2020-08-14 09:31:37
之外，具有高壓能力的嵌入式閃存技術(shù)的一個更大的優(yōu)勢在于元件的長期供應(yīng)。例如，在汽車與工業(yè)應(yīng)用中，產(chǎn)品的壽命周期能達10年或更多。將閃存嵌入IC可以防止出現(xiàn)技術(shù)生命終結(jié)的風(fēng)險，并且由于逐步淘汰當(dāng)前工藝而采用新的工藝，需要對設(shè)計進行定期檢驗，這是采用分立式NVM或閃存微控制器時經(jīng)常會出現(xiàn)的問題。
2019-04-08 09:36:15
嵌入式最小硬件系統(tǒng)是由哪些部分組成的？嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器是如何進行劃分的？可分為哪幾類？
2021-10-22 07:18:56
和實時系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效
嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時詳細說明
嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵
工藝技術(shù)?！ ?/div>
2019-07-11 07:53:14
和實時系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時詳細說明嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
2019-08-23 06:45:41
使用的65nm工藝升級到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時，把頻率拉高到2GHz以上，同時依然保持超低功耗，預(yù)計高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場。 低功耗版本方面，主要
2015-11-24 09:50:20
使用的65nm工藝升級到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時，把頻率拉高到2GHz以上，同時依然保持超低功耗，預(yù)計高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場。 低功耗版本方面，主要
2014-06-25 18:04:03
使用的65nm工藝升級到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時，把頻率拉高到2GHz以上，同時依然保持超低功耗，預(yù)計高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場。 低功耗版本方面，主要
2015-11-25 16:06:53
使用的65nm工藝升級到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時，把頻率拉高到2GHz以上，同時依然保持超低功耗，預(yù)計高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場。 低功耗版本方面，主要
2014-06-30 11:27:50
什么是嵌入式系統(tǒng)？怎樣去搭建一種嵌入式開發(fā)環(huán)境呢？
2021-10-19 07:46:35
隨著嵌入式系統(tǒng)硬件體系結(jié)構(gòu)的變化，嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展趨勢向嵌入式系統(tǒng)高端，即嵌入式軟件系統(tǒng)轉(zhuǎn)移，具體體現(xiàn)在嵌入式操作系統(tǒng)趨于多樣和應(yīng)用軟件日漸復(fù)雜。由于嵌入式系統(tǒng)軟硬件功能界限模糊，研究如何進行系統(tǒng)測試和進行質(zhì)量評估來保證嵌入式系統(tǒng)的產(chǎn)品質(zhì)量具有重要意義。
2019-09-18 07:12:10
本人長期從事嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品軟件規(guī)劃、設(shè)計、開發(fā)及管理相關(guān)工作，熟悉vxworks\linux\android\qnx等常用嵌入式系統(tǒng)驅(qū)動、應(yīng)用等開發(fā)，涉及到工控、軍用、民用等多個行業(yè)，希望尋求合作，聯(lián)系QQ：283744221
2016-10-19 17:07:44
GD32E5高性能微控制器，采用臺積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和經(jīng)濟的開發(fā)成本。推動嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴展，解決數(shù)字電源
2021-12-16 08:13:14
的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機中的MCP以及獨立DRAM和獨立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器，45nm
2023-04-07 16:41:05
嵌入式系統(tǒng)是計算設(shè)備硬件中嵌入軟件作為其核心組件的應(yīng)用。我們身邊現(xiàn)在已經(jīng)被嵌入式系統(tǒng)包圍了，這些產(chǎn)品能為我們的生活帶來各種方便乃至奢華的功能，包括移動手持設(shè)備、洗衣機、微波爐、ATM 機、空調(diào)等等。由于某些特定的應(yīng)用要求，工程師必須以不同于其它設(shè)計類型的特定方法進行嵌入式設(shè)計。
2020-04-13 07:04:24
這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器。射頻收發(fā)器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個產(chǎn)品中的性能目標。MT6169主要特征區(qū)別MT6169是第一個M聯(lián)ATEK射頻收發(fā)器1
2018-08-28 19:00:04
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品，包括手機和數(shù)碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
為何要進行嵌入式軟件架構(gòu)設(shè)計？如何進行嵌入式軟件架構(gòu)設(shè)計？
2021-11-01 06:31:26
什么是嵌入式？嵌入式設(shè)備有哪些呢？
2021-12-24 07:47:47
大多數(shù)汽車] 差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存多年來，大多數(shù)]
2020-01-12 08:00:00
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
輸出）；實時時鐘和看門狗，112個通用I/O 口（可承受5V 電壓）；2 個低功耗模式：空閑和掉電?！ ∑霞筛咚?b class="flag-6" style="color: red">閃存 LPC2000系列的片上閃存專為嵌入式應(yīng)用而設(shè)計。采用0.18微米的工藝
2008-06-17 11:56:19
基于全新Arm? Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟
2021-11-04 08:38:32
如何使用 GDB 進行嵌入式遠程調(diào)試？
2021-12-24 07:01:07
嵌入式flash的特性有哪些？嵌入式flash的操作流程有哪些？
2021-10-08 08:51:35
如何對嵌入式應(yīng)用程序進行調(diào)試
2021-12-24 07:36:55
嵌入式軟件的覆蓋測試原理是什么？嵌入式實時操作系統(tǒng)的覆蓋測試工具是什么？Logiscope在嵌入式操作系統(tǒng)DeltaCORE測試中的應(yīng)用是什么？
2021-05-13 07:30:16
嵌入式閃存技術(shù)認知誤區(qū)
2021-01-12 06:30:12
怎樣在嵌入式A40i開發(fā)板上配置sftp用于文件傳輸呢？請問嵌入式A40i開發(fā)板是如何控制LED閃爍的？
2021-12-27 07:21:34
【來源】：《電子設(shè)計工程》2010年02期【摘要】：<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗證
2010-04-24 09:06:05
40nm等工藝節(jié)點推出藍牙IP解決方案，并已進入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點和最近的45-nm 節(jié)點在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢。最引人注目的優(yōu)勢之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長久以
2008-08-27 00:34:23701 英飛凌、TSMC擴大合作，攜手65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司近日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作，攜手開發(fā)
2009-11-10 09:02:381977 傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551000 臺積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題
據(jù)臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示，臺積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:43893 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗
2010-01-26 08:49:17851 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過華邦拒絕就其將于爾必達合作進
2010-02-02 18:00:12783 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42779 臺積電無奈出B計劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構(gòu)
AMD曾在多個場合確認將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50712 燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司與中芯國際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國際一次性流片驗證成功。
2011-06-22 09:16:331258 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出首款面向芯片卡和安全應(yīng)用的65納米嵌入式閃存(eFlash)微控制器(MCU)樣品。這是英飛凌和臺積電(TSMC)于2009年開始共同開發(fā)及生產(chǎn)65 納米
2011-11-19 00:13:18543 英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快閃 (eFlash)安全芯片樣本，主要用于芯片卡與安全防護應(yīng)用。
2011-11-30 10:07:061176 瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實時應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797 意法·愛立信今天發(fā)布了業(yè)界首個采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍牙和FM收音的平臺CG2905。這款開創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度，推動市場對擴增實境應(yīng)用和先進定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:38783 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺積電進行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺積電28nm工藝節(jié)點制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:34922 益華電腦宣布，晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認證Cadence實體驗證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術(shù)的客制/類比、數(shù)位與混合訊號設(shè)計實體signoff。同時
2014-03-25 09:33:50862 Storage Technology（SST）與先進半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強化型（LPx）/RF平臺的SST 55nm嵌入式SuperFlash? 非易失性存儲器（NVM）產(chǎn)品已通過全面認證并開始投放市場。
2015-05-18 14:48:301429 Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今天宣布，正與 GLOBALFOUNDRIES 展開合作，認證 Mentor? RTL 到 GDS 平臺（包括 RealTime
2015-11-16 17:16:231078 全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司（以下簡稱“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582253 作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè)，中芯國際（SMIC）的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，并稱更先進的28nm工藝版很快也會到來。
2017-01-17 09:40:003747 目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發(fā)力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396 近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205 聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災(zāi)評估這個微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:361757 出樣40nm ReRAM存儲芯片，更先進的28nm工藝版很快也會到來，這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:162811 的2G 、3G 和4G無線通信終端的核心芯片供應(yīng)商之一，今日宣布其首款集成了無線連接的手機基帶平臺-SC6531正式商用。展訊單芯片40nm GSM/GPRS手機基帶平臺SC6531集成了FM與藍牙，更高
2018-11-14 20:39:01419 “芯啟源”）共同合作，集成USB3.0物理層設(shè)計（PHY）與控制器 （Controller）并應(yīng)用于中芯國際40nm和55nm的工藝技術(shù)，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:566394 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:383721 繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開發(fā)公布后，瑞薩電子于2016年9月宣布與臺積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU，將成為瑞薩電子的另一個重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:032715 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142310 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516 Objective Analysis總裁Jim Handy表示：“當(dāng)閃存置于主處理器之外時，保證嵌入式系統(tǒng)的安全性就變得尤為重要。針對閃存無法嵌入MCU的情況，英飛凌推出的安全閃存解決方案是一種極具競爭力的架構(gòu)。
2020-07-20 15:37:591852 ASIC設(shè)計服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布與英飛凌合作推出SONOS嵌入式閃存（eFlash）平臺
2022-12-15 09:06:59707 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 ASIC設(shè)計服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其Ariel? SoC成功通過完整質(zhì)量可靠度驗證，該IoT芯片基于聯(lián)電40納米超低功耗（40ULP）工藝并采用英飛凌SONOS eFlash嵌入式閃存技術(shù)。
2023-08-17 15:58:201104 Z20K11xN采用國產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081075 
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