閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。

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閾值電壓資訊

安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...

2024-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 體二極管充電樁 1268 0

合科泰推出一款可用于高壓電源和電機驅(qū)動的高壓MOS管HKTD7N65

高壓MOS管在很多場景應(yīng)用，通常高壓MOS的特點是溝道區(qū)寬、漏極區(qū)大、導(dǎo)通損耗小、低導(dǎo)通電阻、耐高電壓、高開關(guān)速度、柵極采用特殊工藝等，這些特點使得它的...

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昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0

近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合...

2024-05-11 標(biāo)簽：新能源 MOSFET IGBT 1263 0

英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品

隨著英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品，電機驅(qū)動應(yīng)用領(lǐng)域得到了顯著的推進。

2024-04-17 標(biāo)簽：英飛凌二極管 MOSFET 863 0

什么是MOS管亞閾值電壓？MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的？

什么是MOS管亞閾值電壓？MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的？亞閾值區(qū)在 MOSFET器件中的作用及優(yōu)點? MOS管亞閾值電壓指的是在MOSFET器件...

2024-03-27 標(biāo)簽：MOSFET MOS管閾值電壓 5428 0

合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08

大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性，在大功率應(yīng)用場景如電車、儲能電站、光伏等高功率應(yīng)用上具有重要作用。

2024-03-22 標(biāo)簽：鋰離子電池 MOS管導(dǎo)通電阻 1227 0

安世半導(dǎo)體SiC MOSFET器件都有哪些獨特功能呢？

碳化硅(SiC) MOSFET 日益普及的背后有一些關(guān)鍵的驅(qū)動因素，包括充電站、太陽能光伏(PV)、電動汽車(EV)驅(qū)動、不間斷電源(UPS)和電池儲能...

2024-03-21 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅閾值電壓 1196 0

邁來芯推出一款集成本地互連網(wǎng)絡(luò)（LIN）接口的智能24通道LED驅(qū)動芯片

自汽車工業(yè)誕生以來，安全性始終是汽車設(shè)計的重中之重。與乘客直接互動的汽車系統(tǒng)，如氣囊和安全帶，對于確保乘客在車輛內(nèi)的安全至關(guān)重要。

2024-03-15 標(biāo)簽：電動汽車 LED驅(qū)動芯片充電樁 1562 0

解鎖芯盛智能PCIe SSD—DP2100產(chǎn)品技術(shù)關(guān)鍵詞

工業(yè)領(lǐng)域與行業(yè)領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的要求較高，相關(guān)產(chǎn)品需要經(jīng)過高低溫、濕熱、鹽霧、振動、沖擊等標(biāo)準(zhǔn)評估，同時還要求在惡劣環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作。

2024-03-06 標(biāo)簽：晶體管 SSD PCIe 1283 0

半波整流電路工作原理和特點

半波整流電路工作原理和特點? 半波整流電路是一種常見的電路設(shè)計，它能將交流電信號轉(zhuǎn)換成直流電信號。在本文中，我們將詳細(xì)介紹半波整流電路的工作原理和特點。...

2024-02-01 標(biāo)簽：閾值電壓半波整流電路 3357 0

比較器的帶寬由什么決定？比較器的Slew Rate由什么決定？

比較器的帶寬由什么決定？比較器的Slew Rate由什么決定？比較器的帶寬和Slew Rate是兩個關(guān)鍵指標(biāo)，決定了比較器在工作中的性能表現(xiàn)。首先我...

2024-01-31 標(biāo)簽：比較器閾值電壓 3487 0

碳化硅SIC將會發(fā)力電動汽車？

碳化硅在功率半導(dǎo)體市場（尤其是電動汽車）中越來越受歡迎，但對于許多應(yīng)用來說仍然過于昂貴。

2024-01-29 標(biāo)簽：電動汽車功率半導(dǎo)體 FinFET 3930 0

新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點

2023-12-27 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓 IGBT 1624 0

淺析SiC MOS新技術(shù)：溝道電阻可降85%

我們知道，SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發(fā)的導(dǎo)通電阻和閾值電壓等問題，最近，日本東北大學(xué)提出了一項新的外延生長技術(shù)，據(jù)說可以...

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影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點。MOSFET...

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2023-08-24 標(biāo)簽：晶體管脈沖發(fā)生器電容充電 9371 0

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基于CMOS閾值電壓的基準(zhǔn)電路設(shè)計

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2012-10-10 標(biāo)簽：CMOS 閾值電壓基準(zhǔn)電路 5924 0

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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