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英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品

駿龍電子 ? 來源:英飛凌官微 ? 2024-04-17 11:08 ? 次閱讀

隨著英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品,電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域得到了顯著的推進(jìn)。這一系列產(chǎn)品專為各種電動(dòng)交通工具,(如電動(dòng)滑板車、微型電動(dòng)車及電動(dòng)叉車等)提供了卓越的性能表現(xiàn)。

OptiMOS 6 200 V MOSFET的溝槽技術(shù),通過降低了RDS(on)(漏源電阻),有效減少了傳導(dǎo)損耗,使其在電動(dòng)工具的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了更高效的運(yùn)行。這項(xiàng)技術(shù)不僅優(yōu)化了開關(guān)損耗,降低了電磁干擾(EMI),而且提供了更好的并聯(lián)運(yùn)作能力,這得益于它窄的柵極閾值電壓范圍和降低的跨導(dǎo)效果。其軟二極管特性和低的反向恢復(fù)電荷,加上線性輸出電容的改善,這些都有助于在不同的操作條件下提升系統(tǒng)效率。

這些特性對(duì)于任何需要高效能源交換的應(yīng)用程序,如服務(wù)器、通信、儲(chǔ)能和太陽能系統(tǒng)等,都是至關(guān)重要的。此外,OptiMOS 6 200 V更寬的安全工作區(qū)(SOA)以及更低的RDS(on)的結(jié)合,使得它成為靜態(tài)交換應(yīng)用(如電池管理系統(tǒng))的理想選擇。

與OptiMOS 3相比,OptiMOS 6 200 V的性能有了質(zhì)的飛躍,RDS(on)降低了42%,大大減少了傳導(dǎo)損耗并提升了輸出功率。在二極管的軟切換特性上,OptiMOS 6 200 V的表現(xiàn)是OptiMOS 3的三倍以上,加上89%的Qrr(反向恢復(fù)電荷)降低,使得開關(guān)和EMI性能都得到了顯著提升。寄生電容(Coss 和 Crss)的線性度改進(jìn),減少了開關(guān)時(shí)的振蕩和電壓過沖,緊密的V GS(th)分布和更低的跨導(dǎo)有助于并聯(lián)MOSFET的均衡流動(dòng),實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度分布,同時(shí)減少了并聯(lián)MOSFET的需要。

新的OptiMOS 6 200 V產(chǎn)品系列不僅在技術(shù)性能上設(shè)立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),也因其提高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性,為客戶帶來了實(shí)質(zhì)性的利益。隨著這些創(chuàng)新產(chǎn)品的推出,我們可以期待在電力電子領(lǐng)域的更多應(yīng)用突破和進(jìn)步。

OptiMOS 6 200 V MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

? 低傳導(dǎo)損耗

? 開關(guān)損耗低

?改善了EMI

?減少了并聯(lián)的需要

?并聯(lián)時(shí)更好的電流共享

?符合RoHS,無鉛

OptiMOS 6 200 V MOSFET技術(shù)優(yōu)勢(shì):

? 室溫下RDS(on)減少42%,175°C時(shí)減少53%

?降低了Qrr和提高了電容線性度與開關(guān)性能

?在不影響EMI的情況下,降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗

?改進(jìn)SOA以增加保護(hù)開關(guān)應(yīng)用中MOSFET電流處理

?設(shè)計(jì)優(yōu)化和生產(chǎn)精度使可靠的高性能技術(shù)

OptiMOS 6 200 V 產(chǎn)品采用多種封裝,適合各種應(yīng)用。這一廣泛的封裝產(chǎn)品組合包括 PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P 以及 D2PAK-3P?,F(xiàn)已開放訂購

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審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:新品發(fā)布 | 英飛凌OptiMOS? 6 200 V MOSFET

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