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英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合

要長高 ? 2024-09-30 16:15 ? 次閱讀
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英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX,OTCQX: IFNNY)近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品組合,進一步豐富了該系列的產(chǎn)品線,旨在響應大眾市場對于30V解決方案需求的持續(xù)增長。這款經(jīng)過精心設計的功率MOSFET,憑借高可靠性和易用性,專為滿足廣泛的大眾市場應用需求而生,提供了極大的設計靈活性。其適用場景涵蓋了工業(yè)開關模式電源(SMPS)、電機驅動器、電池供電設備、電池管理系統(tǒng)以及不間斷電源(UPS)等多個領域。

與上一代StrongIRFET?半導體器件相比,StrongIRFET? 2 30V技術實現(xiàn)了顯著的性能提升,其中RDS(on)(導通電阻)降低了多達40%,Qg(柵極電荷)減少了60%。這一進步不僅帶來了更高的功率效率和整體系統(tǒng)性能的提升,還保持了出色的穩(wěn)健性。此外,這款全新的功率MOSFET還簡化了設計導入流程和產(chǎn)品服務,為用戶提供了更加便捷的使用體驗。

目前,采用TO-220封裝的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品已經(jīng)上市銷售。展望未來,英飛凌計劃在2024年底前推出更多行業(yè)標準封裝和引腳選項,包括DPAK、D2PAK、PQFN和SuperSO8等,以滿足不同用戶的需求。憑借其卓越的性價比,這款新產(chǎn)品無疑將成為設計人員的理想選擇。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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