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標簽 > 集成驅動器
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氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而,當壓擺率很高時,特定的封裝類型會限制GaN FET的開關...
技術資料#LMG3422R030 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
技術資料#LMG3411R070 具有集成驅動器和逐周期過流保護的 600V 70mΩ GaN
LMG341xR070 GaN 功率級具有集成驅動器和保護功能,使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,L...
2025-02-26 標簽:過流保護GaN電力電子系統(tǒng) 712 0
技術資料#LMG3612 具有集成驅動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
技術資料#LMG3522R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能,針對開關模式電源轉換器,使設計人員能夠將功率密度和效率提高到新的水平。 LMG352...
技術文檔:LMG3616 具有集成驅動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
技術資料LMG3422R050 具有集成驅動器、保護和溫度報告的 600V 50mΩ GaN FET
LMG342xR050 集成了一個硅驅動器,可實現(xiàn)高達 150V/ns 的開關速度。與分立硅柵極驅動器相比,TI 的集成精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關 S...
瑞薩電子推出業(yè)界超高性能80V雙向升降壓和兩相降壓直流DC/DC控制器
ISL81801雙向升降壓和ISL81802兩相降壓控制器,可為48V電信、數(shù)據(jù)中心及工業(yè)應用可靠供電提供所需額外電壓裕量。
瑞薩電子推出面向物聯(lián)網(wǎng)基礎設施系統(tǒng)的 第二代多相數(shù)字控制器和智能功率級單元模塊(SPS)
瑞薩電子移動、基礎設施及物聯(lián)網(wǎng)電源事業(yè)部副總裁Andrew Cowell表示:“瑞薩電子為客戶打造了業(yè)界廣泛的數(shù)字多相產(chǎn)品系列,是唯一可為1000A+超...
2020-10-15 標簽:電源設計物聯(lián)網(wǎng)瑞薩電子 1799 0
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