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標(biāo)簽 > 雪崩二極管
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雪崩擊穿是在電場(chǎng)作用下,載流子能量增大,不斷與晶體原子相碰,使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的載流子又通過(guò)碰撞產(chǎn)生自由電子-空穴對(duì),這就...
雪崩二極管是利用半導(dǎo)體PN結(jié)中的雪崩倍增效應(yīng)及載流子的渡越時(shí)間效應(yīng)產(chǎn)生微波振蕩的半導(dǎo)體器件。如果在二極管兩端加上足夠大的反向電壓,使得空間電荷區(qū)展寬,從...
雪崩光電二極管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有內(nèi)部光電流增益的半導(dǎo)體光電子器件,又稱固態(tài)光電倍增管。
雪崩光電二極管是一種p-n結(jié)型的光檢測(cè)二極管,其中利用了載流子的雪崩倍增效應(yīng)來(lái)放大光電信號(hào)以提高檢測(cè)的靈敏度。
半導(dǎo)體中的雪崩效應(yīng)是引起pn結(jié)擊穿的一種機(jī)制。加反向偏壓的PN結(jié),其空間電荷區(qū)內(nèi)有很強(qiáng)的電場(chǎng)。
淺談雪崩光電二極管在測(cè)距起到的作用 詳解雪崩二極管靜電毀壞因素
當(dāng)一個(gè)半導(dǎo)體二極管加上足夠高的反向偏壓時(shí),在耗盡層內(nèi)運(yùn)動(dòng)的載流子就可能因碰撞電離效應(yīng)而獲得雪崩倍增。
PIN光電二極管與APD雪崩二極管的優(yōu)缺點(diǎn)介紹
在光電探測(cè)領(lǐng)域,PIN光電二極管和APD雪崩二極管是兩種重要的光電探測(cè)器。它們廣泛應(yīng)用于光通信、光測(cè)量、醫(yī)療成像以及遙感探測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域。
影響雪崩二極管響應(yīng)速度的原因有哪些 詳解雪崩二極管應(yīng)用
在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中,當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí),空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。
大體的原理就是電容內(nèi)的電荷突然釋放在前級(jí)的線圈繞組中,電荷產(chǎn)生一股大電流,電流會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng),然后在安培力的作用下,彈丸會(huì)以很大的速度射出。
在電子工程領(lǐng)域中,二極管作為一種基本的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路和設(shè)備中。其中,雪崩二極管和齊納二極管作為兩種特殊的二極管類型,各自具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功...
偏振成像激光雷達(dá)與短波紅外復(fù)合光學(xué)接收系統(tǒng)設(shè)計(jì)與分析介紹
三維成像激光雷達(dá)因具備主動(dòng)照明、角度分辨率高、可探測(cè)距離信息等優(yōu)勢(shì),被視為是被動(dòng)遙感和微波雷達(dá)后的下一代技術(shù)產(chǎn)品,與傳統(tǒng)被動(dòng)傳感器成像及微波雷達(dá)相比,三...
雪崩二極管,也稱為碰撞雪崩渡越時(shí)間二極管(IMPATT),是一種在微波頻率下使用的二極管,其工作原理基于載流子在高電場(chǎng)中的雪崩倍增效應(yīng)。
雪崩二極管(Avalanche Diode)是一種特殊的二極管,其工作特性主要基于雪崩擊穿效應(yīng)。這種器件在電子領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用,其獨(dú)特的特性和作用使...
雪崩二極管(Avalanche Diode)和齊納二極管(Zener Diode)是兩種具有不同特性和應(yīng)用領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。下面將分別介紹這兩種二極管的...
雪崩二極管與普通二極管在多個(gè)方面存在顯著差異,這些差異主要體現(xiàn)在其工作原理、特性、應(yīng)用領(lǐng)域以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面。
雪崩光電二極管是利用PN結(jié)在高反向電壓下產(chǎn)生的雪崩效應(yīng)來(lái)工作的一種二極管。
2024-04-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸雪崩二極管光信號(hào) 1785 0
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