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驅(qū)動(dòng)電壓

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　　驅(qū)動(dòng)電壓，使器件開(kāi)始工作所需的最小供電電壓。

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驅(qū)動(dòng)電壓技術(shù)

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)電...

2024-07-25 標(biāo)簽：IGBT 驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 5811 0

igbt驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高過(guò)低的后果

IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件，由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...

2024-07-25 標(biāo)簽：發(fā)射極 IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓 2622 0

達(dá)林頓模塊驅(qū)動(dòng)電壓是幾伏

達(dá)林頓模塊（Darlington Module）是一種電子元件，通常用于功率放大器、驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)電路中。它由兩個(gè)或多個(gè)晶體管組成，具有較高的電流增益和電...

2024-07-15 標(biāo)簽：模塊功率放大器電子元件 1690 0

外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些

深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...

2024-05-21 標(biāo)簽：OTP GaN VDD 1521 0

一個(gè)超聲波發(fā)射電路或者接收電路可以接多個(gè)探頭嗎？

在超聲波檢測(cè)系統(tǒng)中，探頭的使用通常取決于特定的應(yīng)用需求和系統(tǒng)設(shè)計(jì)。一個(gè)超聲波發(fā)射電路或接收電路理論上可以連接多個(gè)探頭，但在實(shí)際操作中，這種做法可能會(huì)受到...

2024-05-13 標(biāo)簽：超聲波探頭接收電路 838 0

功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐穲D

功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...

2024-03-07 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 等效電路 1477 0

IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享

所謂集中過(guò)電流保護(hù)，就是檢測(cè)逆變橋輸入直流母線上的電流，當(dāng)該電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí)，封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

2024-02-23 標(biāo)簽：IGBT 光電耦合器過(guò)流保護(hù)電路 3.5萬(wàn) 0

IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過(guò)熱和過(guò)流的區(qū)別

IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個(gè) P+基板（IGBT 的集電極），形成P...

2024-02-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT NPN晶體管 4.8萬(wàn) 0

掌握MOS管規(guī)格書(shū)，參數(shù)縮寫(xiě)全解析

MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）

2024-01-26 標(biāo)簽：電流 MOSFET MOS管 3304 0

為什么小功率無(wú)刷直流電機(jī)中的MOS管會(huì)燒毀？

若該電阻太大，因?yàn)镸OS管會(huì)有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長(zhǎng)時(shí)間達(dá)不到飽和開(kāi)通狀態(tài)，從而過(guò)熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nèi)即可。

2024-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOS管電壓控制 2147 0

什么是負(fù)載開(kāi)關(guān)IC？使用負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的優(yōu)點(diǎn) 負(fù)載開(kāi)關(guān)IC的便捷功能

負(fù)載開(kāi)關(guān)IC是以串聯(lián)方式插入電源與負(fù)載電路或IC之間的一個(gè)半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。

2024-02-17 標(biāo)簽：電源管理電池充電器負(fù)載開(kāi)關(guān) 3789 1

必易微KP85402柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案

KP85402 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)耐壓為 650V，輸出峰值拉電流和灌電流能力分別為 300mA 和 1000mA，專用于驅(qū)動(dòng)功率 MOSFETs 或 IGBTs...

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IGBT模塊的門(mén)極驅(qū)動(dòng)介紹

額定門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓：門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過(guò)此范圍的電壓時(shí)，門(mén)極-發(fā)射極間的氧化膜（SiO2）有可能發(fā)生絕緣破壞或?qū)е驴煽啃韵陆怠?/p>

2024-01-05 標(biāo)簽：電源電壓 IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電流 4293 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的抑制方法簡(jiǎn)析（下）

高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-20 標(biāo)簽：MOSFET 電磁干擾 SiC 6393 2

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。

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共模/差模/偶模/奇模你能區(qū)分嗎？

模態(tài)是指?jìng)鬏斁€對(duì)的特殊激勵(lì)狀態(tài)。兩線上有相同的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)為偶模；兩線上有相反的驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)為奇模。

2023-12-06 標(biāo)簽：阻抗傳輸線差分信號(hào) 3236 0

MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程簡(jiǎn)析

本文就MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過(guò)程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)...

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SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

2023-12-05 標(biāo)簽：SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 SiC MOSFET 2838 0

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2023-11-15 標(biāo)簽：MOS 功率器件氮化鎵 541 0

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驅(qū)動(dòng)電壓

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