步進(jìn)電機(jī)失步的原因和解決辦法

轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)磁場 解釋： 轉(zhuǎn)子的加速度慢于步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)磁場，即低于換相速度時(shí)，步進(jìn)電動(dòng)機(jī)會(huì)產(chǎn)生失步。這是因?yàn)檩斎腚妱?dòng)機(jī)的電能...

2023-10-20 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)步進(jìn)電機(jī)步進(jìn)電動(dòng)機(jī) 3634 0

談?wù)勚绷鞴β恃h(huán)老化的測試方法

經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個(gè)實(shí)驗(yàn)，總覺得這個(gè)不是很簡單嗎，不就是IGBT溫度在一定范圍波動(dòng)，然后經(jīng)過幾萬次循環(huán)，再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...

2023-10-19 標(biāo)簽：IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電壓 1750 0

MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級效應(yīng)

本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...

2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管寄生電容CMOS集成電路 6676 0

基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng)實(shí)現(xiàn)每比特阿焦級的電光調(diào)制器

MIT研究小組基于硅光波導(dǎo)中的光伏效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了每比特阿焦級的電光調(diào)制器，創(chuàng)造了新的低功耗調(diào)制器記錄。

2023-09-19 標(biāo)簽：二極管晶體管光伏效應(yīng) 2146 0

大家能Get到DCDC高端NMOS的自舉秘訣嗎？

NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈極到S極，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾極到G極，導(dǎo)通條件為VS...

2023-10-02 標(biāo)簽：二極管電阻器自舉電容 1700 1

一個(gè)神奇的振蕩升壓電路—焦耳小偷電路概述

焦耳小偷（Joule Thief）可以榨干一顆電池的能量，即使是平常所謂“用光了”的舊電池，通過它也能繼續(xù)發(fā)揮“余熱”。所以將其形象地比喻為電能量“焦耳...

2023-09-07 標(biāo)簽：三極管升壓電路振蕩器 1.3萬 3

基于使用振動(dòng)的觸覺反饋技術(shù)的運(yùn)用可能性

和偏心馬達(dá)的不同之處？超薄型Piezo（壓電）觸覺反饋設(shè)備 "PiezoHapt?執(zhí)行器"是使用了振動(dòng)的觸覺反饋技術(shù)及觸覺反饋等，擴(kuò)大了VR可運(yùn)用性的薄...

2023-08-21 標(biāo)簽：顯示器馬達(dá)執(zhí)行器 1439 1

總電壓采樣電路中使用MOS作為開關(guān)的問題

使用高壓MOS作為開關(guān)，例如下圖（來自于ADI官網(wǎng)）LTC2949的典型應(yīng)用電路中，使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關(guān)；選用高壓MOS的原因是成本相對...

2023-07-06 標(biāo)簽：三極管MOS管VDS 2514 0

二端口網(wǎng)絡(luò)噪聲分析方法在低噪聲放大器中的應(yīng)用

系統(tǒng)中的噪聲限制了一個(gè)電路能夠正確處理的最小信號電平，它與功耗、速度、線性度之間是相互制約的。

2023-07-06 標(biāo)簽：MOS管混頻器VCO 2133 0

低電壓的柔性電子皮膚體現(xiàn)的神經(jīng)形態(tài)感知-運(yùn)動(dòng)回路

皮膚在人體中扮演著重要的角色，作為人體與外界的主要接口和保護(hù)層。

2023-06-06 標(biāo)簽：傳感器機(jī)器人晶體管 1439 0

什么是超結(jié)高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關(guān)斷特性

功率MOSFET在開通的過程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由...

2023-02-16 標(biāo)簽：電流功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓 1994 0

IEDM 2022上的新型存儲(chǔ)器簡介

在筆者看來，市場對新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。

2023-02-14 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器CMOS工藝 2727 0

差分線是如何去定義的呢

差分線本身沒有什么特別，決定它們特性的是這兩條傳輸線上的信號傳輸方式。差分線除了傳輸差分信號，還有共模信號，前一種是大小相等方向相反的驅(qū)動(dòng)電壓，后一種是...

2022-08-16 標(biāo)簽：lvds差分阻抗共模信號 4206 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓 1656 0