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      標(biāo)簽　>　3D閃存

      3D閃存

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      3d閃存技術(shù)

      3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

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      3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。

      2025-04-08 標(biāo)簽：NAND制造工藝閃存芯片 903 0

      長江存儲232層閃存揭秘

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      2023-11-02 標(biāo)簽：芯片閃存TLC 3161 0

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      3d閃存帖子

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      3d閃存資訊

      鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

      鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度

      兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù)，為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)舊金山,國際固態(tài)電路會議（ISSCC）——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D閃存技...

      2025-02-25 標(biāo)簽：閃存NAND接口 474 0

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      服務(wù)器支撐閃存芯片市場增長，上下游企業(yè)加速布局基礎(chǔ)設(shè)施、汽車新興領(lǐng)域

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      Kioxia和西部數(shù)據(jù)合作開發(fā)第六代162層3D閃存技術(shù)

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      2021-02-20 標(biāo)簽：CMOS西部數(shù)據(jù)3d nand 2561 0

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      2020-12-11 標(biāo)簽：控制器NANDTDK 1105 0

      解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

      這是因為，Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離，從這一程度上講，利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...

      2020-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND3D閃存 2340 0

      三星正在開發(fā)160堆棧3D閃存 將大幅改進(jìn)制造工藝

      上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn)，三星等公司也沒閑著，三星...

      2020-04-20 標(biāo)簽：三星電子3D閃存 713 0

      三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

      據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進(jìn)制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧...

      2020-04-20 標(biāo)簽：三星電子3D閃存 686 0

      閃存存儲的價格什么時候可能會下降

      因為3D閃存技術(shù)允許有更多的細(xì)胞堆疊在給定的表面積，這樣總?cè)萘繉⒈葘嶋H可以使用的容量要大很多。

      2020-03-27 標(biāo)簽：存儲3D閃存 787 0

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      3d閃存數(shù)據(jù)手冊

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