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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來實(shí)現(xiàn)。
為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,M...
Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器特性/應(yīng)用/框圖
Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器可有效驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT和SiC電源開關(guān)。UCC...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器 68 0
ADI Trinamic TMC6140-LA 3相BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. TMC6140三相BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化用于永磁同步電機(jī) (PMSM) 和無刷直流 (BLDC) ...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET永磁同步電機(jī)Analog 81 0
ADI Trinamic TMC6140-EVAL-KIT評(píng)估套件數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. TMC6140-EVAL-KIT評(píng)估套件是用于TMC6140三相BLDC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的完整模塊化演示...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETAnalog評(píng)估套件 85 0
辰達(dá)MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用與優(yōu)化策略
一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用開關(guān)功能DC-DC變換器的核心工作原理是通過高頻開關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFE...
TPS53313 具有優(yōu)化輕負(fù)載效率的 4.5V 至 16V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS53313 提供集成兩個(gè) N 溝道 MOSFET 的 5V 或 12V 同步降壓轉(zhuǎn)換器。由于低 R ~DS(開)~ 和 TI 專有的 Smooth...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETPWM開關(guān)頻率 156 0
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電力開關(guān) 99 0
LM3102-Q1系列 同步 1MHz 2.5A 降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM3102-Q1 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器具有實(shí)現(xiàn)高效且經(jīng)濟(jì)高效的降壓穩(wěn)壓器所需的所有功能。該器件可為輸出電壓低至 0.8 V 的負(fù)載提供 2.5 A 的電...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET元件降壓轉(zhuǎn)換器 142 0
LM34927 7.5-100V 寬輸入電流、600mA 集成次級(jí)偏置穩(wěn)壓器,用于隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM34927穩(wěn)壓器具有實(shí)現(xiàn)低成本、高效、隔離式偏置穩(wěn)壓器所需的所有功能。該高壓穩(wěn)壓器包含兩個(gè) 100V N 溝道 MOSFET 開關(guān) — 一個(gè)高側(cè)降壓...
TPS5432 2.95V 至 6V 輸入、3A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS5432 是一款集成 MOSFET 的 6V、3A、低 Iq、電流模式、同步單片降壓轉(zhuǎn)換器。該TPS5432通過集成 MOSFET、實(shí)現(xiàn)電流模式控...
2025-07-01 標(biāo)簽:MOSFET元件降壓轉(zhuǎn)換器 211 0
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可以并聯(lián) MULTICH_CONNECT_PCB SINK_FET_EN和SAFE_POWER_EN輸出來切換同一個(gè)MOSFET嗎?
標(biāo)簽:MOSFET 1014 1
禾納AET3156AP P通道EpicMOST規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-06-19 標(biāo)簽:MOSFET 74 0
AET3152AP常用P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管p溝道 131 0
AET3152AP P溝道高級(jí)模式MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFETp溝道 65 0
ZSKY-ZS7N65A N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 47 0
ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 79 0
數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM27213系列專用MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器
隨著高頻、高效率開關(guān)電源在電信電源設(shè)備、數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)品等眾多領(lǐng)域的應(yīng)用持續(xù)拓展與深化,電源管理組件的性能優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)整體效率與穩(wěn)定性起著決...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器數(shù)明半導(dǎo)體 172 0
英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2,適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:...
B3M020120H(SiC MOSFET)其替代IGBT單管的應(yīng)用價(jià)值分析
基于B3M020120H(SiC MOSFET)的技術(shù)參數(shù),以下是其替代IGBT單管的應(yīng)用價(jià)值分析,重點(diǎn)突出核心優(yōu)勢(shì)與潛在考量: 核心優(yōu)勢(shì) 高頻高效能 ...
更低Rdson,更強(qiáng)動(dòng)力!捷捷微電MOSFET讓您的UPS甩開能效焦慮!
UPS的“芯”動(dòng)力在數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等關(guān)鍵領(lǐng)域,不間斷電源(UPS)如同“電力衛(wèi)士”,保障著系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。而作為UPS核心“開關(guān)”的功率...
新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封...
D3502C高壓降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品簡(jiǎn)介
? ? ? ? ?在當(dāng)今電子設(shè)備日益復(fù)雜和多樣化的背景下,高效、可靠的電源管理解決方案成為關(guān)鍵。Silicore芯谷科技推出的D3502C高壓降壓轉(zhuǎn)換器...
2025-06-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器 115 0
2025高端掃地機(jī)器人MOSFET選型分析:從分立器件到系統(tǒng)級(jí)能效革命
在2025年智能清潔設(shè)備激烈競(jìng)爭(zhēng)中,旗艦級(jí)掃地機(jī)器人的性能邊界正被MOSFET技術(shù)重新定義。本文深度拆解最新一代產(chǎn)品的功率電子架構(gòu),揭示三大核心發(fā)現(xiàn): ...
性能飛躍!納芯微新一代CSP MOS NPM12017A守衛(wèi)鋰保安全
納芯微發(fā)布全新CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,性能顯著提升,阻值降低26%,溫升降30%,耐受能力提升50%,達(dá)國(guó)...
揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通...
2025-06-27 標(biāo)簽:MOSFET清潔能源揚(yáng)杰科技 248 0
集成單相MOSFET驅(qū)動(dòng)器、高端MOSFET和低端MOSFET為一體的驅(qū)動(dòng)器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是包含了速度控制、力矩控制、位置控制及過載保護(hù)等功能的集成電路,可以根據(jù)輸入信號(hào),按照內(nèi)置的算法控制電機(jī)繞組電路流動(dòng)方向,從而控制電動(dòng)機(jī)的啟...
2025-06-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 83 0
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