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開(kāi)關(guān)電源芯片U52143概述和主要特征
選擇適合自己的旅充方案可以保證在旅行中始終保持手機(jī)電量充足,以便隨時(shí)記錄美好的旅程,以及與他人保持聯(lián)系。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的5v2A旅充方案,采用開(kāi)...
2023-11-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源控制電路BJT 787 0
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)
在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。
教科書上面在講述TTL工作原理時(shí)候,運(yùn)用到了BJT雙極性三極管的基礎(chǔ)知識(shí),比如:倒置,鉗位,深飽和,飽和壓降。這些基礎(chǔ)知識(shí)在教材上并沒(méi)有特別明晰的說(shuō)明。...
為什么用PTAT電流來(lái)偏置亞閾值導(dǎo)通的MOS管或BJT?
公式表明Vt與絕對(duì)溫度T成正比(PTAT)。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來(lái)偏置亞閾值區(qū)的MOS管,可以消除Vt對(duì)gm的影響。
運(yùn)放參數(shù)解析:輸入偏置電流(Ibias)和失調(diào)電流(Ios)
今天與大家分享一下運(yùn)放系列第一個(gè)問(wèn)題:輸入偏置電流(Ibias)和失調(diào)電流(Ios)。
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶...
全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)
IGBT 有三個(gè)端子(集電極、發(fā)射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場(chǎng)趨勢(shì)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于...
絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無(wú)疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
正溫度系數(shù)電壓的推導(dǎo)依賴BJT集電極電流 和 電壓公式,這里把公式重寫如下: 假設(shè)兩個(gè)同樣的BJT,偏置電流分別為 和 ,那么,兩個(gè)BJT的 ...
2023-08-21 標(biāo)簽:BJT半導(dǎo)體器件集電極電流 1073 0
什么是負(fù)電壓?負(fù)電壓是如何產(chǎn)生的?
負(fù)電壓的概念有時(shí)不如正電壓的概念直觀,也許這是因?yàn)樵S多低壓電子系統(tǒng)不使用負(fù)電壓電源緣故,或者是因?yàn)椤柏?fù)”電壓意味著電源具有“小于零”的能力來(lái)驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)...
晶體管是一種有源元件,遍布電子電路。它們用作放大器和開(kāi)關(guān)設(shè)備。作為放大器,它們用于高電平和低電平、頻率級(jí)、振蕩器、調(diào)制器、檢測(cè)器以及任何需要執(zhí)行功能的電...
晶體管收音機(jī)是一種簡(jiǎn)單而有趣的技術(shù)小玩意,它改變了我們聽(tīng)音樂(lè)的方式。為了放大微弱的無(wú)線電信號(hào)并將其作為可聽(tīng)聲音傳輸,它使用單個(gè)晶體管。本文將解釋單晶體管...
三極管的工作狀態(tài)、主要參數(shù)及電路應(yīng)用
三極管(BJT)是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,由兩個(gè)PN結(jié)組成,兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。
在本節(jié)中,我們將分析BJT共基構(gòu)型,了解其驅(qū)動(dòng)點(diǎn)特性、反向飽和電流、基極至發(fā)射極電壓,并通過(guò)實(shí)際求解示例評(píng)估參數(shù)。在后面的部分中,我們還將分析如何配置共...
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